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    에칭 방법
    1.
    发明授权
    에칭 방법 有权
    蚀刻方法

    公开(公告)号：KR101744625B1

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：KR1020150021607

    申请日：2015-02-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 토무라마주 ,  와타나베히카루 ,  카토타카히코 ,  혼다마사노부

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316

    CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76897

    Abstract: 산화실리콘으로구성된제 1 영역을질화실리콘으로구성된제 2 영역에대하여선택적으로에칭하는에칭방법이제공된다. 이에칭방법은공정(a)과공정(b)을포함한다. 공정(a)에서는, 플루오르카본가스의플라즈마에피처리체가노출되고, 제 2 영역상에제 1 영역상에형성되는보호막보다두꺼운보호막이형성된다. 공정(b)에서는, 플루오르카본가스의플라즈마에의해제 1 영역이에칭된다. 공정(a)에서는, 피처리체의온도가 60 ℃이상 250 ℃이하의온도로설정된다.

    Abstract translation: 提供了一种蚀刻方法，用于相对于由氮化硅构成的第二区域选择性地蚀刻由氧化硅构成的第一区域。 该方法包括步骤（a）和（b）。 在步骤（a）中，碳氟化合物气体的等离子表面处理过的物质被暴露，并且形成比在第二区域上的第一区域上形成的保护膜更厚的保护膜。 在步骤（b）中，碳氟化合物气体释放到等离子体中的区域1被蚀刻。 在步骤（a）中，待处理物体的温度设定为60℃以上且250℃以下的温度。

    에칭 방법
    2.
    发明公开
    에칭 방법 审中-实审
    蚀刻方法

    公开(公告)号：KR1020170093111A

    公开(公告)日：2017-08-14

    申请号：KR1020177012095

    申请日：2015-11-20

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 토무라마주 ,  가츠누마타카유키 ,  혼다마사노부

    IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

    CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01J37/321 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/535 ,  H01L2221/1063 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H05H1/46

    Abstract: 일실시형태의방법은, 1 회이상의시퀀스를실행하는공정과, 1 회이상의시퀀스의실행에의해형성된플루오르카본함유막의막 두께를저감시키는공정을포함한다. 1 회이상의시퀀스의각각은, 플루오르카본가스를포함하고산소가스를포함하지않는처리가스의플라즈마를생성함으로써, 피처리체상에플루오르카본함유막을형성하는공정과, 플루오르카본함유막에포함되는플루오르카본의라디칼에의해제 1 영역을에칭하는공정을포함한다. 이방법에서는, 1 회이상의시퀀스와플루오르카본함유막의막 두께를저감시키는공정의교호의반복이실행된다.

    Abstract translation: 一个实施例的方法包括执行一次或多次的序列的步骤以及通过多次执行序列而形成的含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。 各至少一次的序列的为氟，由包括碳气体和产生不包含氧气的处理气体的等离子体中，包含在处理目标图像的步骤中的氟，含氟的碳膜，形成包含碳氟化合物的膜 L 1，...，L 1，...，L 1。 在该方法中，进行一次或多次的序列的交替重复和降低含碳氟膜的膜厚度的步骤。

    에칭 처리 방법
    4.
    发明公开
    에칭 처리 방법 审中-实审
    蚀刻处理方法

    公开(公告)号：KR1020170140078A

    公开(公告)日：2017-12-20

    申请号：KR1020170066822

    申请日：2017-05-30

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 토무라마주 ,  쿠도진 ,  오오야요시노부

    IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/324 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

    CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

    Abstract: 마스크선택비를확보하면서, 실리콘함유막의에칭에있어서마스크의개구의폐색을회피하는것을목적으로한다. 기판의온도가 -35℃이하의극저온환경에있어서, 제 1 고주파전원으로부터제 1 고주파의전력을출력하고, 제 2 고주파전원으로부터상기제 1 고주파보다낮은제 2 고주파의전력을출력하고, 탄소, 수소및 불소를함유하는가스로이루어지는에칭가스에탄소원자수가 3 이상이되는하이드로카본가스를첨가하여플라즈마를생성하고, 실리콘산화막또는조성이상이한실리콘함유막을적층한적층막을에칭하는에칭처리방법이제공된다.

    Abstract translation: 本发明的目的是在确保掩模选择比的同时避免在含硅膜的蚀刻中掩模的开口堵塞。 在极低温的环境中的基板的低于-35℃的温度，所述第一高频电源的第一输出从高频电力，并输出第二低的第二高频电力比来自高频电源的第一无线电频率，和碳， 称为生成等离子体以由含有氢和氟添加烃气体的蚀刻气体的气体中的碳原子的蚀刻方法是三异常，并提供了一种通过层叠含硅膜的氧化硅膜或组合物异常薄膜层压材料。

    에칭 방법
    5.
    发明公开
    에칭 방법 有权
    蚀刻方法和等离子体处理装置

    公开(公告)号：KR1020150098197A

    公开(公告)日：2015-08-27

    申请号：KR1020150021607

    申请日：2015-02-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 토무라마주 ,  와타나베히카루 ,  카토타카히코 ,  혼다마사노부

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316

    CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/3065

    Abstract: 산화 실리콘으로 구성된 제 1 영역을 질화 실리콘으로 구성된 제 2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 에칭 방법이 제공된다. 이 에칭 방법은 공정(a)과 공정(b)을 포함한다. 공정(a)에서는, 플루오르카본 가스의 플라즈마에 피처리체가 노출되고, 제 2 영역 상에 제 1 영역 상에 형성되는 보호막보다 두꺼운 보호막이 형성된다. 공정(b)에서는, 플루오르카본 가스의 플라즈마에 의해 제 1 영역이 에칭된다. 공정(a)에서는, 피처리체의 온도가 60 ℃ 이상 250 ℃ 이하의 온도로 설정된다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种用于相对于由氮化硅构成的第二区域选择性地蚀刻由氧化硅组成的第一区域的蚀刻方法。 蚀刻方法包括方法（a）和方法（b）。 在工序（a）中，将被处理物暴露于碳氟化合物气体的等离子体中，在第二区域形成有比形成在第一区域上的保护膜更厚的保护膜。 在方法（b）中，第一区域被氟碳气体的等离子体蚀刻。 在（a）的处理中，待处理物体的温度设定在60〜250℃的范围内。

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