配线基板的制造方法、配线基板、光掩模及曝光描绘数据结构

    公开(公告)号:CN119156891A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202380033082.7

    申请日:2023-02-15

    Abstract: 配线基板的制造方法包括:在支撑体上形成抗蚀剂层的工序;对抗蚀剂层进行曝光的工序;对被曝光的抗蚀剂层进行显影以在抗蚀剂层上形成开口的工序;在开口内形成金属配线的工序;及在形成金属配线之后去除抗蚀剂层的工序。在对抗蚀剂层进行曝光的工序中,将与金属配线对应的配线用曝光图案和不与金属配线对应的虚设曝光图案曝光到抗蚀剂层上。虚设曝光图案的至少一部分位于从配线用曝光图案的端部起200μm以内的区域中。

    图案形成方法及图案形成结构
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119213874A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202280096212.7

    申请日:2022-05-31

    Abstract: 本发明的图案形成方法包括:层叠工序,在基板(2)上层叠固化性树脂层(3)及支撑膜(4);固化工序,使固化性树脂层(3)的整体固化;剥离工序,从固化后的固化性树脂层(3)剥离支撑膜(4);加工工序,对剥离支撑膜(4)后的固化性树脂层(3)介由掩模(14)照射准分子激光(15)而将固化性树脂层(3)加工成规定图案;及形成工序,将规定图案的固化性树脂层(3)作为掩模而形成镀敷层(17)后,去除固化性树脂层(3),并且在基板(2)上形成基于镀敷层(17)的配线图案(16)。

    图案的检查方法、抗蚀剂图案的制造方法、对象基板的分选方法及对象基板的制造方法

    公开(公告)号:CN119096337A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202380023625.7

    申请日:2023-02-20

    Abstract: 图案的检查方法包括:坐标测定工序,测定对象基板中的图案的轮廓的坐标,所述对象基板为形成有作为抗蚀剂图案及导体图案中的任一者的图案的用于装载半导体元件的半导体封装基板及印刷线路板中的任一者;及检查工序,根据所述坐标来检查所述图案。对象基板的分选方法包括:坐标测定工序,测定对象基板中的图案的轮廓的坐标,所述对象基板为形成有作为抗蚀剂图案及导体图案中的任一者的图案的用于装载半导体元件的半导体封装基板及印刷线路板中的任一者;检查工序,根据所测定的所述坐标来检查所述图案;及评价工序,根据所述检查工序的检查结果来评价所述图案。

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