公开(公告)号：KR101594933B1

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：KR1020130058189

申请日：2013-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고모리카츠히코 ,  가키모토아키노부 ,  오카다미츠히로 ,  다카하시노부히로

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232

Abstract: (과제) 보이드나심의발생을억제할수 있는실리콘막의형성방법및 그의형성장치를제공한다. (해결수단) 실리콘막의형성방법은, 제1 성막공정과, 에칭공정과, 도프공정과, 제2 성막공정을구비하고있다. 제1 성막공정에서는, 피처리체의홈을매입하도록붕소를포함하는불순물이도프된실리콘막을성막한다. 에칭공정에서는, 제1 성막공정에서성막된실리콘막을에칭한다. 도프공정에서는, 에칭공정에서에칭된실리콘막을붕소를포함하는불순물로도프한다. 제2 성막공정에서는, 도프공정에서도프된실리콘막을매입하도록, 붕소를포함하는불순물이도프된실리콘막을성막한다.

公开(公告)号：KR101463073B1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：KR1020110110885

申请日：2011-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  고모리카츠히코 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/41766

Abstract: (과제) 매입 공정에 있어서의 스루풋을 향상할 수 있어, 매입 공정이 다용되는 반도체 집적 회로 장치라도, 우수한 생산 능력을 발휘하는 것이 가능한 성막 장치를 제공하는 것이다.
(해결 수단) 아미노실란계 가스를 공급하는 아미노실란계 가스 공급원(122) 및 아미노기를 포함하지 않는 실란계 가스를 공급하는 실란계 가스 공급원(121)을 구비하고, 아미노실란계 가스를 공급하여 상기 도전체에 이르는 개공을 가진 절연막의 표면 및, 상기 개공의 바닥의 표면에 시드층을 형성하는 처리 및, 아미노기를 포함하지 않는 실란계 가스를 공급하여 시드층 상에 실리콘막을 형성하는 처리를, 1개의 처리실 내(101)에 있어서 순차로 행한다.

公开(公告)号：KR1020130133672A

公开(公告)日：2013-12-09

申请号：KR1020130058189

申请日：2013-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고모리카츠히코 ,  가키모토아키노부 ,  오카다미츠히로 ,  다카하시노부히로

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232

Abstract: Provided are a method for forming a silicon film and a device thereof capable of preventing the generation of void generation or seam generation. The method for forming the silicon film comprises a first evaporation process, an etching process, a doping process, and a second evaporation process. The first evaporation process evaporates a silicon film which an impurity including boron is doped to fill a groove of a processed object. The etching process etches the silicon film which is evaporated in the first evaporation process. The doping process dopes the silicon film which is etched in the etching process with the impurity including the boron. The second evaporation process evaporates the silicon film which the impurity is doped in order to fill the silicon film which is doped in the doping process. [Reference numerals] (AA) Temperature (°C);(BB) Pressure (Pa);(CC) Load process;(DD) Stabilization process;(EE) First evaporation process;(FF,II) Purge/stabilization process;(GG) Etching process;(HH) Doping process;(JJ) Second evaporation process;(KK) Purge process;(LL) Unload process

Abstract translation: 提供一种形成硅膜的方法及其能够防止产生空隙产生或缝合产生的装置。 形成硅膜的方法包括第一蒸发工艺，蚀刻工艺，掺杂工艺和第二蒸发工艺。 第一蒸发过程蒸发掺杂包括硼的杂质以填充被处理物体的凹槽的硅膜。 蚀刻工艺蚀刻在第一蒸发过程中蒸发的硅膜。 掺杂工艺将包含硼的杂质在蚀刻工艺中被蚀刻的硅膜掺杂。 第二蒸发过程蒸发掺杂杂质的硅膜，以填充在掺杂过程中掺杂的硅膜。 （AA）温度（℃）;（BB）压力（Pa）;（CC）负载过程;（DD）稳定过程;（EE）第一蒸发过程;（FF，II）清洗/稳定过程; （GG）蚀刻过程;（HH）掺杂过程;（JJ）第二次蒸发过程;（KK）吹扫过程;（LL）卸载过程

公开(公告)号：KR1020120047806A

公开(公告)日：2012-05-14

申请号：KR1020110110885

申请日：2011-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  고모리카츠히코 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/41766

Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus is provided to easily form a silicon film on a seed layer by supplying silane gas which does not include an amino group within a process chamber and to improve throughput. CONSTITUTION: A process chamber(101) accepts a processed body. An insulating layer having an aperture is formed in the process chamber. An inactive gas supply source(115) supplies the inactive gas. A silane gas supply source(121) supplies silane gas which does not include an amino group. An amino-silane group gas source(122) supplies amino-silane group gas. A seed layer is formed on the surface of the insulating layer having the aperture and the surface of the bottom of the aperture by supplying the amino-silane group gas to the inner side of the process chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过在处理室内供给不含氨基的硅烷气体，提高生产能力，在籽晶层上容易地形成硅膜。 构成：处理室（101）接受处理体。 在处理室中形成具有孔的绝缘层。 非活性气体供应源（115）供应惰性气体。 硅烷气体供给源（121）供给不包含氨基的硅烷气体。 氨基硅烷基气体源（122）供应氨基硅烷基气体。 通过将氨基硅烷基气体供给到处理室的内侧，在具有孔径和孔底部表面的绝缘层的表面上形成晶种层。