公开(公告)号：KR102147822B1

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：KR1020157006406

申请日：2013-09-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키하라요시히데 ,  모치즈키히로미 ,  혼다마사노부 ,  가와마타마사야 ,  고바야시켄 ,  요시다료이치

IPC: H01L21/027 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：KR1020150053926A

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：KR1020157006406

申请日：2013-09-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키하라요시히데 ,  모치즈키히로미 ,  혼다마사노부 ,  가와마타마사야 ,  고바야시켄 ,  요시다료이치

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68764

Abstract: 일실시예에서는, 피처리기체를처리하는방법을제공한다. 이방법은 (a) 처리용기내에설치된재치대상에피처리기체를재치한상태에서, 처리용기내에서수소함유가스의플라즈마를여기함으로써발생하는수소의활성종에레지스트마스크를노출하는공정과, (b) 수소의활성종에의해레지스트마스크를노출하는상기공정후에, 처리용기내에서에천트가스의플라즈마를여기하여, 하드마스크층을에칭하는공정을포함한다. 플라즈마는상부전극에플라즈마여기용의고주파전력을인가함으로써여기된다. 이방법에서는, 하드마스크층을에칭하는상기공정(b)에서의상부전극과재치대간의거리가, 수소의활성종에레지스트마스크를노출하는상기공정(a)에서의상부전극과재치대간의거리보다크게설정된다.

公开(公告)号：KR1020150040854A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：KR1020157001094

申请日：2013-08-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시다료이치 ,  이시이타카유키 ,  고바야시켄

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32688 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3065

Abstract: 플라즈마에칭방법은, 실시예의일례에있어서, 소정의패턴으로형성된포토레지스트의표면을수소함유가스에의한플라즈마에의해플라즈마처리하는플라즈마처리공정을포함한다. 또한플라즈마에칭방법은, 실시예의일례에있어서, 플라즈마처리된포토레지스트를마스크로서 CF계가스및 CHF계함유가스에의해실리콘함유막을에칭하는에칭공정을포함한다. 또한플라즈마에칭방법은, 실시예의일례에있어서, 플라즈마처리공정과에칭공정을적어도 2 회이상반복한다.

公开(公告)号：KR102122203B1

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：KR1020157001094

申请日：2013-08-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시다료이치 ,  이시이타카유키 ,  고바야시켄

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32