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公开(公告)号：KR102006519B1
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：KR1020147036571
申请日：2013-04-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/223
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公开(公告)号：KR1020150023504A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：KR1020147036571
申请日：2013-04-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/223
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C16/24 , C23C16/45538 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/3222 , H01J37/32266 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H01L21/0245 , H01L21/02576 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L21/2236 , H01L21/263 , H01L21/3003 , H01L21/67069 , H01L21/02315
Abstract: 일 실시형태의 플라즈마 처리 방법은, (a) 피처리 기체(基體) 상에 다결정 실리콘층을 성장시키는 공정과, (b) 다결정 실리콘층이 성장한 피처리 기체를 수용한 처리 용기 내에 수소를 함유하는 가스를 포함하는 처리 가스를 공급하고, 처리 용기 내에 마이크로파를 방사함으로써 수소 라디칼을 생성하며, 수소 라디칼에 다결정 실리콘층을 노출시키는 공정을 포함한다.
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公开(公告)号：KR102009923B1
公开(公告)日：2019-08-12
申请号：KR1020170068942
申请日：2017-06-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H05H1/46 , H01J37/32
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120059593A
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020127008193
申请日：2010-09-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/24
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J2237/3321 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H05H1/46
Abstract: 플라즈마 CVD법에 의해 양질인 결정성 규소막을 높은 성막 레이트로 성막하는 방법을 제공한다. 복수의 홀을 가지는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내로 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD 장치를 이용하고, 식 Si
n H
2n
＋2 (여기서, n은 2 이상의 수를 의미함)로 나타나는 규소 화합물을 포함하는 성막 가스를 상기 마이크로파에 의해 여기하여 플라즈마를 생성시키고, 상기 플라즈마를 이용하여 플라즈마 CVD를 행함으로써 피처리체의 표면에 결정성 규소막을 퇴적시킨다.-
公开(公告)号：KR1020170141117A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：KR1020170068942
申请日：2017-06-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H05H1/46 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/46 , C23C16/511 , C23C16/56 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/31 , H01L21/3105 , H01L21/475 , H01L29/518
Abstract: 저온에서의 CVD에의해성막된질화규소막이더라도원하는특성이되도록개질할수 있는질화규소막의처리방법을제공한다.기판상에플라즈마 CVD에의해성막된질화규소막의처리방법으로서, 질화규소막에마이크로파수소플라즈마를조사하여, 마이크로파수소플라즈마중의원자형상수소에의해질화규소막의표면부분의수소를제거하여그 부분을개질한다.
Abstract translation: 即使氮化硅膜通过CVD在低温下形成的，提供一种能够改性的这样的硅氮化物膜的处理方法，其所需的性能。作为氮化硅膜的处理方法成膜通过等离子体CVD法在基板上用氢等离子的微波照射的氮化硅膜 ，由形状微波氢等离子体以除去氢在氮化硅膜的表面部分中的氢原子被修饰成部分。
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公开(公告)号：KR1020150003756A
公开(公告)日：2015-01-09
申请号：KR1020147029714
申请日：2013-04-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/24 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC classification number: H01L29/66121 , C23C16/24 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B28/14 , C30B29/06 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/32449 , H01L21/0245 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/67207
Abstract: 일 실시형태의 플라즈마 처리 방법은, 피처리 기체 상에 다결정 실리콘층을 성장시키기 위한 플라즈마 처리 방법으로서, (a) 처리 용기 내에 피처리 기체를 준비하는 공정과, (b) 플라즈마 여기용의 마이크로파를 처리 용기 내에 도입하고, 실리콘을 함유한 원료 가스를 처리 용기 내에 도입하여, 피처리 기체 상에 다결정 실리콘층을 성장시키는 공정을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101250057B1
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020107005863
申请日：2009-02-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/3105 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28273 , H01L21/67167 , H01L21/76232 , H01L27/11521 , H01L29/66795
Abstract: 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 챔버 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하여, 챔버(1) 내에 희가스와 산소를 포함하는 처리 가스를 도입하고 평면 안테나(31)에 의해 마이크로파를 도입해서, 6.7 Pa 이상 267 Pa 이하의 범위 내의 압력 조건으로 O
2
+ 이온 및 O(
1 D
2 ) 라디칼이 주체인 플라즈마를 발생시켜, 그 플라즈마에 의해 절연막을 개질시킨다.-
公开(公告)号：KR1020100109893A
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：KR1020107005863
申请日：2009-02-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/3105 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28273 , H01L21/67167 , H01L21/76232 , H01L27/11521 , H01L29/66795
Abstract: 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 챔버 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하여, 챔버(1) 내에 희가스와 산소를 포함하는 처리 가스를 도입하고 평면 안테나(31)에 의해 마이크로파를 도입해서, 6.7 Pa 이상 267 Pa 이하의 범위 내의 압력 조건으로 O
2
+ 이온 및 O(
1 D
2 ) 라디칼이 주체인 플라즈마를 발생시켜, 그 플라즈마에 의해 절연막을 개질시킨다.
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