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    융기 특징부 상에 고도의 형상적응 비정질 카본 필름의 증착 방법
    1.
    发明公开
    융기 특징부 상에 고도의 형상적응 비정질 카본 필름의 증착 방법 审中-实审
    沉积高性能不规则碳膜的方法

    公开(公告)号：KR1020130022378A

    公开(公告)日：2013-03-06

    申请号：KR1020120091781

    申请日：2012-08-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카바히로유키

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/02115 ,  B82Y10/00 ,  C23C16/26 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L51/0045

    Abstract: PURPOSE: A method for depositing a highly conformal amorphous carbon film on raised features is provided to improve a film deposition rate on the side of a substrate by preventing a crack of an amorphous carbon film in the bottom of a sidewall of the substrate using process gas pressure over 1 Torr. CONSTITUTION: A raised feature with a peak(105) and a sidewall(103) and a substrate with a field surface(107) are formed on a substrate holder in a process chamber. Process gas with hydrocarbon gas, oxygen containing gas, and argon or helium is inputted to the process chamber. Process gas pressure over 1 Torr is maintained in the process chamber. Plasma is generated from the process gas by using a microwave plasma source. A conformal amorphous carbon film(108) is deposited on the surface of the raised feature by exposing the substrate to the plasma.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于在凸起特征上沉积高保形非晶碳膜的方法，以通过使用工艺气体防止衬底的侧壁底部的无定形碳膜的裂纹来提高衬底侧的膜沉积速率 压力超过1乇。 构成：在处理室中的衬底保持器上形成具有峰（105）和侧壁（103）的凸起特征以及具有场表面（107）的衬底。 将具有烃气体，含氧气体和氩气或氦气的处理气体输入到处理室。 处理室中保持超过1乇的工艺气体压力。 通过使用微波等离子体源从工艺气体产生等离子体。 通过将衬底暴露于等离子体，将共形无定形碳膜（108）沉积在凸起特征的表面上。

    피처리 기체를 에칭하는 방법 및 플라즈마 에칭 장치
    2.
    发明公开
    피처리 기체를 에칭하는 방법 및 플라즈마 에칭 장치 审中-实审
    用于基板处理的蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

    公开(公告)号：KR1020150018499A

    公开(公告)日：2015-02-23

    申请号：KR1020147027948

    申请日：2013-04-10

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카바히로유키

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

    Abstract: 일 실시형태에서, 피처리 기체를 에칭하는 방법은, (a1) 피처리 기체를 수용한 처리 용기 내에 에천트 가스를 공급하는 공정과, (b1) 처리 용기 내를 배기하는 공정과, (c1) 처리 용기 내에 희가스를 공급하는 공정과, (d1) 처리 용기 내에 마이크로파를 공급하여 처리 용기 내에서 희가스의 플라즈마를 여기하는 공정을 포함한다. 에천트 가스를 공급하는 공정, 배기하는 공정, 희가스를 공급하는 공정 및 희가스의 플라즈마를 여기하는 공정을 포함하는 일련의 공정이 반복되어도 좋다.

    Abstract translation: 在本发明的一个实施例中，用于待处理衬底的蚀刻方法包括：（a1）将处理容器中的蚀刻剂气体与容纳待处理衬底相比较的步骤; （b1）处理容器的内部被抽真空的步骤; （c1）向处理容器供给惰性气体的工序; 和（d1）将微波供给到处理容器中以激发处理容器内的惰性气体的等离子体的步骤。 可以重复包括供给蚀刻剂气体的供给蚀刻剂的步骤，排气步骤，供给惰性气体的步骤以及激发稀有气体的等离子体的步骤的顺序方法。

    마이크로파 플라즈마를 사용한 유전체 막의 증착 방법
    7.
    发明公开
    마이크로파 플라즈마를 사용한 유전체 막의 증착 방법 审中-实审
    使用微波等离子体沉积介质膜的方法

    公开(公告)号：KR1020130135262A

    公开(公告)日：2013-12-10

    申请号：KR1020137014449

    申请日：2011-10-28

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카바히로유키

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315

    Abstract: 본 발명의 실시예는 반도체 장치를 위한 유전체 막을 형성하는 방법을 설명한다. 본 방법은, 마이크로파 플라즈마 소스를 포함하는 처리 챔버 내에 기판을 제공하는 단계, 탄소-질소 분자간 결합을 갖는 증착 가스를 포함하는 비금속 포함 처리 가스를 상기 처리 챔버에 도입하는 단계, 상기 처리 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계, 및 상기 기판 상에 탄소-질소 포함 막을 증착하기 위해 상기 기판을 상기 플라즈마에 노출하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에서, 탄소-질소 포함 막은 CN 막, CNO 막, Si 도핑된 CN 막, 또는 Si 도핑된 CNO 막을 포함할 수 있다.

    플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법, 그 클리닝 방법을 실행하는 플라즈마 처리 장치 및 그 클리닝 방법을 실행하는 프로그램을 기억하는 기억 매체
    8.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법, 그 클리닝 방법을 실행하는 플라즈마 처리 장치 및 그 클리닝 방법을 실행하는 프로그램을 기억하는 기억 매체 有权
    清洁等离子体处理装置的方法，实施清洁方法的等离子体处理装置以及执行清洁方法的记忆介质程序

    公开(公告)号：KR1020090110854A

    公开(公告)日：2009-10-22

    申请号：KR1020097016989

    申请日：2008-02-18

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 후키아게노리아키 ,  고모토신지 ,  다카바히로유키 ,  이시바시키요타카

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306

    CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

    Abstract: A method of cleaning a plasma-treating apparatus including a treating vessel (32) which is capable of evacuation and in which a work (W) is treated with a plasma. The method comprises: a first cleaning step in which a plasma is generated while supplying a cleaning gas to the treating vessel and the pressure inside the treating vessel is kept at a first pressure to thereby clean the vessel; and a second cleaning step in which a plasma is generated while supplying a cleaning gas to the treating vessel and the pressure inside the treating vessel is kept at a second pressure higher than the first pressure to clean the vessel. The treating vessel is efficiently and rapidly cleaned without damaging the inner wall surface of the treating vessel or the member(s) present in the vessel.

    Abstract translation: 一种清洗等离子体处理装置的方法，该等离子体处理装置包括能够抽真空的处理容器（32），其中用等离子体处理工件（W）。 该方法包括：第一清洗步骤，其中在向处理容器提供清洁气体时产生等离子体，并且处理容器内的压力保持在第一压力下，从而清洁容器; 以及第二清洗步骤，其中在向处理容器提供清洁气体时产生等离子体，并且处理容器内部的压力保持在高于第一压力的第二压力以清洁容器。 处理容器被有效且快速地清洁，而不会损坏处理容器的内壁表面或存在于容器中的构件。

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
    10.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 审中-实审
    等离子体加工设备和等离子体处理方法

    公开(公告)号：KR1020150117227A

    公开(公告)日：2015-10-19

    申请号：KR1020150050226

    申请日：2015-04-09

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카바히로유키 ,  니시즈카데츠야 ,  마츠모토나오키 ,  아이타미치타카 ,  미나카와다카시 ,  다카하시가즈키 ,  요시카와준 ,  후쿠도메모토시 ,  미하라나오키 ,  곤도히로유키

    IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/3222

    Abstract: [과제] 피처리체상에서의가스의체류를억제하는플라즈마처리장치를제공한다. [해결수단] 플라즈마처리장치는, 처리용기, 배치대, 중앙도입부및 주변도입부를갖고있다. 중앙도입부는, 배치대의상측에설치되어있으며, 배치대의중심을지나는축선을따라서상기배치대를향해가스를도입한다. 주변도입부는, 높이방향에서, 중앙도입부와배치대의상면의사이에설치되어있다. 또한, 주변도입부는측벽을따라서형성되어있다. 주변도입부는, 축선에대하여둘레방향으로배열된복수의가스토출구를제공하고있다. 주변도입부의복수의가스토출구는, 축선에근접함에따라서배치대로부터멀어지도록뻗어있다.

    Abstract translation: [主题]提供一种等离子体处理装置，其抑制加工对象上的气体停留。 [等离子体处理装置]包括处理容器，排列台，中央导入部以及周围的引导部。 中心引导部分安装在排列台的上部，并将气体沿着与排列台的中心相交的轴线与排列台一起引入。 周围引导部分在高度方向上安装在中心引入部分和布置台的上部之间。 此外，周围的引入部分与侧壁一起形成。 周围引入部分沿着轴线的周向设置多个排气孔。 随着排气孔越靠近轴线，周围导入部分的气体排放孔越靠近布置台。

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