公开(公告)号：KR1020160026701A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：KR1020150115371

申请日：2015-08-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토유스케 ,  나가토모유 ,  히시누마하야토 ,  다카야마와타루 ,  도미나가쇼 ,  가네코유키

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31144

Abstract: 본발명은, 실리콘산화막및 실리콘질화막이교대로마련됨으로써구성된다층막을갖는제1 영역과, 단층의실리콘산화막을갖는제2 영역을에칭하는방법을제공한다. 일실시형태의에칭방법은, 피처리체를수용한처리용기내에서하이드로플루오로카본가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마를생성하는공정과, 상기처리용기내에서플루오로카본가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마를생성하는공정을포함한다. 이방법에서는, 제1 처리가스의플라즈마를생성하는공정과제2 처리가스의플라즈마를생성하는공정이교대로반복된다.

Abstract translation: 提供了一种用于蚀刻具有由交替设置的氧化硅膜和硅氮化腈膜构成的多层膜的第一区域的方法和具有单层氧化硅膜的第二区域。 根据本发明的一个实施例，蚀刻方法包括以下处理：在包含待处理物体的处理容器中产生含有氢氟烃气体的第一工艺气体的等离子体; 并且在处理容器中产生含有碳氟化合物气体的第二工艺气体的等离子体。 在该方法中，替代地重复第一和第二处理气体的产生等离子体的方法。