公开(公告)号：KR1020140092257A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：KR1020140004404

申请日：2014-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠누마타카유키 ,  혼다마사노부 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32477

Abstract: The present invention is provided to improve the ability to control a film thickness according to the temperature of a member. A plasma processing method includes: a film forming process, a plasma process, and a removal process. The film forming process forms a silicon oxide film on a surface of a member provided within a chamber with plasma of a silicon-containing gas without oxygen while controlling the temperature of the member to be lower than a temperature of another member. The plasma process performs a plasma process on a target object loaded into the chamber with plasma of a processing gas after the silicon oxide film is formed on the surface of the member. The removal process removes the silicon oxide film from the surface of the member with a fluorine-containing gas plasma after the target object on which the plasma process is performed, is unloaded to an outside of the chamber.

Abstract translation: 提供本发明以提高根据构件的温度来控制膜厚度的能力。 等离子体处理方法包括：成膜工艺，等离子体处理和去除工艺。 成膜工艺在设置在具有无氧的含硅气体的等离子体的室内的构件的表面上形成氧化硅膜，同时将构件的温度控制在低于另一构件的温度。 等离子体处理对于在该构件的表面上形成氧化硅膜之后的处理气体的等离子体，对装载到该室中的目标物体进行等离子体处理。 除去过程在执行等离子体处理的目标物体之后，用含氟气体等离子体从构件的表面除去氧化硅膜，卸载到室外。

公开(公告)号：KR101549264B1

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：KR1020090062557

申请日：2009-07-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3127

Abstract: 본발명의과제는, 처리대상의기판에대해, 반도체디바이스의소형화요구를만족시키는치수의개구부로서, 에칭대상막에전사하기위한개구부를마스크막또는중간막에형성하는기판처리방법을제공하는것이다. 해결수단으로서, 실리콘기재(50) 상에아모퍼스카본막(51), SiON막(52), 반사방지막(53) 및포토레지스트층(54)이차례로적층되고, 포토레지스트층(54)은, 반사방지막(53)의일부를노출시키는개구부(55)를갖는웨이퍼(Q)에있어서, 가스부착계수(S)가, S= 0.1 내지 1.0의증착성가스인 CHF으로부터생성된플라즈마에의해포토레지스트막(54)의개구부(55)의측벽면에증착물(66)을퇴적시켜서개구부(55)의개구폭을소정폭으로축소시키는개구폭축소단계를갖는다.

公开(公告)号：KR1020160117220A

公开(公告)日：2016-10-10

申请号：KR1020160035300

申请日：2016-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토유스케 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01J37/321 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

Abstract: 실리콘산화막및 실리콘질화막이교호로적층된제 1 영역, 및제 1 영역의실리콘산화막의막 두께보다큰 막두께를가지는실리콘산화막을가지는제 2 영역을동시에에칭하는방법을제공한다. 일실시형태의방법은, 피처리체가준비된플라즈마처리장치의처리용기내에서, 플루오르카본가스및 하이드로플루오르카본가스를포함하는제 1 처리가스의플라즈마를생성하는공정과, 플라즈마처리장치의처리용기내에서, 수소가스, 하이드로플루오르카본가스및 질소가스를포함하는제 2 처리가스의플라즈마를생성하는공정을포함한다. 이방법에서는, 제 1 처리가스의플라즈마를생성하는공정및 제 2 처리가스의플라즈마를생성하는공정이교호로반복된다.

Abstract translation: 提供了一种同时蚀刻其中氧化硅膜和氮化硅膜交替堆叠的第一区域和包括厚度大于第一区域的氧化硅膜的厚度的氧化硅膜的第二区域的方法。 该方法包括：在承载有加工对象物的等离子体处理装置的处理容器内产生含有碳氟化合物气体和氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体; 以及在所述等离子体处理装置的处理容器内产生含有氢气，氢氟烃气体和氮气的第二处理气体的等离子体。 此外，交替地重复第一处理气体的等离子体的产生和第二处理气体的等离子体的产生。

公开(公告)号：KR101937727B1

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：KR1020160035300

申请日：2016-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토유스케 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

公开(公告)号：KR1020140090162A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：KR1020147010840

申请日：2012-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠누마다카유키 ,  혼다마사노부 ,  구보타가즈히로 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 중앙부와 둘레가장자리부에서 에칭 형상을 균일화할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 챔버와, 그 챔버 내에 설치되어 피처리 웨이퍼가 배치되는 척과, 상기 척의 둘레가장자리부에 상기 웨이퍼의 배치 위치를 둘러싸도록 배치된 포커스 링과, 상기 웨이퍼의 직경 방향의 위치에 따라서 상이한 종류의 가스를 공급할 수 있는 가스 공급 기구를 구비한 플라즈마 에칭 장치를 이용하여 상기 웨이퍼를 포함하는 반도체 장치를 제조하는 제조 방법으로서, 유기막이 형성된 웨이퍼를 상기 척 상에 배치하고, 상기 처리 가스 공급 기구로부터, 상기 웨이퍼의 유기막을 에칭하는 에칭 가스를 상기 웨이퍼의 중앙부에 도입하며, 상기 처리 가스 공급 기구로부터, 상기 에칭 가스와 반응하는 성질을 갖는 에칭 저해 인자 가스를 상기 웨이퍼의 둘레가장자리부에 도입하고, 상기 에칭 가스를 이용하여 상기 웨이퍼를 플라즈마 에칭하는 것을 특징으로 한� ��.

公开(公告)号：KR102094833B1

公开(公告)日：2020-03-30

申请号：KR1020140004404

申请日：2014-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠누마타카유키 ,  혼다마사노부 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：KR1020160134537A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：KR1020160058079

申请日：2016-05-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토유스케 ,  이치카와히로노부 ,  다후사이사오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 본발명은에칭방법을제공한다. 일실시형태의에칭방법은플라즈마처리장치의처리용기내에서, 플루오로카본가스, 및하이드로플루오로카본가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마를생성하는제1 공정과, 처리용기내에서, 하이드로플루오로카본가스, 및질소가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마를생성하는제2 공정을포함한다. 이방법에서는제1 공정및 제2 공정을각각이포함하는복수회의시퀀스가실행된다. 이방법에서는제1 공정의실행기간및 제2 공정의실행기간에걸쳐서, 연속적으로플라즈마가생성된다. 제2 공정에서는제1 공정의실행기간의직전의기간및 제1 공정의실행기간의직후의기간에서, 제2 처리가스의유량에대한수소가스의유량의비율이, 낮은비율로설정된다.

Abstract translation: 一个实施例的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的处理容器中产生含有碳氟化合物气体和氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的第一步骤，以及产生第二处理气体的等离子体的第二步骤 在处理容器中含有氢氟烃气体和氮气。 在该方法中，执行包括第一步骤和第二步骤的序列。 在第一步骤的执行周期和第二步骤的执行周期中连续生成等离子体。 在第二步骤中，将氢气的流量与第二处理气体的流量的比例设定为在第一步骤的执行期间之前的时间段和执行期间之后的时间段内 第一步。

公开(公告)号：KR1020100007763A

公开(公告)日：2010-01-22

申请号：KR1020090062557

申请日：2009-07-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/0271

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method is provided to reduce the opening width of opening and to form opening pattern for transferring to an etched target film. CONSTITUTION: The amorphous carbon film(51), the SiON film(52), and the reflection preventing film(53) and photoresist layer(54) are successively laminated on the silicon based base(50). The photoresist layer has the opening(55). Opening exposes a part of the reflection barrier layer. CHF3 is the deposition gas. The gas attachment coefficient (S) of the deposition gas is 1.0 to 0.1.

Abstract translation: 目的：提供基板处理方法以减小开口的开口宽度并形成用于转印到蚀刻的目标薄膜上的开口图案。 构成：在硅基基体（50）上依次层叠无定形碳膜（51），SiON膜（52）以及防反射膜（53）和光致抗蚀剂层（54）。 光致抗蚀剂层具有开口（55）。 开口暴露了反射阻挡层的一部分。 CHF3是沉积气体。 沉积气体的气体附着系数（S）为1.0〜0.1。