公开(公告)号：KR100723078B1

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：KR1020077001030

申请日：2004-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카마사유키 ,  가이고우조 ,  무라카미세이시 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562

Abstract: 본 발명은, 원료 가스와 반응성 가스를 이용하여, 피 처리체(예를 들면 반도체 웨이퍼)에 대하여 성막 처리 등을 실행하기 위한 처리 장치에 관한 것이다. 이 장치는, 내부에 피 처리체(W)를 수용하는 처리 용기(22), 처리 용기내로 원료 가스 및 반응성 가스를 각각 선택적으로 공급하는 원료 가스 공급계(50) 및 반응성 가스 공급계(52), 그리고 처리 용기내의 분위기를 진공 배기하기 위한, 진공 펌프(44,46)를 갖는 진공 배기계(36)를 구비한다. 이 장치는 또한, 원료 가스 및 반응성 가스를, 각각의 가스 공급계로부터 각각의 처리 용기를 우회하여 진공 배기계에 선택적으로 유동시키는 원료 가스 바이패스계(62) 및 반응성 가스 바이패스계(66)를 구비한다. 각각의 바이패스계(62,66)에는, 각각 닫힌 상태에서, 진공 배기계로의 원료 가스 및 반응성 가스의 유출을 방지하는 원료 가스 유출 방지 밸브(X1) 및 반응성 가스 유출 방지 밸브(Y1)가 설치된다.

Abstract translation: 本发明中，通过使用原料气体和反应性气体，在处理装置用于执行膜形成过程中，如相对于所述目标对象（例如，半导体晶片）。 用于接收所述处理容器22中，每个选择原料气体的供给系统50和用于供给源气体和反应性气体流入所述处理容器内的反应性气体供给系统52内的目标对象（W）的装置 以及具有真空泵44和46的真空排气系统36，用于排空处理容器中的气氛。 该装置还包括一个源气体和反应性气体，任选地流动的原料气体旁路系统62和反应性气体旁路系统（66）连接到真空抽吸系统，以从各气体供给系统的绕过每一个处理容器的 和。 每个旁路系统（62,66）的每一个均处于关闭状态，从而防止材料用于防止气体的泄漏和反应气体到真空排气系统中的原料气体的出口阀（X1）和反应气体流出防止阀（Y1）被安装， 是的。

公开(公告)号：KR100723079B1

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：KR1020057021540

申请日：2004-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카마사유키 ,  가이고우조 ,  무라카미세이시 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562

Abstract: 본 발명은, 원료 가스와 반응성 가스를 이용하여, 피 처리체(예를 들면 반도체 웨이퍼)에 대하여 성막 처리 등을 실행하기 위한 처리 장치에 관한 것이다. 이 장치는, 내부에 피 처리체(W)를 수용하는 처리 용기(22), 처리 용기내로 원료 가스 및 반응성 가스를 각각 선택적으로 공급하는 원료 가스 공급계(50) 및 반응성 가스 공급계(52), 그리고 처리 용기내의 분위기를 진공 배기하기 위한, 진공 펌프(44,46)를 갖는 진공 배기계(36)를 구비한다. 이 장치는 또한, 원료 가스 및 반응성 가스를, 각각의 가스 공급계로부터 각각의 처리 용기를 우회하여 진공 배기계에 선택적으로 유동시키는 원료 가스 바이패스계(62) 및 반응성 가스 바이패스계(66)를 구비한다. 각각의 바이패스계(62,66)에는, 각각 닫힌 상태에서, 진공 배기계로의 원료 가스 및 반응성 가스의 유출을 방지하는 원료 가스 유출 방지 밸브(X1) 및 반응성 가스 유출 방지 밸브(Y1)가 설치된다.

公开(公告)号：KR1020070012574A

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020077001030

申请日：2004-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카마사유키 ,  가이고우조 ,  무라카미세이시 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562

Abstract: A treating device for applying film- formation treatment to a body to be treated (for example, semiconductor wafer) by using raw material gas and reactive gas, comprising a treatment container (22) storing the body to be treated (W) therein, a raw material gas supply system (50) and a reactive gas supply system (52) selectively supplying the raw material gas and the reactive gas into the treatment container, and an evacuating system (36) having vacuum pumps (44) and (46) for evacuating atmosphere in the treatment container. The device further comprises a raw material gas bypassing system (62) and a reactive gas bypassing system (66) selectively flowing the raw material gas and the reactive gas from the gas supply systems to the evacuating system while bypassing the treatment container. A raw material gas outflow prevention valve (X1) and a reactive gas outflow prevention valve (Y1) for preventing, in closed states, the raw material gas and the reactive gas from flowing out to the evacuation system are installed in the bypass systems (62) and (66). ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 一种处理装置，其通过使用原料气体和反应性气体，将待处理体（例如半导体晶片）进行成膜处理，包括：将待处理体（W）存储在其中的处理容器（22） 原料气体供给系统（50）和选择性地将原料气体和反应性气体供给到处理容器中的反应气体供给系统（52）以及具有真空泵（44）和（46）的排气系统（36），用于 在处理容器中抽真空。 该设备还包括原料气旁通系统（62）和反应气体旁通系统（66），其选择性地将原料气体和反应性气体从气体供应系统流动到排气系统，同时绕过处理容器。 旁路系统（62）中安装有原料气体流出防止阀（X1）和反应气体流出防止阀（Y1），用于防止原料气体和反应气体在关闭状态下流出到排气系统 ）和（66）。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020060019536A

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020057021540

申请日：2004-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카마사유키 ,  가이고우조 ,  무라카미세이시 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562

Abstract: A treating device for applying film- formation treatment to a body to be treated (for example, semiconductor wafer) by using raw material gas and reactive gas, comprising a treatment container (22) storing the body to be treated (W) therein, a raw material gas supply system (50) and a reactive gas supply system (52) selectively supplying the raw material gas and the reactive gas into the treatment container, and an evacuating system (36) having vacuum pumps (44) and (46) for evacuating atmosphere in the treatment container. The device further comprises a raw material gas bypassing system (62) and a reactive gas bypassing system (66) selectively flowing the raw material gas and the reactive gas from the gas supply systems to the evacuating system while bypassing the treatment container. A raw material gas outflow prevention valve (X1) and a reactive gas outflow prevention valve (Y1) for preventing, in closed states, the raw material gas and the reactive gas from flowing out to the evacuation system are installed in the bypass systems (62) and (66).

Abstract translation: 一种处理装置，其通过使用原料气体和反应性气体，将待处理体（例如半导体晶片）进行成膜处理，包括：将待处理体（W）存储在其中的处理容器（22） 原料气体供给系统（50）和选择性地将原料气体和反应性气体供给到处理容器中的反应气体供给系统（52）以及具有真空泵（44）和（46）的排气系统（36），用于 在处理容器中抽真空。 该装置还包括原料气旁通系统（62）和反应气体旁通系统（66），其选择性地将原料气体和反应性气体从气体供应系统流动到排气系统，同时绕过处理容器。 旁路系统（62）中安装有原料气体流出防止阀（X1）和反应气体流出防止阀（Y1），用于防止原料气体和反应气体在关闭状态下流出到排气系统 ）和（66）。

公开(公告)号：KR100263202B1

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：KR1019920019084

申请日：1992-10-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이고우조 ,  아키야마다카시 ,  나카다쓰요시 ,  고이즈미마사토

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/285

Abstract: 진공처리실내의 소정온도까지 가열된 피처리체 유지부상에 유지되는 피처리체의 표면에 반응성 가스를 노즐로부터 공급하고, 피처리체 표면에서의 화학반응에 의해 소망하는 박막을 피처리체 표면에 형성하는 성막처리방법에 있어서, 진공처리실내에 최초의 피처리체를 반입하기 전에 진공처리실내에 반응가스를 노즐로부터 공급하여 진공처리실내의 분위기를 피처리체의 박막처리 분위기와 미리 동등하게 되도록 하는 공정과, 진공처리실내에 피처리체를 반입하는 공정과, 진공처리실내에 상기 반응성 가스를 노즐로부터 공급하여 피처리체 표면에 소망하는 박막을 형성하는 공정과, 성막처리가 끝난 피처리체를 진공처리실내에서 반출하는 공정으로 이루어지는 성막처리방법에 관한 것이다. 또, 진공처리실내에서 피처리체를 소정온도까지 가열한 상태에서 유지하는 피처리체 유지부와, 진공처리실내에 반응성 가스를 공급하는 노즐과를 구비하는 성막처리장치에 있어서, 공급노즐을 피처리체 유지부와 대응하는 위치에 배열설치함과 동시에 공급노즐에 냉각수단을 붙여 설치하고, 피처리체 유지부와 노즐과의 사이에 반응성 가스의 흐름을 차페하는 가스 흐름 제어부를 설치한 것을 특징으로 하는 성막처리장치에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019930008956A

公开(公告)日：1993-05-22

申请号：KR1019920019084

申请日：1992-10-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이고우조 ,  아키야마다카시 ,  나카다쓰요시 ,  고이즈미마사토

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/285

Abstract: 진공처리실내의 소정온도까지 가열된 피처리제 유지부상에 유지되는 피처리체의 포면에 반응성가스를 노즐로부터 공급하고, 피처리체 표면에서 화학반응에 의해 소망하는 박막을 피처리체 표면에 형성하는 성막처리 방법에 있어서, 진공처리실내에 최초의 피처리체를 반입하기 전에 진공처리실내에 반응가스를 노즐로부터 공급하여 진공처리실내의 분위기를 피처리체의 박막처리 분위기와 미리 동등하게 되도록 하는 공정과, 진공처리실내에 피처리체를 반입하는 공정과, 진공처리실내에 상시 반응성가스를 노즐로부터 공급하여 피처리체 표면에 소망하는 박막을 형성하는 공정과, 성막처리가 끝난 피처리체를 진공처리실에서 반출하는 공정과, 로 이루어지는 성막처리 방법에 관한 것이다. 또, 진공처리실내에서 피처리체를 소정온도까지 가열한 상태에서 유지하는 피처리체 유지부와, 진공처리실내에 반응성가스를 공급하는 노즐과를 구비하는 성막처리장치에 있어서, 공급노즐을 피처리체 유지부와 대응하는 위치에 배열설치함과 동시에 공급노즐에 냉각수단을 붙여 설치하고, 피처리체 유지부와 노즐과의 사이에 반응성가스의 흐름을 차폐하는 가스흐름제어부와, 를 설치한 것을 특징으로 하는 성막처리장치에 관한 것이다.