-
公开(公告)号：KR1020090077873A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：KR1020090001745
申请日：2009-01-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/4554 , C23C16/45546 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: A film formation method and an apparatus for processing a semiconductor and a computer readable medium are provided to form a silicon nitride layer with high quality by suppressing generation of particles. A film formation apparatus(2) for processing a semiconductor includes a processing receptacle(4), a supporting member, a heater(86), an exhaust system(GE), a first processing gas supply system(28), a second processing gas supply system(30), an exciting unit, and a control unit(60). The processing receptacle has a processing region for receiving a processing substrate. The supporting member is used for supporting the processing substrate in the process region. The heater heats the processing substrate within the process region. The exhaust system exhausts the air of the process area. The first processing gas supply system supplies the first processing gas including silane-based gas to the process region. The second processing gas supply system supplies the second processing gas including the nitrogen gas to the processing region. The exciting unit performs an excitation process in the supplying process of the second processing gas. The control unit controls operations of the film formation apparatus.
Abstract translation: 提供了一种成膜方法和用于处理半导体和计算机可读介质的装置，通过抑制颗粒的产生而形成高质量的氮化硅层。 用于处理半导体的成膜装置（2）包括处理容器（4），支撑构件，加热器（86），排气系统（GE），第一处理气体供应系统（28），第二处理气体 供应系统（30），激励单元和控制单元（60）。 处理容器具有用于接收处理衬底的处理区域。 支撑构件用于在处理区域中支撑处理衬底。 加热器加热处理区域内的处理衬底。 排气系统排出处理区域的空气。 第一处理气体供给系统向处理区域提供包括硅烷类气体的第一处理气体。 第二处理气体供给系统将包含氮气的第二处理气体供给到处理区域。 励磁单元在第二处理气体的供给过程中进行激励处理。 控制单元控制成膜装置的操作。
-
公开(公告)号：KR101584631B1
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：KR1020120153222
申请日：2012-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/31 , C23C8/34 , C23C16/24 , C23C16/56 , C23C28/04 , C23C28/42 , H01L21/02126 , H01L21/022
Abstract: (과제) 가공성이좋고, 드라이에칭내성및 웨트에칭내성의제어도가능해지는실리콘산탄질화막의형성방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(base) 상에, 실리콘산탄질화막을형성하는실리콘산탄질화막의형성방법으로서, 하지상에, 실리콘탄질화막과실리콘산질화막을적층하여실리콘산탄질화막을형성한다.
-
公开(公告)号：KR101146397B1
公开(公告)日：2012-05-17
申请号：KR1020090001745
申请日：2009-01-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/4554 , C23C16/45546 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스가 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서, 실리콘 질화막을 피처리 기판 상에 형성하는 성막 처리를 행한다. 성막 처리는 주단계와 보조 단계로 구성되어, 보조 단계는 성막 처리의 초기 및 말기의 한쪽 또는 양쪽에 설정된다. 주단계는 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태로 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 갖는다. 보조 단계는 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태로 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 갖지 않는다.
반도체 처리용 성막 장치, 실란계 가스, 처리 가스, 질화 가스, 가스 분산 노즐-
公开(公告)号：KR1020130075698A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020120153222
申请日：2012-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/31 , C23C8/34 , C23C16/24 , C23C16/56 , C23C28/04 , C23C28/42 , H01L21/02126 , H01L21/022
Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon oxycarbonitride layer is provided to improve workability by improving dry etching resistance and wet etching resistance. CONSTITUTION: A silicon oxycarbonitride layer is formed on a base. A silicon carbonitride layer is laminated on the base (step 1). The silicon oxynitride layer is laminated on the base to form a silicon oxycarbonitride layer (step 2). The formation of the silicon carbonitride layer and the formation of the silicon oxycarbonitride layer are repeated. [Reference numerals] (1) Silicon carbonitride layer is formed; (2) Silicon oxycarbonitride layer is formed; (3) Setting number ?; (AA) Start; (BB) No; (CC) Yes; (DD) End
Abstract translation: 目的：提供一种形成硅碳氮氧化物层的方法，通过提高耐干蚀刻性和耐湿蚀刻性来提高加工性。 构成：在基底上形成硅碳氮氧化物层。 将碳氮化硅层层叠在基材上（步骤1）。 将氧氮化硅层层压在基材上以形成碳氮氧化硅层（步骤2）。 重复碳氮化硅层的形成和碳氧氮化硅层的形成。 （附图标记）（1）形成碳氮化硅层; （2）形成碳氮氧化硅层; （3）设定号？ （AA）开始; （BB）否; （CC）是; （DD）结束
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.017 seconds)
