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公开(公告)号：KR100357313B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1019970010284
申请日：1997-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67173 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/7075 , G03F7/70866 , H01L21/67017 , H01L21/67178 , Y10S414/135
Abstract: A method of forming a resist on a substrate and processing the resist in a resist processing system having a processing region (10, 20, 40) and a non-processing region (4, 30) which are air-conditioned, the method comprising the steps of, transferring the substrate into the non-processing region, coating the resist on the substrate, exposing the coated resist, developing the exposed resist, subjecting the coated resist at least once, to heat treatment in a period from the transferring step (S1) to the developing step (S12), detecting at least once, the concentration of an alkaline component which causes defective resolution of the resist in a processing atmosphere in a period from the transferring step to the developing step, setting a threshold value for the concentration of the alkaline component in the processing atmosphere which causes the defective resolution of the resist, and controlling and changing at least one processing atmosphere in the steps (S1 to S12) in accordance with a detected concentration of the alkaline component and the threshold value.
Abstract translation: 一种在基板上形成抗蚀剂并且在具有空调的处理区域（10,20,40）和非处理区域（4,30）的抗蚀剂处理系统中处理抗蚀剂的方法，所述方法包括 将基板转印到非处理区域，在基板上涂布抗蚀剂，使涂布的抗蚀剂曝光，使曝光后的抗蚀剂显影，使涂布后的抗蚀剂至少进行一次热处理（S1 ）到显影步骤（S12），在从转印步骤到显影步骤的时间段内检测在处理气氛中导致抗蚀剂的分辨率有缺陷的碱性成分的浓度，至少一次检测浓度的阈值 在导致抗蚀剂分辨率不良的处理气氛中的碱性组分，以及在步骤（S1至S12）中根据以下步骤控制和改变至少一个处理气氛： 检测到的碱性成分的浓度和阈值。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1019980019186A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019970043252
申请日：1997-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 웨이퍼나 LCD기판과 같은 기판의 처리분위기를 제어하기 위한 공조기능을 구비한 기판 처리시스템에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
케미칼 필터를 이용하지 않고, 공기중에 포함되어 있는 미량의 알칼리성분을 효율적으로 제거할 수 있는 수명이 긴 기판 처리시스템을 제공하는 데 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
공조된 분위기하에서 기판을 처리하는 기판 처리시스템은, 기판(W)을 처리액으로 처리하는 액처리계 유니트(G1,G2,171,172,241∼244) 및 기판(W)을 가열하고 냉각하는 열처리계 유니트(G3,G4,245∼248) 중 적어도 어느 한쪽을 구비한 프로세스부(11,220)와, 이 프로세스부로 공기를 공급하기 위하여 프로세스부 보다 위쪽에 형성된 상부공간(62,262)과, 이 상부공간으로 공급되어야 할 공기로 부터 알칼리성분을 제거하여 공기를 정화하는 정화부(80,281,281A)와, 이 정화부 및 상기 상부공간의 각각으로 연이어 통하고, 상기 정화부를 통과한 공기의 온도 및 습도를 동시에 조정하는 온도습도 조정(140,301)부와, 이 온도습도 조정부로 부터 상기 상부공간으로 공기를 보내고, 상기 상부공간으로 부터 프로세스부 내로 공기를 하강시키며, 또 프로세스부 내를 하강하여 흐른 공� �� 중 적어도 일부를 상기 온도습도 조정부로 보내는 팬(151,152,263,307)을 구비하고 있다.
정화부(80,281,281A)는 시스템 외부로 연이어 통하는 챔버(81,282)와, 이 챔버 내에 시스템 외부로 부터 보충공기를 도입하는 공기보충수단(152)과, 이 챔버 내로 불순물 제거액을 분무하는 노즐(92,102,285)과, 이 분무된 순수한 물을 도입공기에 접촉시키기 위하여 챔버 내에 형성된 기액접촉부(90,100,298,299)와, 이 기액접촉부의 하류측에 배치되어, 기액접촉부를 통과한 기류중의 미스트형태의 순수한 물을 포착하는 미스트 트랩기구(91,94,101,104,291)를 구비하고 있다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD기판의 처리시스템으로서 이용한다.-
公开(公告)号：KR1019970067586A
公开(公告)日：1997-10-13
申请号：KR1019970010284
申请日：1997-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
고집적화 회로패턴을 가지는 반도체 디바이스의 제품수율을 향상시키고, 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
공조된 프로세스영역 및 비프로세스영역을 가지는 레지스트 처리시스템내에서 기판을 레지스트처리하는 방법으로, 외부로부터 비프로세스영역내에서 기판을 반입하는 공정과, 기판에 레지스트를 도포하는 공정과, 도포레지스트를 노광처리하는 공정과, 노광된 포토레지스트를 현상처리하는 공정과, 레지스트 도포공정으로부터 현상처리공정까지의 사이에 적어도 1회는 도포레지스트를 열처리하는 공정과, 기판반입공정으로부터 현상처리 공정까지의 사이에 적어도 1회는, 레지스트 처리시스템내의 처리분위기중에 있어서 레지스트의 해상불량의 원인이 되는 알칼리성분의 농도를 검출하는 공정과, 레지스트의 해상불량을 일으키는 레지스트 처리시스템내의 처리분위기중의 알칼리성분농도의 문턱치를 설정하는 공정과, 알칼리성분농도의 검출치 문턱치에 의거하여 상기 처리공정 중 적어도 하나의 처리분위기를 제어하는 공정을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼와 같은 기판에 포토 레지스트를 도포, 노광하고, 현상하는 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치에 사용됨.-
公开(公告)号：KR100458647B1
公开(公告)日：2005-06-13
申请号：KR1019970043252
申请日：1997-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: F24F3/161 , H01L21/67017 , H01L21/67178
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 웨이퍼나 LCD기판과 같은 기판의 처리분위기를 제어하기 위한 공조기능을 구비한 기판 처리시스템에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
케미칼 필터를 이용하지 않고, 공기중에 포함되어 있는 미량의 알칼리성분을 효율적으로 제거할 수 있는 수명이 긴 기판 처리시스템을 제공하는 데 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
공조된 분위기하에서 기판을 처리하는 기판 처리시스템은, 기판(W)을 처리액으로 처리하는 액처리계 유니트(G1,G2,171,172,241∼244) 및 기판(W)을 가열하고 냉각하는 열처리계 유니트(G3,G4,245∼248) 중 적어도 어느 한쪽을 구비한 프로세스부(11,220)와, 이 프로세스부로 공기를 공급하기 위하여 프로세스부 보다 위쪽에 형성된 상부공간(62,262)과, 이 상부공간으로 공급되어야 할 공기로 부터 알칼리성분을 제거하여 공기를 정화하는 정화부(80,281,281A)와, 이 정화부 및 상기 상부공간의 각각으로 연이어 통하고, 상기 정화부를 통과한 공기의 온도 및 습도를 동시에 조정하는 온도습도 조정(140,301)부와,
이 온도습도 조정부로 부터 상기 상부공간으로 공기를 보내고, 상기 상부공간으로 부터 프로세스부 내로 공기를 하강시키며, 또 프로세스부 내를 하강하여 흐른 공기 중 적어도 일부를 상기 온도습도 조정부로 보내는 팬(151,152,263,307)을 구비하고 있다.
정화부(80,281,281A)는 시스템 외부로 연이어 통하는 챔버(81,282)와,
이 챔버 내에 시스템 외부로 부터 보충공기를 도입하는 공기보충수단(152)과, 이 챔버 내로 불순물 제거액을 분무하는 노즐(92,102,285)과,
이 분무된 순수한 물을 도입공기에 접촉시키기 위하여 챔버 내에 형성된 기액접촉부(90,100,298,299)와, 이 기액접촉부의 하류측에 배치되어, 기액접촉부를 통과한 기류중의 미스트형태의 순수한 물을 포착하는 미스트 트랩기구(91,94,101,104,291)를 구비하고 있다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD기판의 처리시스템으로서 이용한다.
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