公开(公告)号：KR101950548B1

公开(公告)日：2019-04-22

申请号：KR1020157006156

申请日：2013-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시무라쇼타 ,  스즈키에이지 ,  가마다도미코 ,  오타케히로토

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H01L27/11524

公开(公告)号：KR101369411B1

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：KR1020120030392

申请日：2012-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와쥰 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루 ,  요시무라쇼타 ,  다카하시카즈키

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651

Abstract: 피처리 기체의 중앙 부분의 처리 속도를 저감시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 일 실시예의 플라즈마 처리 장치는 처리 용기, 가스 공급부, 마이크로파 발생기, 안테나, 동축 도파관, 보지부, 유전체창 및 유전체봉을 구비하고 있다. 가스 공급부는 처리 용기 내로 처리 가스를 공급한다. 마이크로파 발생기는 마이크로파를 발생한다. 안테나는 플라즈마 여기용의 마이크로파를 처리 용기 내로 도입한다. 동축 도파관은 마이크로파 발생기와 안테나의 사이에 설치되어 있다. 보지부는 피처리 기체를 보지하는 것이며, 동축 도파관의 중심축선이 연장되는 방향에서 안테나와 대향 배치되어 있다. 유전체창은 안테나와 보지부의 사이에 설치되어 있고, 안테나로부터의 마이크로파를 처리 용기 내에 투과한다. 유전체봉은 보지부와 유전체창의 사이의 영역에서 동축 도파관의 중심축선을 따라 설치되어 있다.

公开(公告)号：KR1020150038637A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020157006156

申请日：2013-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시무라쇼타 ,  스즈키에이지 ,  가마다도미코 ,  오타케히로토

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11524 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/3065

Abstract: 일실시예에서는, 제 1 유전율을갖는제 1 막과제 2 유전율을갖는제 2 막이교대로적층됨으로써형성된다층막을에칭하는방법이제공된다. 이방법은, (a) 처리용기내에에천트가스를공급하고, 처리용기내에마이크로파를공급함으로써해당에천트가스의플라즈마를여기해서, 다층막을에칭하는공정과, (b) 처리용기내에산소함유가스및 플루오로카본계가스를공급하고, 마이크로파를공급함으로써산소함유가스및 플루오로카본계가스의플라즈마를여기해서, 레지스트마스크를축소시키는공정을포함한다. 본방법에서는공정 (a)과공정 (b)가교대로반복된다.

公开(公告)号：KR1020120028853A

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020110093107

申请日：2011-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  사사키마사루 ,  하시모토준 ,  요시무라쇼타 ,  오즈토시히사 ,  니시즈카테츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: PURPOSE: A plasma etching treatment apparatus and method, and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to control a protective film to be superfluously thickened by controlling the thickness of the protective film which is formed in the off of bias under 10Å. CONSTITUTION: A gas supply part(13) supplies gas for plasma processing within a treatment basin(12). A microwave generator(15) generates plasma excited microwaves. A waveguide(16) and a coaxial waveguide(17) transmit the microwaves generated by the microwave generator within the treatment basin. A dielectric plate(18) spreads the microwave to a diametric direction. A slot antenna plate(20) radiates the microwave. A pressure control means controls the pressure within the treatment basin. A bias power supply means supplies AC bias power to a supporting stand.

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻处理装置和方法以及半导体装置的制造方法，通过控制在10度以下的偏压下形成的保护膜的厚度来控制保护膜被超级增厚。 构成：气体供应部件（13）在处理池（12）内提供用于等离子体处理的气体。 微波发生器（15）产生等离子体激发的微波。 波导（16）和同轴波导（17）将由微波发生器产生的微波传送到处理池内。 电介质板（18）将微波扩散到直径方向。 狭缝天线板（20）辐射微波。 压力控制装置控制处理盆内的压力。 偏置电源装置向支撑架提供AC偏置电力。

公开(公告)号：KR1020150032662A

公开(公告)日：2015-03-27

申请号：KR1020147032420

申请日：2013-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  코야마코지 ,  오즈토시히사 ,  요시무라쇼타

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23F4/00 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리 장치(1)는, 처리 용기(2)로 도입된 처리 가스를 플라즈마화함으로써, 처리 용기(2)의 내부에 수용된 웨이퍼(W)를 처리한다. 플라즈마 처리 장치(1)는 중앙 도입부(55)와 주변 도입부(61)와 유량 조정부와 제어부(49)를 구비한다. 중앙 도입부(55)는 Ar 가스, He 가스 및 에칭 가스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 처리 가스를 웨이퍼(W)의 중앙부로 도입한다. 주변 도입부(61)는 처리 가스를 웨이퍼(W)의 주변부로 도입한다. 유량 조정부는, 중앙 도입부(55)로부터 웨이퍼(W)의 중앙부로 도입되는 처리 가스의 유량과, 주변 도입부(61)로부터 웨이퍼(W)의 주변부로 도입되는 처리 가스의 유량을 조정한다. 제어부(49)는, 처리 가스에 포함되는 Ar 가스에 대한 He 가스의 분압비가 소정값 이상이 되도록, 유량 조정부로 조정되는 처리 가스의 유량을 제어한다.

公开(公告)号：KR101265231B1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：KR1020110093107

申请日：2011-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  사사키마사루 ,  하시모토준 ,  요시무라쇼타 ,  오즈토시히사 ,  니시즈카테츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 보다정확하게원하는형상으로에칭할수 있는플라즈마에칭처리장치를제공한다. 플라즈마에칭처리장치(11)는, 그내부에서피처리기판에플라즈마처리를행하는처리용기(12)와, 처리용기(12) 내로플라즈마처리용의가스를공급하는가스공급부(13)와, 처리용기(12) 내에배치되고, 그위에피처리기판(W)을지지하는지지대(14)와, 플라즈마여기용의마이크로파를발생시키는마이크로파발생기(15)와, 마이크로파발생기(15)에의해발생시킨마이크로파를이용하여처리용기(12) 내에플라즈마를발생시키는플라즈마발생수단과, 처리용기(12) 내의압력을조정하는압력조정수단과, 지지대(14)로교류의바이어스전력을공급하는바이어스전력공급수단과, 바이어스전력공급수단에서의교류의바이어스전력을정지및 공급을교호로반복하여행하도록제어하는제어수단을구비한다.

公开(公告)号：KR1020120109419A

公开(公告)日：2012-10-08

申请号：KR1020120030392

申请日：2012-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와쥰 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루 ,  요시무라쇼타 ,  다카하시카즈키

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to reduce pressure loss within a gas pipe without an increase in manufacturing costs of the gas pipe. CONSTITUTION: A gas supply part(14) supplies process gas to the inside of a process container(12). A microwave generator(16) generates microwaves. An antenna(18) introduces the microwaves for exciting plasma within the process container. A coaxial waveguide(20) is installed between the microwave generator and the antenna. A holding part(22) is placed to face the antenna in an extension direction of a central axis line of the coaxial waveguide. The holding part is provided in order to preserve processed gas. A dielectric window(24) is installed between the antenna and the holding part. The dielectric window transmits the microwaves from the antenna inside the process container. A dielectric rod(26) is placed between the holding part and the dielectric window along the central axis line. [Reference numerals] (AA,BB) Gas

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以减少气体管道内的压力损失，而不增加气体管道的制造成本。 构成：气体供应部分（14）将处理气体供应到处理容器（12）的内部。 微波发生器（16）产生微波。 天线（18）在处理容器内引入用于激发等离子体的微波。 同轴波导（20）安装在微波发生器和天线之间。 保持部（22）被放置成在同轴波导的中心轴线的延伸方向上面对天线。 提供保持部件以便保留加工气体。 电介质窗（24）安装在天线和保持部之间。 电介质窗口从处理容器内的天线传送微波。 介电棒（26）沿着中心轴线放置在保持部分和电介质窗口之间。 （附图标记）（AA，BB）气体

公开(公告)号：KR1020150022703A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：KR1020140108856

申请日：2014-08-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오즈토시히사 ,  요시무라쇼타 ,  오오타케히로토 ,  카리우코스케 ,  츠카모토타카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/66795

Abstract: 반도체 디바이스를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판, 이 기판으로부터 돌출되고 또한 간극을 구획 형성하도록 설치된 실리콘제의 영역, 이 영역을 덮도록 형성된 금속층, 이 금속층 상에 형성된 다결정 실리콘층, 및 이 다결정 실리콘층 상에 형성된 유기 마스크를 포함하는 피처리체가 수용된 처리 용기 내에서, HBr 가스 및 Cl
2 가스를 포함하는 처리 가스를 여기시키는 공정을 포함하고, Cl
2 가스는, 처리 가스 중의 HBr 가스의 유량에 대하여 5% 이상 10% 이하의 유량으로 공급된다.

Abstract translation: 在本发明中提供的是可以抑制多晶硅层残留在要去除的区域中的半导体器件制造方法，并且还抑制对下层金属层的损伤的发生。 该方法包括在容纳包含基板的待处理物体的处理容器中激发含有HBr气体和Cl_2气体的工艺气体的工序; 从基板突出并安装以分隔和形成间隙的硅材料区域; 形成为覆盖该区域的金属层; 形成在所述金属层上的多晶硅层; 以及形成在多晶硅层上的有机掩模。 相对于处理气体中的HBr气体的流量，以5-10％的流量供给Cl_2气体。

公开(公告)号：KR101436380B1

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：KR1020130116247

申请日：2013-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와쥰 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루 ,  요시무라쇼타 ,  다카하시카즈키

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651

Abstract: 피처리 기체의 중앙 부분의 처리 속도를 저감시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 일 실시예의 플라즈마 처리 장치는 처리 용기, 가스 공급부, 마이크로파 발생기, 안테나, 동축 도파관, 보지부, 유전체창 및 유전체제의 원판을 구비하고 있다. 가스 공급부는 처리 용기 내로 처리 가스를 공급한다. 마이크로파 발생기는 마이크로파를 발생한다. 안테나는 플라즈마 여기용의 마이크로파를 처리 용기 내로 도입한다. 동축 도파관은 마이크로파 발생기와 안테나의 사이에 설치되어 있다. 보지부는 피처리 기체를 보지하는 것이며, 동축 도파관의 중심축선이 연장되는 방향에서 안테나와 대향 배치되어 있다. 유전체창은 안테나와 보지부의 사이에 설치되어 있고, 안테나로부터의 마이크로파를 처리 용기 내에 투과한다. 유전체제의 원판은 보지부와 유전체창의 사이의 영역에서 동축 도파관의 중심축선에 교차하는 면을 따라 설치되어 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够降低被处理基板的中央部的处理速度的等离子体处理装置。 的等离子体处理装置的一个实施例设置有一个处理容器，气体供给部，微波发生器，天线，同轴波导管的原板，保持部，电介质窗口和电介质。 气体供应单元将处理气体供应到处理容器中。 微波发生器产生微波。 天线将等离子体激发微波引入处理容器。 同轴波导安装在微波发生器和天线之间。 保持部保持目标气体，并且在同轴波导管的中心轴线延伸的方向上与天线相对地设置。 电介质窗口设置在天线和保持部分之间，并将微波从天线传输到处理容器中。 介质系统的盘沿着与保护和介电窗口之间的区域中的同轴波导的中心轴相交的平面定位。

公开(公告)号：KR1020130114064A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：KR1020130116247

申请日：2013-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와쥰 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루 ,  요시무라쇼타 ,  다카하시카즈키

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651

Abstract: PURPOSE: A plasma processor is provided to reduce the processing speed of the center area in processed gas. CONSTITUTION: A plasmas processor (10) comprises a processing vessel (12), a gas supply unit (14), a micro wave generator (6), an antenna (18), a coaxial wave guide (20), a holding unit (22), and a dielectric window (24). The gas supply unit supplies processed gas to the processing vessel. The microwave generator generates a microwave. The antenna supplies the microwave for enhancing plasma to the processing vessel. The coaxial waveguide is installed between the microwave generator and the antenna. The holding unit faces to the antenna in a direction in which the center shaft line of the coaxial wave guide. The dielectric window is installed between the antenna and the holding unit and radiates the microwave from the antenna to the processing vessel. [Reference numerals] (AA,BB) Gas

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理器以降低处理气体中心区域的处理速度。 等离子体处理器（10）包括处理容器（12），气体供应单元（14），微波发生器（6），天线（18），同轴波导（20），保持单元 22）和电介质窗（24）。 气体供应单元向处理容器供应经处理的气体。 微波发生器产生微波。 天线为微波提供加强等离子体到处理容器。 同轴波导安装在微波发生器和天线之间。 保持单元沿着同轴波导管的中心轴线的方向面向天线。 电介质窗安装在天线和保持单元之间，并将微波从天线辐射到处理容器。 （附图标记）（AA，BB）气体