公开(公告)号：KR101974715B1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：KR1020170056296

申请日：2017-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  무라카미세이시 ,  사쿠마다카시 ,  도미타마사히코 ,  기쿠치다카미치 ,  시미즈아키타케 ,  가마이시다카유키 ,  츠다에이노스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

公开(公告)号：KR1020160100847A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：KR1020160017030

申请日：2016-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시히로유키 ,  오기와라도모아키 ,  아베다쿠야 ,  도미타마사히코 ,  가츠키지로

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

Abstract: 본발명은산화막제거처리의스루풋을높여, 생산성을향상시킬수 있는기판처리방법을제공한다. 표면에폴리실리콘막(202)이형성된웨이퍼 W를챔버(40)에수용하고, 챔버(40) 내에불화수소가스와암모니아가스를공급하여폴리실리콘막(202)을반응생성물(AFS)로변질시키는 COR 공정과, 챔버(40) 내로의불화수소가스의공급을정지함과아울러챔버(40) 내에질소가스를공급하는것에의해, COR 공정에서생성한반응생성물을승화시켜웨이퍼 W로부터제거하는 PHT 공정을, 복수회반복하여실행한다.

Abstract translation: 能够通过提高氧化膜去除处理的生产率来提高生产率的基板加工方法。 一种在室（40）中接收在其表面上形成有多晶硅层（202）的晶片W并且向所述室（40）供应氟化氢气体和氨气以改变多晶硅层（202）的COR处理 ）和反应产物（AFS）的PHT过程，以及向室（40）供应氮气同时停止向室（40）供应氟化氢气体以使在COR过程中产生的反应产物升华的PHT过程，因此 从晶片W中除去反应产物重复多次。

公开(公告)号：KR101840923B1

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：KR1020160017030

申请日：2016-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시히로유키 ,  오기와라도모아키 ,  아베다쿠야 ,  도미타마사히코 ,  가츠키지로

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

Abstract: 본발명은산화막제거처리의스루풋을높여, 생산성을향상시킬수 있는기판처리방법을제공한다.표면에실리콘산화막(202)이형성된웨이퍼 W를챔버(40)에수용하고, 챔버(40) 내에불화수소가스와암모니아가스를공급하여실리콘산화막(202)을반응생성물(AFS)로변질시키는 COR 공정과, 챔버(40) 내로의불화수소가스의공급을정지함과아울러챔버(40) 내에질소가스를공급하는것에의해, COR 공정에서생성한반응생성물을승화시켜웨이퍼 W로부터제거하는 PHT 공정을, 복수회반복하여실행한다.

Abstract translation: 在其表面形成有氧化硅膜（202）的晶片（W）容纳在腔室（40）中，并将氟化氢（HF）气体引入腔室（40）中， 供应气体和氨气以将氧化硅膜202变为反应产物AFS的COR步骤和停止向腔室40中供应氟化氢气体并将氮气供应到腔室40中的步骤 使COR过程中产生的反应产物升华并将其从晶片W中除去的PHT过程被重复多次。

公开(公告)号：KR1020170131219A

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：KR1020170056296

申请日：2017-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  무라카미세이시 ,  사쿠마다카시 ,  도미타마사히코 ,  기쿠치다카미치 ,  시미즈아키타케 ,  가마이시다카유키 ,  츠다에이노스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67207

Abstract: 패턴바닥부의실리콘부분에형성된실리콘함유산화막을제거할때에 CD 로스를억제한다. 소정패턴이형성된절연막을가지며, 패턴의바닥부의실리콘부분에형성된실리콘함유산화막을갖는피처리기판에있어서, 실리콘함유산화막을제거하는산화막제거방법은, 절연막의패턴을포함하는전면에, 카본원료가스를이용한 ALD에의해카본계보호막을성막하는공정과, 절연막의상면과패턴의바닥부의상기카본계보호막을이방성플라즈마처리에의해선택적으로제거하는공정과, 패턴의바닥부에형성된상기실리콘함유산화막을에칭에의해제거하는공정과, 카본계보호막의잔존부분을제거하는공정을갖는다.

Abstract translation: 当形成在图案底部的硅部分上的含硅氧化物膜被去除时，CD损失被抑制。 前具有形成有规定图案的绝缘层，在具有形成在图案底部的硅部分的含硅氧化物膜的基材，用于去除含氧化硅膜，包括绝缘膜的图案的氧化物膜去除方法中，所述碳源气体 到形成在步骤含硅的氧化膜，除去上表面上的底部，并通过各向异性等离子处理的上述绝缘膜的图案选择性的基于碳的保护膜的步骤，以及用于使用通过ALD形成的基于碳的保护膜的图案底部 并去除剩余部分的碳基保护膜。