公开(公告)号：KR1020140125654A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：KR1020130043745

申请日：2013-04-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 손성덕

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22

Abstract: 처리실과 로딩실을 포함하는 배치식 기판 처리 장치에 이용되는 본 발명의 종형 기판 보지부는, 복수의 기판을 종방향으로 보지하는 기판 보트; 상기 기판 보트의 일면에 배치되며, 상기 처리실과 상기 로딩실의 사이에 형성된 개구부를 개폐하는 캡; 및 상기 캡의 측면에 형성되며, 상기 캡의 외측으로 가스를 분사하기 위한 분사구를 포함한다. 또한, 처리실과 로딩실을 포함하는 배치식 기판 처리 장치에 이용되는 본 발명의 오토 셔터는, 상기 처리실과 상기 로딩실의 사이에 형성된 개구부를 개폐 가능하도록 구성된 덮개체; 복수의 기판을 종방향으로 보지하는 기판 보트를 상기 처리실 내에 반입할 경우에 상기 개구부를 열고, 상기 기판 보트가 상기 로딩실로 반출된 경우에 상기 개구부를 막도록 상기 덮개체를 구동하는 구동부; 및 상기 덮개체의 측면에 형성되며, 상기 덮개체의 외측으로 가스를 분사하기 위한 분사구를 포함한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 상기 종형 기판 보지부 및 상기 오토 셔터 중 적어도 하나를 포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的纵向衬底支撑件用于具有处理室和装载室的布置型衬底处理装置中，包括：沿纵向方向支撑多个衬底的衬底舟; 帽，其布置在所述衬底舟皿的一侧上，并且打开和关闭形成在所述处理室和所述装载室之间的开口部; 以及形成在盖的侧面上用于将气体喷射到盖的外部的喷射孔。 另外，在具有处理室和装载室的布置型基板处理装置中使用的根据本发明的自动快门包括：盖体，其构造成能够打开和关闭形成在处理室和加载室之间的开口部分 装载室; 驱动部，驱动盖体，以在将基板舟皿沿长度方向支承基板的情况下打开开口部，进入处理室，并且在将基板载体搬运到载物台的情况下关闭开口部 室; 以及形成在盖主体的侧面以将气体喷射到盖体的外部的喷射单元。 根据本发明的基板处理装置包括纵向基板支撑部分或自动快门。

公开(公告)号：KR1020130075698A

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020120153222

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  이병훈 ,  이은조 ,  손성덕 ,  장재혁 ,  박도현

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C8/34 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022

Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon oxycarbonitride layer is provided to improve workability by improving dry etching resistance and wet etching resistance. CONSTITUTION: A silicon oxycarbonitride layer is formed on a base. A silicon carbonitride layer is laminated on the base (step 1). The silicon oxynitride layer is laminated on the base to form a silicon oxycarbonitride layer (step 2). The formation of the silicon carbonitride layer and the formation of the silicon oxycarbonitride layer are repeated. [Reference numerals] (1) Silicon carbonitride layer is formed; (2) Silicon oxycarbonitride layer is formed; (3) Setting number ?; (AA) Start; (BB) No; (CC) Yes; (DD) End

Abstract translation: 目的：提供一种形成硅碳氮氧化物层的方法，通过提高耐干蚀刻性和耐湿蚀刻性来提高加工性。 构成：在基底上形成硅碳氮氧化物层。 将碳氮化硅层层叠在基材上（步骤1）。 将氧氮化硅层层压在基材上以形成碳氮氧化硅层（步骤2）。 重复碳氮化硅层的形成和碳氧氮化硅层的形成。 （附图标记）（1）形成碳氮化硅层; （2）形成碳氮氧化硅层; （3）设定号？ （AA）开始; （BB）否; （CC）是; （DD）结束

公开(公告)号：KR101584631B1

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020120153222

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  이병훈 ,  이은조 ,  손성덕 ,  장재혁 ,  박도현

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C8/34 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022

Abstract: (과제) 가공성이좋고, 드라이에칭내성및 웨트에칭내성의제어도가능해지는실리콘산탄질화막의형성방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(base) 상에, 실리콘산탄질화막을형성하는실리콘산탄질화막의형성방법으로서, 하지상에, 실리콘탄질화막과실리콘산질화막을적층하여실리콘산탄질화막을형성한다.

公开(公告)号：KR101552496B1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：KR1020130043745

申请日：2013-04-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 손성덕

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22

Abstract: 처리실과로딩실을포함하는배치식기판처리장치에이용되는본 발명의종형기판보지부는, 복수의기판을종방향으로보지하는기판보트; 상기기판보트의일면에배치되며, 상기처리실과상기로딩실의사이에형성된개구부를개폐하는캡; 및상기캡의측면에형성되며, 상기캡의외측으로가스를분사하기위한분사구를포함한다. 또한, 처리실과로딩실을포함하는배치식기판처리장치에이용되는본 발명의오토셔터는, 상기처리실과상기로딩실의사이에형성된개구부를개폐가능하도록구성된덮개체; 복수의기판을종방향으로보지하는기판보트를상기처리실내에반입할경우에상기개구부를열고, 상기기판보트가상기로딩실로반출된경우에상기개구부를막도록상기덮개체를구동하는구동부; 및상기덮개체의측면에형성되며, 상기덮개체의외측으로가스를분사하기위한분사구를포함한다. 본발명의기판처리장치는상기종형기판보지부및 상기오토셔터중 적어도하나를포함한다.