公开(公告)号：KR101269937B1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020117004274

申请日：2009-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  고모토신지 ,  이와사키마사히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  Y10T137/7837

Abstract: 플라즈마처리장치(11)는, 배기공(13)으로부터하방측으로연장되는제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의배기방향의하류측단부(端部)에접속되어있고, 제1 배기로(15)와수직인방향으로연장되며, 배기방향에대하여직교하는단면에있어서상하방향보다도폭 방향이긴 횡장단면형상의제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의배기방향의하류측단부에접속되어있고, 제2 배기로(16)와수직인방향으로연장되는제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의배기방향의하류측단부에접속되어있고, 처리용기(12) 내를감압하는펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에설치되어있고, 제2 배기로(16)를폐쇄가능하여, 배기방향의상류측과하류측과의압력을조정하는압력조정용밸브플레이트(20)를갖는압력조정밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에설치되어있고, 제3 배기로(17)의개폐를행하는셧오프밸브플레이트(22)를갖는셧오프밸브(23)를구비한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置设置有从排气孔向下延伸的第一排气路径; 第二排气通道，其沿着排气方向连接到第一排气通路的下游端部，并且沿与第一排气通路延伸的方向垂直的方向延伸，其横截面与排气通道 方向为水平长，使得宽度方向长度大于横截面中的垂直长度; 第三排气通道，其沿排气方向连接到第二排气路径的下游端部，并且沿与第二排气通路延伸的方向垂直的方向延伸; 泵，其在排气方向上连接到第三排气路径的下游端部，并且减压处理容器的内部; 设置在第二排气路径中的压力控制阀，包括能够关闭第二排气通路并控制排气方向上游侧和下游侧的压力的压力控制阀板; 以及截止阀，其设置在所述第三排气路径中并且包括打开和关闭所述第三排气路径的截止阀板。

公开(公告)号：KR1020110033948A

公开(公告)日：2011-04-01

申请号：KR1020117004274

申请日：2009-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  고모토신지 ,  이와사키마사히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  Y10T137/7837

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 배기공(13)으로부터 하방측으로 연장되는 제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의 배기 방향의 하류측 단부(端部)에 접속되어 있고, 제1 배기로(15)와 수직인 방향으로 연장되며, 배기 방향에 대하여 직교하는 단면에 있어서 상하 방향보다도 폭 방향이 긴 횡장 단면 형상의 제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 제2 배기로(16)와 수직인 방향으로 연장되는 제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 처리 용기(12) 내를 감압하는 펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에 설치되어 있고, 제2 배기로(16)를 폐쇄 가능하여, 배기 방향의 상류측과 하류측과의 압력을 조정하는 압력 조정용 밸브 플레이트(20)를 갖는 압력 조정 밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에 설치되어 있고, 제3 배기� ��(17)의 개폐를 행하는 셧오프 밸브 플레이트(22)를 갖는 셧오프 밸브(23)를 구비한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置设置有从排气孔向下延伸的第一排气路径; 第二排气通道，其沿着排气方向连接到第一排气通路的下游端部，并且沿与第一排气通路延伸的方向垂直的方向延伸，其横截面与排气通道 方向为水平长，使得宽度方向长度大于横截面中的垂直长度; 第三排气通道，其沿排气方向连接到第二排气路径的下游端部，并且沿与第二排气通路延伸的方向垂直的方向延伸; 泵，其在排气方向上连接到第三排气路径的下游端部，并且减压处理容器的内部; 设置在第二排气路径中的压力控制阀，包括能够关闭第二排气通路并控制排气方向上游侧和下游侧的压力的压力控制阀板; 以及截止阀，其设置在所述第三排气路径中并且包括打开和关闭所述第三排气路径的截止阀板。

公开(公告)号：KR101084493B1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：KR1020090019837

申请日：2009-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고모토신지 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67126 ,  Y10S251/90 ,  Y10S414/135

Abstract: (과제) 봉지 부재(sealing member)의 열화에 의한 시일성(sealability)의 저하 및 파티클의 발생을 방지하여, 가동률을 유지할 수 있는 게이트 밸브 및 반도체 제조 장치를 제공한다.
(해결 수단) 반도체 제조 장치의 프로세스 처리가 행해지는 처리 유닛(10)과 프로세스 처리가 행해지는 웨이퍼를 반송하는 반송실(8)과의 사이에 형성되는 게이트 밸브(20)로서, 처리 유닛(10)측의 게이트 밸브(20a)와, 처리 유닛(10)측의 게이트 밸브(20a)에 구비한 O링(34a)과, 반송실(8)측의 게이트 밸브(20b)와, 반송실(8)측의 게이트 밸브(20b)에 구비한 O링(34b)과, 처리 유닛(10)측의 게이트 밸브(20a)와 반송실(8)측의 게이트 밸브(20b)와의 사이에 단열재(30)를 구비한다.
게이트 밸브, 봉지 부재, O 링

公开(公告)号：KR1020090110854A

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：KR1020097016989

申请日：2008-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후키아게노리아키 ,  고모토신지 ,  다카바히로유키 ,  이시바시키요타카

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: A method of cleaning a plasma-treating apparatus including a treating vessel (32) which is capable of evacuation and in which a work (W) is treated with a plasma. The method comprises: a first cleaning step in which a plasma is generated while supplying a cleaning gas to the treating vessel and the pressure inside the treating vessel is kept at a first pressure to thereby clean the vessel; and a second cleaning step in which a plasma is generated while supplying a cleaning gas to the treating vessel and the pressure inside the treating vessel is kept at a second pressure higher than the first pressure to clean the vessel. The treating vessel is efficiently and rapidly cleaned without damaging the inner wall surface of the treating vessel or the member(s) present in the vessel.

Abstract translation: 一种清洗等离子体处理装置的方法，该等离子体处理装置包括能够抽真空的处理容器（32），其中用等离子体处理工件（W）。 该方法包括：第一清洗步骤，其中在向处理容器提供清洁气体时产生等离子体，并且处理容器内的压力保持在第一压力下，从而清洁容器; 以及第二清洗步骤，其中在向处理容器提供清洁气体时产生等离子体，并且处理容器内部的压力保持在高于第一压力的第二压力以清洁容器。 处理容器被有效且快速地清洁，而不会损坏处理容器的内壁表面或存在于容器中的构件。

公开(公告)号：KR101318917B1

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：KR1020127026493

申请日：2009-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  고모토신지 ,  이와사키마사히데

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  Y10T137/7837

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 배기공(13)으로부터 하방측으로 연장되는 제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의 배기 방향의 하류측 단부(端部)에 접속되어 있고, 제1 배기로(15)와 수직인 방향으로 연장되며, 배기 방향에 대하여 직교하는 단면에 있어서 상하 방향보다도 폭 방향이 긴 횡장 단면 형상의 제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 제2 배기로(16)와 수직인 방향으로 연장되는 제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 처리 용기(12) 내를 감압하는 펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에 설치되어 있고, 제2 배기로(16)를 폐쇄 가능하여, 배기 방향의 상류측과 하류측과의 압력을 조정하는 압력 조정용 밸브 플레이트(20)를 갖는 압력 조정 밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에 설치되어 있고, 제3 배기로(17)의 개폐를 행하는 셧오프 밸브 플레이트(22)를 갖는 셧오프 밸브(23)를 구비한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置设置有从排气孔向下延伸的第一排气路径; 第二排气通道，其沿着排气方向连接到第一排气通路的下游端部，并且沿与第一排气通路延伸的方向垂直的方向延伸，其横截面与排气通道 方向为水平长，使得宽度方向长度大于横截面中的垂直长度; 第三排气通道，其沿排气方向连接到第二排气路径的下游端部，并且沿与第二排气通路延伸的方向垂直的方向延伸; 泵，其在排气方向上连接到第三排气路径的下游端部，并且减压处理容器的内部; 设置在第二排气路径中的压力控制阀，包括能够关闭第二排气通路并控制排气方向上游侧和下游侧的压力的压力控制阀板; 以及截止阀，其设置在所述第三排气路径中并且包括打开和关闭所述第三排气路径的截止阀板。

公开(公告)号：KR1020120127544A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020127026493

申请日：2009-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  고모토신지 ,  이와사키마사히데

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  Y10T137/7837

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 배기공(13)으로부터 하방측으로 연장되는 제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의 배기 방향의 하류측 단부(端部)에 접속되어 있고, 제1 배기로(15)와 수직인 방향으로 연장되며, 배기 방향에 대하여 직교하는 단면에 있어서 상하 방향보다도 폭 방향이 긴 횡장 단면 형상의 제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 제2 배기로(16)와 수직인 방향으로 연장되는 제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 처리 용기(12) 내를 감압하는 펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에 설치되어 있고, 제2 배기로(16)를 폐쇄 가능하여, 배기 방향의 상류측과 하류측과의 압력을 조정하는 압력 조정용 밸브 플레이트(20)를 갖는 압력 조정 밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에 설치되어 있고, 제3 배기로(17)의 개폐를 행하는 셧오프 밸브 플레이트(22)를 갖는 셧오프 밸브(23)를 구비한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置设置有从排气孔向下延伸的第一排气路径; 第二排气通道，其沿着排气方向连接到第一排气通路的下游端部，并且沿与第一排气通路延伸的方向垂直的方向延伸，其横截面与排气通道 方向为水平长，使得宽度方向长度大于横截面中的垂直长度; 第三排气通道，其沿排气方向连接到第二排气路径的下游端部，并且沿与第二排气通路延伸的方向垂直的方向延伸; 泵，其在排气方向上连接到第三排气路径的下游端部，并且减压处理容器的内部; 设置在第二排气路径中的压力控制阀，包括能够关闭第二排气通路并控制排气方向上游侧和下游侧的压力的压力控制阀板; 以及截止阀，其设置在所述第三排气路径中并且包括打开和关闭所述第三排气路径的截止阀板。

公开(公告)号：KR101153330B1

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：KR1020097016989

申请日：2008-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후키아게노리아키 ,  고모토신지 ,  다카바히로유키 ,  이시바시키요타카

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: 진공흡인가능하게이루어진처리용기(32) 내에서피(被)처리체(W)에대하여플라즈마를이용하여플라즈마처리를행하도록한 플라즈마처리장치의클리닝방법에있어서, 처리용기내로클리닝가스를공급하면서플라즈마를발생시켜처리용기내를제1 압력으로유지하여클리닝을행하는제1 클리닝공정과, 처리용기내로클리닝가스를공급하면서플라즈마를발생시켜처리용기내를제1 압력보다도높은제2 압력으로유지하여클리닝을행하는제2 클리닝공정을갖는다. 이에따라, 처리용기의내벽면이나처리용기내의부재에손상을주는일 없이, 클리닝을효율적으로, 그리고신속하게행한다.

公开(公告)号：KR1020090097802A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：KR1020090019837

申请日：2009-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고모토신지 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67126 ,  Y10S251/90 ,  Y10S414/135

Abstract: A gate valve and a manufacturing apparatus of a semiconductor are provided to improve availability ratio of a semiconductor manufacturing apparatus by preventing generation of a particle due to deterioration of a sealing member. A process is performed in a process room(10). A transfer room(8) transfers a substrate to be processed. A gate valve of a process room side opens and closes an opening part of the process room side. A sealing member seals a gap between the opening part of the process room and a valve body of the gate valve of the process room side. A gate valve(20) of a transfer room side opens and closes an opening part of a transfer room side. An insulating material(30) prevents thermal conduction between the gate valve of the process room side and the gate valve of the transfer room side.

Abstract translation: 提供了一种闸阀和半导体制造装置，以通过防止由于密封件的劣化而产生颗粒而提高半导体制造装置的可用率。 在处理室（10）中执行处理。 转运室（8）转移待处理的基板。 处理室侧的闸阀打开和关闭处理室侧的开口部。 密封构件密封处理室的开口部分与处理室侧的闸阀的阀体之间的间隙。 转移室侧的闸阀（20）打开和关闭转移室侧的开口部。 绝缘材料（30）防止处理室侧的闸阀与转移室侧的闸阀之间的热传导。