公开(公告)号：KR102100011B1

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：KR1020160170499

申请日：2016-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도미나가쇼 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/115 ,  H05H1/46 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J49/10

公开(公告)号：KR1020170065449A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：KR1020160160127

申请日：2016-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카야마와타루 ,  도미나가쇼 ,  이가라시요시키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L27/115 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00

Abstract: 본발명은, 실리콘산화막과실리콘질화막의계면에생기는단차를제거하는것을목적으로한다. 제1 고주파전원이출력하는제1 고주파전력을이용하여불소함유가스를포함하는제1 처리가스로부터플라즈마를생성하고, 생성된플라즈마에의해실리콘산화막과실리콘질화막의적층막을에칭하는제1 공정과, 상기제1 공정후, 상기제1 고주파전력을이용하여브롬함유가스를포함하는제2 처리가스로부터플라즈마를생성하고, 생성된플라즈마에의해상기적층막을에칭하는제2 공정을갖는플라즈마에칭방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是去除在氧化硅膜和氮化硅膜之间的界面处形成的台阶。 在氧化硅膜和通过使用高频电源以从包括含氟气体的第一处理气体产生等离子体，并产生等离子体的高频功率输出的氮化硅膜的第一层合薄膜称为第一步骤， 在第一步骤之后，使用高频功率以产生由含有含溴气体的第二工艺气体的等离子体的第一，通过与第二处理的产生的等离子体称为设置有等离子体蚀刻方法的层叠膜 是的。

公开(公告)号：KR102035890B1

公开(公告)日：2019-10-23

申请号：KR1020160047622

申请日：2016-04-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미나가쇼 ,  다카야마와타루 ,  이가라시요시키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H05H1/46

公开(公告)号：KR1020160125896A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020160047622

申请日：2016-04-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미나가쇼 ,  다카야마와타루 ,  이가라시요시키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 본발명은상이한종류의에칭대상막을에칭할때의가공시간을단축하여, 생산성을향상시키는것을목적으로한다. 플라즈마생성용의고주파전력에의해수소함유가스및 불소함유가스로부터플라즈마를생성하고, -30℃이하의극저온환경에있어서, 생성된플라즈마에의해실리콘산화막및 질화실리콘막의에칭대상막을에칭하며, 상기에칭에서는, 하나의에칭대상막을에칭하는제1 에칭의에칭률과, 상기하나의에칭대상막과상이한구조의다른에칭대상막을에칭하는제2 에칭의에칭률의차가 ±20% 이내가되도록제어하는에칭처리방법이제공된다.

Abstract translation: 蚀刻方法包括从具有用于等离子体产生的高频电力的含氢气体和含氟气体产生等离子体。 在低于或等于-30℃的温度的环境中，用产生的等离子体蚀刻包括氧化硅膜和氮化硅膜的第一膜。 控制蚀刻第一膜的第一蚀刻的第一蚀刻速率和蚀刻具有不同于第一膜的结构的结构的第二膜的第二蚀刻的第二蚀刻速率，使得第一蚀刻速率和 第二蚀刻速率在第一蚀刻速率的±20％以内。

公开(公告)号：KR1020170073504A

公开(公告)日：2017-06-28

申请号：KR1020160170499

申请日：2016-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도미나가쇼 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/115 ,  H05H1/46 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J49/10

Abstract: 본발명은상이한종류의에칭대상막을에칭할때의기판의온도제어성및 에칭의균일성을높이는것을목적으로한다. 웨이퍼의온도가 -35℃이하인극저온환경에있어서, 제1 고주파전원으로부터제1 고주파의전력을출력하고, 제2 고주파전원으로부터상기제1 고주파보다낮은제2 고주파의전력을출력하며, 수소함유가스및 불소함유가스로부터플라즈마를생성하고, 실리콘산화막및 실리콘질화막을적층한적층막과실리콘산화막의단층막을플라즈마에의해에칭하는제1 공정과, 상기제2 고주파전원의출력을정지하는제2 공정을가지며, 상기제1 공정과상기제2 공정을복수회 반복하고, 상기제1 공정은상기제2 공정보다짧은에칭방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提高基材与蚀刻在称为不同类型的被蚀刻膜的时间的温度控制性的均匀性。 根据晶片的温度低于-35℃的低温环境中，从高频功率的第一高频电力的第一输出，和输出比从高频电源的第一无线电频率的第二低的第二高频电力，和含氢气体 并产生从氟的等离子体含氧气体，并停止所述第一步骤和所述射频的所述第二输出由氧化硅膜和氮化硅膜的等离子体单层膜称为层叠膜和氧化硅膜层叠的第二步骤 具有第一步骤和第二多次反复的两个步骤，第一步骤是比所述第二处理设置有短的蚀刻。

公开(公告)号：KR1020160026701A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：KR1020150115371

申请日：2015-08-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토유스케 ,  나가토모유 ,  히시누마하야토 ,  다카야마와타루 ,  도미나가쇼 ,  가네코유키

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31144

Abstract: 본발명은, 실리콘산화막및 실리콘질화막이교대로마련됨으로써구성된다층막을갖는제1 영역과, 단층의실리콘산화막을갖는제2 영역을에칭하는방법을제공한다. 일실시형태의에칭방법은, 피처리체를수용한처리용기내에서하이드로플루오로카본가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마를생성하는공정과, 상기처리용기내에서플루오로카본가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마를생성하는공정을포함한다. 이방법에서는, 제1 처리가스의플라즈마를생성하는공정과제2 처리가스의플라즈마를생성하는공정이교대로반복된다.

Abstract translation: 提供了一种用于蚀刻具有由交替设置的氧化硅膜和硅氮化腈膜构成的多层膜的第一区域的方法和具有单层氧化硅膜的第二区域。 根据本发明的一个实施例，蚀刻方法包括以下处理：在包含待处理物体的处理容器中产生含有氢氟烃气体的第一工艺气体的等离子体; 并且在处理容器中产生含有碳氟化合物气体的第二工艺气体的等离子体。 在该方法中，替代地重复第一和第二处理气体的产生等离子体的方法。