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公开(公告)号：CN108109938A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711127994.3
申请日：2017-11-14
Applicant: 真实仪器公司
CPC classification number: G01N21/274 , G01J3/2823 , G01J3/443 , G01N21/66 , H01J37/32963 , H01J37/32972 , H01J2237/2482 , H01L21/681 , H01L22/26 , H05H1/0006
Abstract: 本申请案涉及一种光学校准装置及表征系统。本发明提供一种用于对与处理室相关联的光学信号进行室内校准的光学校准装置、一种用于等离子体处理室的表征系统、表征等离子体处理室的方法及一种室表征器。在一个实例中，所述光学校准装置包含：(1)外壳，(2)光学源，其位于所述外壳内且经配置以提供具有连续光谱的源光，及(3)光学塑形元件，其位于所述外壳内且经配置以在所述处理室内的操作期间将所述源光成形为近似于等离子体发射的校准光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117405227A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310875008.1
申请日：2023-07-17
Applicant: 真实仪器公司
Inventor： A·W·科伊尼
Abstract: 本申请涉及一种用于监测半导体工艺的极高分辨率光谱仪。提供可用于监测半导体工艺的极高分辨率的光学仪器。在此应用空间中，极高分辨率可被认为是足以准许分辨个别分子转振发射线的分辨率。在一个实例中，提供一种光学仪器，其包含：(1)光学接口，其接收光纤；(2)窄带通滤波器，其滤出经由所述光纤接收的光信号的一部分；(3)光学组件，其被选择性地组合以处理未滤波光信号的至少一部分，其中所述光学组件包含接收所述未滤波光信号的传感器；以及(4)一或多个处理器，其处理来自所述传感器的电信号。所述光学仪器可为适合于工艺控制仪器的光谱仪。
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公开(公告)号：CN108413883A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810127929.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 真实仪器公司
Inventor： A·W·科伊尼
CPC classification number: H01L22/12 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/8422 , G06K7/0095
Abstract: 本申请案针对于用于测量复杂结构的系统及方法。所述系统及方法支持结构复杂性减小及建模以用于光学监测，且准许在半导体制造过程期间确定膜厚度及特征深度。
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公开(公告)号：CN117405357A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310874640.4
申请日：2023-07-17
Applicant: 真实仪器公司
Abstract: 本申请案涉及一种用于半导体工艺的光学仪器的故障检测和操作就绪情况的系统和方法。本公开认识到，当光学仪器未正常工作时，与其用光学仪器作为工艺控制仪器/传感器来监测可控工艺，不如不开始监测所述工艺。因此，本公开涉及用于在光谱仪等光学仪器用于监测半导体工艺之前检查所述光学仪器是否正常工作的新颖特征。在一个方面中，本公开提供一种用于评估和验证光学仪器的操作状态的系统。在一个实例中，所述系统包含：(1)集成光源；(2)光学传感器，其用于收集来自所述集成光源的光；(3)控制器，其控制所述集成光源和所述光学传感器；以及(4)处理器，其用于处理从所述光获得的收集到的光学信号数据且导出指示所述操作状态的度量。
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公开(公告)号：CN108109938B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201711127994.3
申请日：2017-11-14
Applicant: 真实仪器公司
Abstract: 本申请案涉及一种光学校准装置及表征系统。本发明提供一种用于对与处理室相关联的光学信号进行室内校准的光学校准装置、一种用于等离子体处理室的表征系统、表征等离子体处理室的方法及一种室表征器。在一个实例中，所述光学校准装置包含：(1)外壳，(2)光学源，其位于所述外壳内且经配置以提供具有连续光谱的源光，及(3)光学塑形元件，其位于所述外壳内且经配置以在所述处理室内的操作期间将所述源光成形为近似于等离子体发射的校准光。
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