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公开(公告)号:KR101950548B1
公开(公告)日:2019-04-22
申请号:KR1020157006156
申请日:2013-07-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01J37/32 , H01L27/11524
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公开(公告)号:KR1020150038637A
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:KR1020157006156
申请日:2013-07-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3213 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/311 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32449 , H01J2237/327 , H01J2237/334 , H01L21/0273 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L27/11524 , H01L21/32136 , H01L21/3065
Abstract: 일실시예에서는, 제 1 유전율을갖는제 1 막과제 2 유전율을갖는제 2 막이교대로적층됨으로써형성된다층막을에칭하는방법이제공된다. 이방법은, (a) 처리용기내에에천트가스를공급하고, 처리용기내에마이크로파를공급함으로써해당에천트가스의플라즈마를여기해서, 다층막을에칭하는공정과, (b) 처리용기내에산소함유가스및 플루오로카본계가스를공급하고, 마이크로파를공급함으로써산소함유가스및 플루오로카본계가스의플라즈마를여기해서, 레지스트마스크를축소시키는공정을포함한다. 본방법에서는공정 (a)과공정 (b)가교대로반복된다.
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