公开(公告)号：KR1020040029108A

公开(公告)日：2004-04-03

申请号：KR1020047003005

申请日：2002-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  스기우라마사히토 ,  가시와기유사쿠 ,  가가와요시히사 ,  오타도모히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: 분자 내에 환상 구조를 갖는 화합물로 구성되는 처리 가스를 챔버(12)내에 도입한다. 한편으로 아르곤 등의 여기용 가스를 액티베이터(34)에 의해서 여기시켜 챔버(12) 내에 도입하여 처리 가스를 여기시킨다. 여기된 처리 가스는 피처리 기판(l9)상에 퇴적하여, 환상 구조를 막 중에 갖는 다공질 저유전율막을 형성한다.

Abstract translation: 由分子中具有环结构的化合物构成的处理气体被导入腔室（12）。 同时，由激活器（34）激励诸如氩等的激励气体并将其引入腔室（12）中，以使处理气体被激发。 激发的处理气体沉积在处理目标基板（19）上，在膜中形成具有环形结构的多孔低介电常数膜。

公开(公告)号：KR100778947B1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：KR1020047003005

申请日：2002-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  스기우라마사히토 ,  가시와기유사쿠 ,  가가와요시히사 ,  오타도모히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: A process gas constituted by a compound having a ring structure in its molecules is introduced into a chamber (12). In the meantime, an excitation gas such as argon, etc. is excited by an activator (34) and introduced into the chamber (12), so that the process gas is excited. The excited process gas is deposited on a process target substrate (19), forming a porous low dielectric constant film having ring structures in the film.

公开(公告)号：KR1020070119099A

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：KR1020077028702

申请日：2004-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  오시마야스히로 ,  가가와요시히사 ,  정기시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0234 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3121

Abstract: Disclosed is a method for processing substrate which enables an insulating film formed by a plasma CVD method using an organic silane gas to have a low dielectric constant and to maintain mechanical strength. A method for processing substrate comprising a film-forming step wherein an insulating film is formed on a substrate to be processed by supplying a first process gas containing an organic silane gas onto the substrate and exciting a plasma thereon, and a post-treatment step following the film-forming step wherein the insulating film is treated by supplying a second process gas containing an H2 gas onto the substrate and exciting a plasma thereon is characterized in that the plasma excitation in the post-treatment step is carried out by means of a microwave plasma antenna.

Abstract translation: 公开了一种处理衬底的方法，其使得能够通过使用有机硅烷气体的等离子体CVD方法形成的绝缘膜具有低介电常数并保持机械强度。 一种处理衬底的方法，包括一种成膜步骤，其中通过将含有有机硅烷气体的第一工艺气体供应到衬底上并在其上激发等离子体，在待加工的衬底上形成绝缘膜，以及后处理步骤 其中通过将含有H 2气体的第二处理气体供应到衬底上并激发等离子体来处理绝缘膜的成膜步骤的特征在于后处理步骤中的等离子体激发通过微波 等离子天线

公开(公告)号：KR1020060085953A

公开(公告)日：2006-07-28

申请号：KR1020067009109

申请日：2004-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  오시마야스히로 ,  가가와요시히사 ,  정기시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/0234 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3121

Abstract: Disclosed is a method for processing substrate which enables an insulating film formed by a plasma CVD method using an organic silane gas to have a low dielectric constant and to maintain mechanical strength. A method for processing substrate comprising a film-forming step wherein an insulating film is formed on a substrate to be processed by supplying a first process gas containing an organic silane gas onto the substrate and exciting a plasma thereon, and a post-treatment step following the film-forming step wherein the insulating film is treated by supplying a second process gas containing an H2 gas onto the substrate and exciting a plasma thereon is characterized in that the plasma excitation in the post-treatment step is carried out by means of a microwave plasma antenna.

Abstract translation: 公开了一种处理衬底的方法，其使得能够通过使用有机硅烷气体的等离子体CVD方法形成的绝缘膜具有低介电常数并保持机械强度。 一种处理衬底的方法，包括一种成膜步骤，其中通过将含有有机硅烷气体的第一工艺气体供应到衬底上并在其上激发等离子体，在待加工的衬底上形成绝缘膜，以及后处理步骤 其中通过将含有H 2气体的第二处理气体供应到衬底上并激发等离子体来处理绝缘膜的成膜步骤的特征在于后处理步骤中的等离子体激发通过微波 等离子天线

公开(公告)号：KR1020060097768A

公开(公告)日：2006-09-15

申请号：KR1020067016087

申请日：2002-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  스기우라마사히토 ,  가시와기유사쿠 ,  가가와요시히사 ,  오타도모히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: A method for forming a film which comprises a step of introducing a gas to be treated comprising a compound having a cyclic structure in the molecule thereof into a chamber (12), and a step of exciting a gas for excitation, such as argon, by means of an activator (34) and then introducing the excited gas for excitation into the chamber (12), to indirectly excite the gas to be treated. The excited gas to be treated is deposited on a substrate (19) to be treated and forms a porous film having a cyclic structure in an increased content and thus exhibiting a reduced permitivity.

Abstract translation: 一种形成膜的方法，包括将包含其分子中具有环状结构的化合物的待处理气体引入到室（12）中的步骤，以及通过以下步骤将氩气激发气体的步骤： 活化剂（34）的装置，然后将激发的气体引入到室（12）中，以间接地激发待处理的气体。 待处理的被激发气体沉积在待处理的基材（19）上，并形成具有增加的含量的环状结构的多孔膜，从而显示出较低的介电常数。

公开(公告)号：KR100900587B1

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：KR1020077028702

申请日：2004-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  오시마야스히로 ,  가가와요시히사 ,  정기시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0234 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3121

Abstract: 본 발명은 유기 실란 가스를 이용한 플라즈마 CVD법에 의해 성막되는 절연막의 저유전율화와, 기계적인 강도의 유지를 가능하게 하는 것을 목적으로 하고 있다. 그 때문에, 본 발명에서는, 피처리 기판에 유기 실란 가스를 함유한 제 1 처리 가스를 공급하여 플라즈마를 여기함으로써, 상기 피처리 기판상에 절연막을 성막하는 성막 단계와, 상기 성막 단계 후, 상기 피처리 기판에 H
2
가스를 포함하는 제 2 처리 가스를 공급하여 플라즈마를 여기함으로써, 상기 절연막의 처리를 실행하는 후처리 단계를 갖는 기판 처리 방법으로서, 상기 후처리 단계의 플라즈마 여기는 마이크로파 플라즈마 안테나에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 이용하고 있다.

公开(公告)号：KR100854809B1

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：KR1020067009109

申请日：2004-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  오시마야스히로 ,  가가와요시히사 ,  정기시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/0234 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3121

Abstract: 본 발명은 유기 실란 가스를 이용한 플라즈마 CVD법에 의해 성막되는 절연막의 저유전율화와, 기계적인 강도의 유지를 가능하게 하는 것을 목적으로 하고 있다. 그 때문에, 본 발명에서는, 피처리 기판에 유기 실란 가스를 함유한 제 1 처리 가스를 공급하여 플라즈마를 여기함으로써, 상기 피처리 기판상에 절연막을 성막하는 성막 단계와, 상기 성막 단계 후, 상기 피처리 기판에 H
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가스를 포함하는 제 2 처리 가스를 공급하여 플라즈마를 여기함으로써, 상기 절연막의 처리를 실행하는 후처리 단계를 갖는 기판 처리 방법으로서, 상기 후처리 단계의 플라즈마 여기는 마이크로파 플라즈마 안테나에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 이용하고 있다.