公开(公告)号：KR1020160026701A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：KR1020150115371

申请日：2015-08-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토유스케 ,  나가토모유 ,  히시누마하야토 ,  다카야마와타루 ,  도미나가쇼 ,  가네코유키

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31144

Abstract: 본발명은, 실리콘산화막및 실리콘질화막이교대로마련됨으로써구성된다층막을갖는제1 영역과, 단층의실리콘산화막을갖는제2 영역을에칭하는방법을제공한다. 일실시형태의에칭방법은, 피처리체를수용한처리용기내에서하이드로플루오로카본가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마를생성하는공정과, 상기처리용기내에서플루오로카본가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마를생성하는공정을포함한다. 이방법에서는, 제1 처리가스의플라즈마를생성하는공정과제2 처리가스의플라즈마를생성하는공정이교대로반복된다.

Abstract translation: 提供了一种用于蚀刻具有由交替设置的氧化硅膜和硅氮化腈膜构成的多层膜的第一区域的方法和具有单层氧化硅膜的第二区域。 根据本发明的一个实施例，蚀刻方法包括以下处理：在包含待处理物体的处理容器中产生含有氢氟烃气体的第一工艺气体的等离子体; 并且在处理容器中产生含有碳氟化合物气体的第二工艺气体的等离子体。 在该方法中，替代地重复第一和第二处理气体的产生等离子体的方法。

公开(公告)号：KR102035890B1

公开(公告)日：2019-10-23

申请号：KR1020160047622

申请日：2016-04-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미나가쇼 ,  다카야마와타루 ,  이가라시요시키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H05H1/46

公开(公告)号：KR1020160125896A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020160047622

申请日：2016-04-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미나가쇼 ,  다카야마와타루 ,  이가라시요시키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 본발명은상이한종류의에칭대상막을에칭할때의가공시간을단축하여, 생산성을향상시키는것을목적으로한다. 플라즈마생성용의고주파전력에의해수소함유가스및 불소함유가스로부터플라즈마를생성하고, -30℃이하의극저온환경에있어서, 생성된플라즈마에의해실리콘산화막및 질화실리콘막의에칭대상막을에칭하며, 상기에칭에서는, 하나의에칭대상막을에칭하는제1 에칭의에칭률과, 상기하나의에칭대상막과상이한구조의다른에칭대상막을에칭하는제2 에칭의에칭률의차가 ±20% 이내가되도록제어하는에칭처리방법이제공된다.

Abstract translation: 蚀刻方法包括从具有用于等离子体产生的高频电力的含氢气体和含氟气体产生等离子体。 在低于或等于-30℃的温度的环境中，用产生的等离子体蚀刻包括氧化硅膜和氮化硅膜的第一膜。 控制蚀刻第一膜的第一蚀刻的第一蚀刻速率和蚀刻具有不同于第一膜的结构的结构的第二膜的第二蚀刻的第二蚀刻速率，使得第一蚀刻速率和 第二蚀刻速率在第一蚀刻速率的±20％以内。

公开(公告)号：KR1020170065449A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：KR1020160160127

申请日：2016-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카야마와타루 ,  도미나가쇼 ,  이가라시요시키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L27/115 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00

Abstract: 본발명은, 실리콘산화막과실리콘질화막의계면에생기는단차를제거하는것을목적으로한다. 제1 고주파전원이출력하는제1 고주파전력을이용하여불소함유가스를포함하는제1 처리가스로부터플라즈마를생성하고, 생성된플라즈마에의해실리콘산화막과실리콘질화막의적층막을에칭하는제1 공정과, 상기제1 공정후, 상기제1 고주파전력을이용하여브롬함유가스를포함하는제2 처리가스로부터플라즈마를생성하고, 생성된플라즈마에의해상기적층막을에칭하는제2 공정을갖는플라즈마에칭방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是去除在氧化硅膜和氮化硅膜之间的界面处形成的台阶。 在氧化硅膜和通过使用高频电源以从包括含氟气体的第一处理气体产生等离子体，并产生等离子体的高频功率输出的氮化硅膜的第一层合薄膜称为第一步骤， 在第一步骤之后，使用高频功率以产生由含有含溴气体的第二工艺气体的等离子体的第一，通过与第二处理的产生的等离子体称为设置有等离子体蚀刻方法的层叠膜 是的。

公开(公告)号：KR1020150072342A

公开(公告)日：2015-06-29

申请号：KR1020140178468

申请日：2014-12-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카야마와타루 ,  마츠야마쇼이치로 ,  노가미스스무 ,  다무라다이스케 ,  하야시교스케 ,  가와노베준

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11582

Abstract: [과제] 다층막에형성되는홀과같은깊은스페이스의수직성을개선한다. [해결수단] 상호상이한유전율을갖고, 또한교대로적층된제1 막및 제2 막을포함하는다층막을, 플라즈마처리장치의처리용기내에서, 마스크를개재하여에칭하는반도체장치의제조방법이제공된다. 이방법은 (a) O가스혹은 N가스, 및희가스를포함하는제1 가스를상기처리용기내에공급하여, 그제1 가스를여기시키는공정과, (b) 플루오로카본가스또는플루오로하이드로카본가스를포함하는제2 가스를상기처리용기내에공급하여, 그제2 가스를여기시키는공정과, (c) HBr 가스, 불소함유가스, 및플루오로카본가스혹은플루오로하이드로카본가스를포함하는제3 가스를상기처리용기내에공급하여, 그제3 가스를여기시키는공정을포함하는시퀀스가반복해서실행된다.

Abstract translation: 本发明是为了改善诸如形成在多个膜中的孔的深空间的垂直度。 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该半导体器件蚀刻包括具有不同介电常数的第一膜和第二膜的多个膜，并且通过在用于处理等离子体处理器件的容器中插入掩模而交替布置。 该方法包括以下处理：（a）向处理容器供给包括O_2气体或N_2气体的第一气体和稀释气体，并搅拌第一气体; （b）将包括碳氟化合物气体或氟代烃气体的第二气体供应到处理容器中，并搅拌第二气体; 和（c）将包括HBr气体，含氟化物气体和碳氟化合物气体或氟代烃气体的第三气体供应到处理容器中，并搅拌第三气体。 重复实现包括该过程的序列。