公开(公告)号：KR101584631B1

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020120153222

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  이병훈 ,  이은조 ,  손성덕 ,  장재혁 ,  박도현

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C8/34 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022

Abstract: (과제) 가공성이좋고, 드라이에칭내성및 웨트에칭내성의제어도가능해지는실리콘산탄질화막의형성방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(base) 상에, 실리콘산탄질화막을형성하는실리콘산탄질화막의형성방법으로서, 하지상에, 실리콘탄질화막과실리콘산질화막을적층하여실리콘산탄질화막을형성한다.

公开(公告)号：KR1020120139562A

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：KR1020120063245

申请日：2012-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  모리요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/342 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45578

Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for forming a film are provided to improve wet etching resistance by reducing a wet etching rate against diluted hydrogen fluoride. CONSTITUTION: A thin film with boron, nitrogen, silicon, and carbon is formed on the surface of an object by supplying boron containing gas, nitrification gas, silane gas, and hydrocarbon to a processing container. A BN layer(88) is formed by intermediately and alternatively supplying boron containing gas and nitrification gas once or more times. An SiCN layer(96) is formed by intermediately supplying the silane gas, hydrocarbon gas, and nitrification gas once or more times. [Reference numerals] (96) SiCN layer

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成膜的方法和装置，通过降低对稀释的氟化氢的湿蚀刻速率来提高耐湿蚀刻性。 构成：通过向处理容器中供应含硼气体，硝化气体，硅烷气体和烃，在物体表面上形成具有硼，氮，硅和碳的薄膜。 BN层（88）通过中间并交替地供给含硼气体和硝化气体一次或多次来形成。 通过中间供给硅烷气体，烃气体和硝化气体一次以上来形成SiCN层（96）。 [编号]（96）SiCN层

公开(公告)号：KR101503725B1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：KR1020120063245

申请日：2012-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  모리요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/342 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45578

Abstract: (과제) 저유전율화, 웨트 에칭 내성의 향상 및 리크 전류의 저감화가 달성된 SiBCN막을 형성하는 것이 가능한 성막 방법을 제공한다.
(해결 수단) 피(被)처리체(W)가 수용되어 진공 흡인 가능하게 이루어진 처리 용기 내에, 보론 함유 가스와 질화 가스와 실란계 가스와 탄화 수소 가스를 공급하여 피처리체의 표면에 보론과 질소와 실리콘과 탄소를 포함하는 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 보론 함유 가스와 질화 가스를 교대로 간헐적으로 공급하는 사이클을 1회 이상 행하여 BN막을 형성하는 제1 공정과, 실란계 가스와 탄화 수소 가스와 질화 가스를 간헐적으로 공급하는 사이클을 1회 이상 행하여 SiCN막을 형성하는 제2 공정을 갖는다. 이에 따라, 저유전율화, 웨트 에칭 내성의 향상 및 리크 전류의 저감화가 달성된 보론과 질소와 실리콘과 탄소를 포함하는 박막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020130018123A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020120082062

申请日：2012-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  모로즈미유이치로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/10852

Abstract: PURPOSE: A method for forming a thin film, a method for manufacturing a semiconductor device, a thin film forming device, and the semiconductor device are provided to obtain sufficient capacitance by easily securing an area of a capacitor using the side of a bottom electrode with a pillar shape. CONSTITUTION: A first raw gas supply unit(28) supplies a first raw gas with silicon to a reaction tube. The first raw gas supply unit includes a gas spray nozzle(38) which passes through the sidewall of a manifold(800). A second raw gas supply unit(30) supplies the second raw gas including boron to the reaction tube. The second raw gas supply unit includes a gas spray nozzle(40) composed of a quartz tube. A third raw gas supply unit(32) supplies a third raw gas with nitrogen to the reaction tube. A purge gas supply unit(36) includes a gas nozzle(46) which passes through the sidewall of the manifold. [Reference numerals] (60) Control unit; (62) Memory medium; (84p) Exhaust

Abstract translation: 目的：提供一种形成薄膜的方法，半导体器件的制造方法，薄膜形成器件和半导体器件，以通过使用底部电极的侧面容易地确保电容器的面积而获得足够的电容， 柱形。 构成：第一原料气体供应单元（28）将第一原料气体与硅一起提供给反应管。 第一原料气体供给单元包括通过歧管（800）的侧壁的气体喷嘴（38）。 第二原料气体供给单元（30）将包含硼的第二原料气体供给到反应管。 第二原料气体供给单元包括由石英管构成的气体喷嘴（40）。 第三原料气体供给单元（32）向反应管供给氮气的第三原料气体。 吹扫气体供给单元（36）包括通过歧管的侧壁的气体喷嘴（46）。 （附图标记）（60）控制单元; （62）存储介质; （84p）排气

公开(公告)号：KR101520885B1

公开(公告)日：2015-05-15

申请号：KR1020120082062

申请日：2012-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  모로즈미유이치로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: (과제) 기둥 형상을 갖고 조밀하게 배열되는 전극의 도괴를 막는 것이 가능한 반도체 장치를 제공한다.
(해결 수단) 전계 효과 트랜지스터와, 기둥 형상을 갖는 커패시터를 갖는 반도체 장치로서, 상기 전계 트랜지스터의 불순물 확산 영역과 전기적으로 접속하고, 기둥 형상을 갖는 제1 전극과, 상기 제1 전극의 적어도 측면에 형성되는 유전체막과, 상기 유전체막 상에 형성되는 제2 전극과, 상기 기둥 형상을 갖는 상기 제1 전극의 길이 방향과 교차하는 방향으로 연장되고, 상기 제2 전극의 적어도 일부를 관통하여 상기 제1 전극을 연결하는 붕소 첨가 질화 실리콘막에 의해 형성되는 지지막을 구비하는 반도체 장치에 의해, 상기의 과제가 달성된다.

公开(公告)号：KR1020130075698A

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020120153222

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  이병훈 ,  이은조 ,  손성덕 ,  장재혁 ,  박도현

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C8/34 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022

Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon oxycarbonitride layer is provided to improve workability by improving dry etching resistance and wet etching resistance. CONSTITUTION: A silicon oxycarbonitride layer is formed on a base. A silicon carbonitride layer is laminated on the base (step 1). The silicon oxynitride layer is laminated on the base to form a silicon oxycarbonitride layer (step 2). The formation of the silicon carbonitride layer and the formation of the silicon oxycarbonitride layer are repeated. [Reference numerals] (1) Silicon carbonitride layer is formed; (2) Silicon oxycarbonitride layer is formed; (3) Setting number ?; (AA) Start; (BB) No; (CC) Yes; (DD) End

Abstract translation: 目的：提供一种形成硅碳氮氧化物层的方法，通过提高耐干蚀刻性和耐湿蚀刻性来提高加工性。 构成：在基底上形成硅碳氮氧化物层。 将碳氮化硅层层叠在基材上（步骤1）。 将氧氮化硅层层压在基材上以形成碳氮氧化硅层（步骤2）。 重复碳氮化硅层的形成和碳氧氮化硅层的形成。 （附图标记）（1）形成碳氮化硅层; （2）形成碳氮氧化硅层; （3）设定号？ （AA）开始; （BB）否; （CC）是; （DD）结束