公开(公告)号：KR1020130075698A

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020120153222

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  이병훈 ,  이은조 ,  손성덕 ,  장재혁 ,  박도현

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C8/34 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022

Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon oxycarbonitride layer is provided to improve workability by improving dry etching resistance and wet etching resistance. CONSTITUTION: A silicon oxycarbonitride layer is formed on a base. A silicon carbonitride layer is laminated on the base (step 1). The silicon oxynitride layer is laminated on the base to form a silicon oxycarbonitride layer (step 2). The formation of the silicon carbonitride layer and the formation of the silicon oxycarbonitride layer are repeated. [Reference numerals] (1) Silicon carbonitride layer is formed; (2) Silicon oxycarbonitride layer is formed; (3) Setting number ?; (AA) Start; (BB) No; (CC) Yes; (DD) End

Abstract translation: 目的：提供一种形成硅碳氮氧化物层的方法，通过提高耐干蚀刻性和耐湿蚀刻性来提高加工性。 构成：在基底上形成硅碳氮氧化物层。 将碳氮化硅层层叠在基材上（步骤1）。 将氧氮化硅层层压在基材上以形成碳氮氧化硅层（步骤2）。 重复碳氮化硅层的形成和碳氧氮化硅层的形成。 （附图标记）（1）形成碳氮化硅层; （2）形成碳氮氧化硅层; （3）设定号？ （AA）开始; （BB）否; （CC）是; （DD）结束

公开(公告)号：KR101584631B1

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020120153222

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  이병훈 ,  이은조 ,  손성덕 ,  장재혁 ,  박도현

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C8/34 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022

Abstract: (과제) 가공성이좋고, 드라이에칭내성및 웨트에칭내성의제어도가능해지는실리콘산탄질화막의형성방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(base) 상에, 실리콘산탄질화막을형성하는실리콘산탄질화막의형성방법으로서, 하지상에, 실리콘탄질화막과실리콘산질화막을적층하여실리콘산탄질화막을형성한다.