公开(公告)号：KR1020160100847A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：KR1020160017030

申请日：2016-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시히로유키 ,  오기와라도모아키 ,  아베다쿠야 ,  도미타마사히코 ,  가츠키지로

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

Abstract: 본발명은산화막제거처리의스루풋을높여, 생산성을향상시킬수 있는기판처리방법을제공한다. 표면에폴리실리콘막(202)이형성된웨이퍼 W를챔버(40)에수용하고, 챔버(40) 내에불화수소가스와암모니아가스를공급하여폴리실리콘막(202)을반응생성물(AFS)로변질시키는 COR 공정과, 챔버(40) 내로의불화수소가스의공급을정지함과아울러챔버(40) 내에질소가스를공급하는것에의해, COR 공정에서생성한반응생성물을승화시켜웨이퍼 W로부터제거하는 PHT 공정을, 복수회반복하여실행한다.

Abstract translation: 能够通过提高氧化膜去除处理的生产率来提高生产率的基板加工方法。 一种在室（40）中接收在其表面上形成有多晶硅层（202）的晶片W并且向所述室（40）供应氟化氢气体和氨气以改变多晶硅层（202）的COR处理 ）和反应产物（AFS）的PHT过程，以及向室（40）供应氮气同时停止向室（40）供应氟化氢气体以使在COR过程中产生的反应产物升华的PHT过程，因此 从晶片W中除去反应产物重复多次。

公开(公告)号：KR101032518B1

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020087028017

申请日：2007-05-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠키지로 ,  다카하시데츠로 ,  이시즈카슈우이치

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/318 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L22/20 ,  G06F19/00 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L22/12 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/785

Abstract: 실리콘산질화막 및 그 하층에 잔존하는 실리콘 산화막의 합계 막두께 T
1 N을 계측하고, 피측정 기판을 재산화 처리하며, 재산화 처리 후에, 상기 피측정 기판의 상기 실리콘산질화막, 상기 실리콘 산화막 및 재산화 처리에 의해 형성된 실리콘 산화막의 합계 막두께 T
2 N을 계측하고, 별도로 실리콘 산화막이 형성된 비교용 기판을 재산화 처리하고, 재산화 처리 후에 비교용 기판의 실리콘 산화막 및 재산화 처리에 의해 형성된 실리콘 산화막의 합계 막두께 T
2 를 계측하고, 각 합계 막두께 T
1 N, T
2 N 및 T
2 로부터, 하기의 식 (1)에 의거하여 피측정 기판의 재산화 레이트 감소율 RORR을 산출하고, 산출된 재산화 레이트 감소율 RORR에 의거하여 피측정 기판의 실리콘산질화막중의 질소 농도를 결정한다.
RORR(%)={(T
2 -T
2 N)/(T
2 -T
1 N)}×100… (1)

公开(公告)号：KR101840923B1

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：KR1020160017030

申请日：2016-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시히로유키 ,  오기와라도모아키 ,  아베다쿠야 ,  도미타마사히코 ,  가츠키지로

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

Abstract: 본발명은산화막제거처리의스루풋을높여, 생산성을향상시킬수 있는기판처리방법을제공한다.표면에실리콘산화막(202)이형성된웨이퍼 W를챔버(40)에수용하고, 챔버(40) 내에불화수소가스와암모니아가스를공급하여실리콘산화막(202)을반응생성물(AFS)로변질시키는 COR 공정과, 챔버(40) 내로의불화수소가스의공급을정지함과아울러챔버(40) 내에질소가스를공급하는것에의해, COR 공정에서생성한반응생성물을승화시켜웨이퍼 W로부터제거하는 PHT 공정을, 복수회반복하여실행한다.

Abstract translation: 在其表面形成有氧化硅膜（202）的晶片（W）容纳在腔室（40）中，并将氟化氢（HF）气体引入腔室（40）中， 供应气体和氨气以将氧化硅膜202变为反应产物AFS的COR步骤和停止向腔室40中供应氟化氢气体并将氮气供应到腔室40中的步骤 使COR过程中产生的反应产物升华并将其从晶片W中除去的PHT过程被重复多次。

公开(公告)号：KR1020080111140A

公开(公告)日：2008-12-22

申请号：KR1020087028017

申请日：2007-05-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠키지로 ,  다카하시데츠로 ,  이시즈카슈우이치

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/318 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L22/20 ,  G06F19/00 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L22/12 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/785 ,  H01L21/02332

Abstract: The total film thickness (T1N) of silicon oxynitride film and silicon oxide film remaining as its underlying layer is measured. Measurement object substrate is re-oxidized, and, after the re-oxidization, the total film thickness (T2N) of the silicon oxynitride film, silicon oxide film and silicon oxide film resulting from the re-oxidization on the measurement object substrate is measured. Separately, a reference substrate provided with silicon oxide film is re-oxidized, and, after the re-oxidization, the total film thickness (T2) of the silicon oxide film and silicon oxide film resulting from the re-oxidization on the reference substrate is measured. Re-oxidization rate reduction ratio (RORR) of the measurement object substrate is calculated by the following formula (1) from the values of total film thickness T1N, T2N and T2. The nitrogen content of the silicon oxynitride film of the measurement object substrate is determined from the calculated re-oxidization rate reduction ratio (RORR). RORR(%) = {(T2-T2N)/(T2-T1N)}8100 (1). ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 测量作为其下层保留的氧氮化硅膜和氧化硅膜的总膜厚度（T1N）。 测量对象基板被再氧化，并且在再氧化之后，测量由测量对象基板上的再氧化产生的氧氮化硅膜，氧化硅膜和氧化硅膜的总膜厚度（T2N）。 另外，具有氧化硅膜的基准基板被再次氧化，再次氧化后，由于在基准基板上的再氧化而得到的氧化硅膜和氧化硅膜的总膜厚（T2）为 测量。 测量对象基板的再氧化率降低率（RORR）由总膜厚T1N，T2N和T2的值由下式（1）计算。 根据计算出的再氧化速率降低率（RORR）求出测定对象基板的氮氧化硅膜的氮含量。 RORR（％）= {（T2-T2N）/（T2-T1N）} 8100（1）。 ®KIPO＆WIPO 2009