-
公开(公告)号：KR101924678B1
公开(公告)日：2018-12-03
申请号：KR1020150179055
申请日：2015-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 탄소 원자를 함유하는 하지막의 막 두께의 감소를 억제하면서, 하지막 위에 소정 두께의 질화막을 형성한다.
성막 장치의 처리 용기 내에 배치되며, 탄소 원자를 함유하는 탄소 함유막을 갖는 기판 상에, 질화막을 형성하는 성막 방법으로서, 수소 원자를 포함하지 않는 질화종의 가스와 불활성 가스를 포함하는 제1 반응 가스의 플라즈마에 의해, 탄소 함유막 상에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 포함한다.-
公开(公告)号：KR101029286B1
公开(公告)日：2011-04-18
申请号：KR1020067003476
申请日：2004-08-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 후키아게노리아키
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/5096 , H01L21/0276
Abstract: 본 발명은 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition)에 의해 조정 가능한 광학적 특성 및 에칭 저항 특성을 이용하여 기판 상에 막을 증착하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다. 챔버는 플라스마 공급원과, RF 공급원에 결합된 기판 홀더를 구비한다. 기판은 기판 홀더 상에 배치되어 있다. TERA층은 기판 상에 증착되어 있다. RF 공급원에 의해 제공된 RF 전력의 양은 TERA층의 적어도 일부의 증착 속도가 RF 전력이 기판 홀더에 인가되지 않을 때보다 더 크게 되도록 선택된다.
-
公开(公告)号：KR1020100002078A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020090022100
申请日：2009-03-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: PURPOSE: A deposition source, a film forming apparatus, and a film forming method are provided to manufacture a liquid crystal display and form an organic film. CONSTITUTION: A deposition source comprises a material container(200), a heating member(105), a pressing member(115) and an elastic member. The container contains materials. The heating member heats the material accepted in the material container. The pressing member has a flat board in which a plurality of through-holes are formed. A pressing surface of the flat board presses the material accepted in the material container. The pressing member passes the material particles vaporized with the heating of the upper heating member through the through-holes. The elastic member releases the pressure of the pressing member on the material.
Abstract translation: 目的：提供沉积源，成膜装置和成膜方法来制造液晶显示器并形成有机膜。 构成：沉积源包括材料容器（200），加热构件（105），按压构件（115）和弹性构件。 容器包含材料。 加热构件加热材料容器中接受的材料。 按压构件具有形成有多个通孔的平板。 平板的按压面压迫容纳在材料容器中的材料。 按压构件使通过上述加热构件的加热而蒸发的材料粒子通过贯通孔。 弹性构件释放材料上的按压构件的压力。
-
公开(公告)号：KR1020090116823A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：KR1020097020606
申请日：2008-02-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C14/545 , C23C14/228 , C23C14/246 , C23C14/56 , H01L51/001 , H01L51/5012
Abstract: [PROBLEMS] To accurately control a film forming speed. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A control apparatus (700) is provided for a deposition apparatus (100) which performs film forming process to a substrate (G) by using a film forming material evaporated at a deposition source (110). A storage section (710) of the control apparatus (700) stores a plurality of tables indicating relationships between the film forming speeds and carrier gas flow quantities. A table selecting section (750) selects a desired table from among the tables stored in the storage section (710), based on process conditions. A film formation controller (200) obtains a film forming speed for the substrate (G), based on a signal outputted from a QCM (180) for detecting the evaporating speed of the film forming material. A carrier gas adjusting section (760) uses data on the relationships between the film forming speeds and the carrier gas flow quantities indicated on the table stored in the storage section (710), and adjusts the flow quantity of the carrier gas to obtain a desired film forming speed, corresponding to the deviation between the film forming speed obtained by the film forming controller (200) and a target film forming speed.
Abstract translation: [问题]精确地控制成膜速度。 解决问题的手段对于通过使用在沉积源（110）蒸发的成膜材料对基板（G）进行成膜处理的沉积设备（100），设置有控制装置（700）。 控制装置（700）的存储部（710）存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表。 表格选择部分（750）基于处理条件从存储在存储部分（710）中的表格中选择期望的表格。 成膜控制器（200）基于从用于检测成膜材料的蒸发速度的QCM（180）输出的信号，获得基板（G）的成膜速度。 载气调整部（760）使用关于成膜速度与存储在存储部（710）中的工作台上指示的载气流量之间的关系的数据，调整载气的流量，得到期望的 成膜速度对应于由成膜控制器（200）获得的成膜速度与目标成膜速度之间的偏差。
-
公开(公告)号：KR100382387B1
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020007005354
申请日：1998-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 후키아게노리아키
IPC: H01L21/314
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/30 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3105 , H01L21/3127 , H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76829
Abstract: In a case where a CF film is used as an interlayer dielectric film of a semiconductor device, when a wiring of tungsten is formed, the CF film is heated to a temperature of, e.g., about 400 to 450 DEG C. At this time, F gases are desorbed from the CF film, so that there are various disadvantages due to the corrosion of the wiring and the decrease of film thickness. In order to prevent this, thermostability is enhanced. A compound gas of C and F, e.g., C4F8 gas, and a hydrocarbon gas, e.g., C2H4 gas, are used as thin film deposition gases. These gases are activated as plasma to deposit a CF film on a semiconductor wafer 10 using active species thereof. Then, Ar gas serving as a sputtering gas is introduced to be activated as plasma, and the CF film deposited on the wafer 10 is sputtered with the Ar plasma. If the thin-film deposition process and the sputtering process are alternately repeated, weak bonds existing in the CF film are removed by sputtering. Therefore, the bonds are strengthen and difficult to be cut even at a high temperature, so that thermostability is improved.
Abstract translation: 在使用CF膜作为半导体器件的层间绝缘膜的情况下，当形成钨的布线时，将CF膜加热到例如约400至450℃的温度。此时， F气体从CF膜上解吸，因此由于布线的腐蚀和薄膜厚度的减小而存在各种缺点。 为了防止这种情况，热稳定性得到增强。 C和F的化合物气体，例如C 4 F 8气体和烃气体，例如C 2 H 4气体被用作薄膜沉积气体。 这些气体作为等离子体被激活，以使用其活性物质在半导体晶片10上沉积CF膜。 然后，引入用作溅射气体的Ar气体作为等离子体激活，并且用Ar等离子体溅射沉积在晶片10上的CF膜。 如果交替重复薄膜沉积工艺和溅射工艺，则通过溅射去除存在于CF膜中的弱键。 因此，即使在高温下粘合也是强化的并且难以切断，因此热稳定性得到改善。 ＆lt;图像＆GT;
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160078252A
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020150179055
申请日：2015-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 탄소원자를함유하는하지막의막 두께의감소를억제하면서, 하지막위에소정두께의질화막을형성한다. 성막장치의처리용기내에배치되며, 탄소원자를함유하는탄소함유막을갖는기판상에, 질화막을형성하는성막방법으로서, 수소원자를포함하지않는질화종의가스와불활성가스를포함하는제1 반응가스의플라즈마에의해, 탄소함유막상에보호막을형성하는보호막형성공정을포함한다.
Abstract translation: 在包含碳原子的下面的膜上形成预定厚度的氮化物膜，同时抑制下面的膜的膜厚度的降低。 成膜方法在设置在成膜装置的处理容器中的基板上形成氮化膜，并且具有含有碳原子的含碳膜。 成膜方法包括通过包含不含氢原子的氮化物的气体的第一反应气体和惰性气体的等离子体在含碳膜上形成保护膜的保护膜形成方法。
-
公开(公告)号：KR100998020B1
公开(公告)日：2010-12-03
申请号：KR1020080051186
申请日：2008-05-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823864 , H01L21/823814
Abstract: 측벽 스페이서를 제거한 반도체 장치에, 원하는 특성을 재현성 좋고 안정되게 줄 수 있고, 제조 공정의 관리도 용이화할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
게이트 전극(7)의 측면 상에 측벽 스페이서(10)를 형성하고, 활성 영역(3) 내에 제 2 도전형의 한 쌍의 소스 및 드레인 영역(14)을 형성하여, 반도체층(1) 상, 소자 분리 영역(4) 상, 측벽 스페이서(10) 상 및 게이트 전극(7) 상을 금속막(18)으로 덮고, 금속막(18)을, 반도체층(1) 및 게이트 전극(7)에 반응시켜, 소스 및 드레인 영역(14) 및 게이트 전극(7)을 부분적으로 저저항화하고, 소자 분리 영역(4), 게이트 전극의 저저항화된 부분(19) 및 소스 및 드레인 영역(14)의 저저항화된 부분(19)을 에칭하기 어려우며, 금속막(18)의 미반응 부분 및 측벽 스페이서(10)를 에칭하기 쉬운 에쳔트를 이용하여, 금속막(18)의 미반응 부분 및 측벽 스페이서(10)를 일괄적으로 제거한다.Abstract translation: 一种半导体器件，去除所述侧壁间隔件，并且可以是良好的和可重复的稳定所期望的特性，以用于制造可在制造过程中所管理的半导体器件的方法是容易的。
-
公开(公告)号：KR1020100108419A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：KR1020107017262
申请日：2009-02-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/34 , C23C16/36 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/31111 , H01L21/31633 , H01L21/3185 , H01L21/823807 , H01L21/823835 , H01L21/823864 , H01L29/665 , H01L29/6653
Abstract: 반도체 장치의 제조 과정에서 이용되는 박막으로서, 이 박막은 게르마늄, 규소, 질소, 및 수소를 함유한다.
-
公开(公告)号：KR1020010075198A
公开(公告)日：2001-08-09
申请号：KR1020017003494
申请日：1999-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: 진공 용기(2) 내에서, 웨이퍼(10)와 대향하는 영역을 둘러싸도록 가스 공급부(51)를 설치하여 여기에서부터 웨이퍼(10)를 향해 처리 가스가 분출하도록 한다. 고주파 전력 발생부(6)로부터 진공 용기(2) 내에 플라즈마 발생용 마이크로파를 30 Hz 내지 500 Hz의 주파수로 온ㆍ오프하여 단속적으로 공급한다. 이것에 의해, 마이크로파의 오프 시간 중에 웨이퍼(10)상의 잔류 가스가 새로운 처리 가스와 교체되도록 한다. 그것에 의해, 웨이퍼(10)의 중심부와 주변부에서 가스의 해리 정도에 그다지 차가 생기지 않도록 하여 균일한 플라즈마처리를 행한다.
-
公开(公告)号：KR1020010031586A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020007004636
申请日：1998-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 후키아게노리아키
IPC: H01L21/314
Abstract: 종래, 반도체 디바이스의 층간 절연막으로 CF 막이 이용되는 경우, 텅스턴 상호연결을 형성하기 위하여 CF 막을 예컨대 400 내지 450 ℃로 가열하면 CF 막을 통해 F 함유 가스가 방출되어 상호연결이 부식되고 막의 두께가 감소하여 다양한 문제를 일으킨다. 이러한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 열안정성을 개량하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 성막 가스로서 C와 F를 함유하는 화합물 가스, 예컨대 C
4 F
8 및 탄화수소 가스, 예컨대 C
2 H
4 가스를 이용한다. 이 가스는 플라즈마로 변하여 반도체 웨이퍼(10) 상에 활성종에 의해 CF 막을 형성시킨다. 그 다음, 수소 플라즈마 형성용 가스, 예컨대 H
2 가스를 도입시키고 플라즈마로 변화시킨 뒤, 웨이퍼(10) 상에 형성된 CF 막에 이 H 플라즈마를 조사한다. H 플라즈마를 조사받으면, 그 즉시 CF 막 중에 존재하는 미반응된 F와 약한 결합은 제거되고 강한 결합만이 얻어지는데, 이 결합은 고온에서도 거의 절단되지 않는다. 결과적으로, 열안정성이 향상된다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.024 seconds)
