公开(公告)号：KR1020140092257A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：KR1020140004404

申请日：2014-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠누마타카유키 ,  혼다마사노부 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32477

Abstract: The present invention is provided to improve the ability to control a film thickness according to the temperature of a member. A plasma processing method includes: a film forming process, a plasma process, and a removal process. The film forming process forms a silicon oxide film on a surface of a member provided within a chamber with plasma of a silicon-containing gas without oxygen while controlling the temperature of the member to be lower than a temperature of another member. The plasma process performs a plasma process on a target object loaded into the chamber with plasma of a processing gas after the silicon oxide film is formed on the surface of the member. The removal process removes the silicon oxide film from the surface of the member with a fluorine-containing gas plasma after the target object on which the plasma process is performed, is unloaded to an outside of the chamber.

Abstract translation: 提供本发明以提高根据构件的温度来控制膜厚度的能力。 等离子体处理方法包括：成膜工艺，等离子体处理和去除工艺。 成膜工艺在设置在具有无氧的含硅气体的等离子体的室内的构件的表面上形成氧化硅膜，同时将构件的温度控制在低于另一构件的温度。 等离子体处理对于在该构件的表面上形成氧化硅膜之后的处理气体的等离子体，对装载到该室中的目标物体进行等离子体处理。 除去过程在执行等离子体处理的目标物体之后，用含氟气体等离子体从构件的表面除去氧化硅膜，卸载到室外。

公开(公告)号：KR1020120100834A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020120022341

申请日：2012-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베세이이치 ,  사토마나부 ,  나리시게카즈키 ,  사토타카노리 ,  가츠누마타카유키

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31144

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for a semiconductor device and a computer readable storage medium are provided to perform large amount of trimming in a short time by performing plasma etching and deposit elimination of a silicon dioxide film after plasma etching of a polysilicon layer. CONSTITUTION: A placement table(2) made of conductive materials is installed within a process chamber(1). A focus ring(5) formed into a ring shape is installed in a circumference portion on the placement table to surround around a wafer(W). First radio frequency power(10a) is connected to the placement table by interposing a first matching box(11a). An electrostatic chuck(6) for electrostatically absorbing a wafer is installed on an upper side of the placement table. An exhaust port(19) is installed at a lower portion of the process chamber. [Reference numerals] (15) Processing gas supply system; (20) Exhaust system; (31) Backside gas supply source; (61) Process controller; (62) User interface; (63) Memory unit

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体器件和计算机可读存储介质的制造方法，其通过在等离子体蚀刻多晶硅层之后执行等离子体蚀刻和沉积二氧化硅膜的沉积来在短时间内进行大量的修整。 构成：在处理室（1）内安装由导电材料制成的放置台（2）。 形成环形的聚焦环（5）安装在放置台上的圆周部分中以包围晶片（W）。 第一射频功率（10a）通过插入第一匹配盒（11a）连接到放置台。 用于静电吸收晶片的静电吸盘（6）安装在放置台的上侧。 排气口（19）安装在处理室的下部。 （附图标记）（15）加工气体供给系统; （20）排气系统; （31）背面气体供应源; （61）过​​程控制器; （62）用户界面; （63）存储单元

公开(公告)号：KR102094833B1

公开(公告)日：2020-03-30

申请号：KR1020140004404

申请日：2014-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠누마타카유키 ,  혼다마사노부 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：KR1020170093111A

公开(公告)日：2017-08-14

申请号：KR1020177012095

申请日：2015-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토무라마주 ,  가츠누마타카유키 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01J37/321 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/535 ,  H01L2221/1063 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H05H1/46

Abstract: 일실시형태의방법은, 1 회이상의시퀀스를실행하는공정과, 1 회이상의시퀀스의실행에의해형성된플루오르카본함유막의막 두께를저감시키는공정을포함한다. 1 회이상의시퀀스의각각은, 플루오르카본가스를포함하고산소가스를포함하지않는처리가스의플라즈마를생성함으로써, 피처리체상에플루오르카본함유막을형성하는공정과, 플루오르카본함유막에포함되는플루오르카본의라디칼에의해제 1 영역을에칭하는공정을포함한다. 이방법에서는, 1 회이상의시퀀스와플루오르카본함유막의막 두께를저감시키는공정의교호의반복이실행된다.

Abstract translation: 一个实施例的方法包括执行一次或多次的序列的步骤以及通过多次执行序列而形成的含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。 各至少一次的序列的为氟，由包括碳气体和产生不包含氧气的处理气体的等离子体中，包含在处理目标图像的步骤中的氟，含氟的碳膜，形成包含碳氟化合物的膜 L 1，...，L 1，...，L 1。 在该方法中，进行一次或多次的序列的交替重复和降低含碳氟膜的膜厚度的步骤。

公开(公告)号：KR101912636B1

公开(公告)日：2018-10-29

申请号：KR1020120022341

申请日：2012-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베세이이치 ,  사토마나부 ,  나리시게카즈키 ,  사토타카노리 ,  가츠누마타카유키

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/3065

Abstract: 효율적으로다단의양호한형상의계단형상의구조를형성할수 있는반도체장치의제조방법및 컴퓨터기록매체를제공한다. 제 1 유전율의제 1 막과, 제 1 유전율과는상이한유전율의제 2 막이교호로적층된다층막과, 다층막의상층에위치하고에칭마스크로서기능하는포토레지스트층을가지는기판을에칭하여, 계단형상의구조를형성하는반도체장치의제조방법으로서, 포토레지스트층을마스크로서제 1 막을플라즈마에칭하는제 1 공정과, 수소함유플라즈마에포토레지스트층을노출하는제 2 공정과, 포토레지스트층을트리밍하는제 3 공정과, 제 3 공정에의해트리밍한포토레지스트층및 제 1 공정에서플라즈마에칭한제 1 막을마스크로서제 2 막을에칭하는제 4 공정을가지고, 제 1 공정내지제 4 공정을반복하여행함으로써, 다층막을계단형상의구조로한다.

公开(公告)号：KR1020150100522A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：KR1020150024040

申请日：2015-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타가이토케이지 ,  가츠누마타카유키 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C23C2/006 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/0212

Abstract: 산화 실리콘으로 구성된 영역을 에칭하는 방법이 제공된다. 일실시예의 방법은, 산화 실리콘으로 구성된 영역을 가지는 피처리체를 플루오르카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마에 노출시키는 공정(a)이며, 이 영역을 에칭하고, 또한 이 영역 상에 플루오르카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는, 이 공정(a)과, 상기 퇴적물에 포함되는 플루오르카본의 라디칼에 의해 상기 영역을 에칭 하는 공정(b)을 포함하고, 이 방법에서는 공정(a)과 공정(b)이 교호로 반복된다.

Abstract translation: 提供一种蚀刻由氧化硅酮构成的区域的方法。 本实施例的方法包括：（a）将具有由氧化硅构成的区域的物体暴露于包括碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的处理，并对该区域进行蚀刻并在该区域上形成包含碳氟化合物的沉积物; 和（b）由沉积物中所含的碳氟化合物的基团蚀刻该区域的工艺。 根据该方法，依次重复方法（a）和方法（b）。