公开(公告)号：KR1020140051282A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：KR1020147002664

申请日：2012-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카가와아키라 ,  야마자키후미오 ,  모치즈키히로미

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

Abstract: 피처리체의 재치대로서 기능하는 하부 전극과, 상기 하부 전극에 대향하여 배치되는 상부 전극을 가지는 플라즈마 에칭 장치를 이용한 플라즈마 에칭 방법으로서, 플루오르 카본계 가스를 포함하는 제 1 처리 가스를 이용하여 플라즈마 에칭하는 제 1 에칭 공정과, 플루오르 카본계 가스를 포함하는 제 2 처리 가스로서, 이 제 2 처리 가스의 라디칼의 피처리체에 대한 부착성이 상기 제 1 처리 가스의 라디칼의 상기 피처리체에 대한 부착성보다 작은 상기 제 2 처리 가스를 이용하여 플라즈마 에칭하는 제 2 에칭 공정을 포함하고, 상기 제 2 에칭 공정은, 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 온으로 하는 제 1 조건과 이 고주파 전력을 오프로 하는 제 2 조건을 교호로 반복하면서, 상기 제 1 조건의 기간보다 상기 제 2 조건의 기간이 인가 전압의 절대값이 커지� ��록, 상기 상부 전극에 음의 직류 전압을 인가하는 플라즈마 에칭 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR102147822B1

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：KR1020157006406

申请日：2013-09-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키하라요시히데 ,  모치즈키히로미 ,  혼다마사노부 ,  가와마타마사야 ,  고바야시켄 ,  요시다료이치

IPC: H01L21/027 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：KR1020150053926A

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：KR1020157006406

申请日：2013-09-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키하라요시히데 ,  모치즈키히로미 ,  혼다마사노부 ,  가와마타마사야 ,  고바야시켄 ,  요시다료이치

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68764

Abstract: 일실시예에서는, 피처리기체를처리하는방법을제공한다. 이방법은 (a) 처리용기내에설치된재치대상에피처리기체를재치한상태에서, 처리용기내에서수소함유가스의플라즈마를여기함으로써발생하는수소의활성종에레지스트마스크를노출하는공정과, (b) 수소의활성종에의해레지스트마스크를노출하는상기공정후에, 처리용기내에서에천트가스의플라즈마를여기하여, 하드마스크층을에칭하는공정을포함한다. 플라즈마는상부전극에플라즈마여기용의고주파전력을인가함으로써여기된다. 이방법에서는, 하드마스크층을에칭하는상기공정(b)에서의상부전극과재치대간의거리가, 수소의활성종에레지스트마스크를노출하는상기공정(a)에서의상부전극과재치대간의거리보다크게설정된다.

公开(公告)号：KR101895437B1

公开(公告)日：2018-09-05

申请号：KR1020147002664

申请日：2012-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카가와아키라 ,  야마자키후미오 ,  모치즈키히로미

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

Abstract: 피처리체의재치대로서기능하는하부전극과, 상기하부전극에대향하여배치되는상부전극을가지는플라즈마에칭장치를이용한플라즈마에칭방법으로서, 플루오르카본계가스를포함하는제 1 처리가스를이용하여플라즈마에칭하는제 1 에칭공정과, 플루오르카본계가스를포함하는제 2 처리가스로서, 이제 2 처리가스의라디칼의피처리체에대한부착성이상기제 1 처리가스의라디칼의상기피처리체에대한부착성보다작은상기제 2 처리가스를이용하여플라즈마에칭하는제 2 에칭공정을포함하고, 상기제 2 에칭공정은, 플라즈마생성용의고주파전력을온으로하는제 1 조건과이 고주파전력을오프로하는제 2 조건을교호로반복하면서, 상기제 1 조건의기간보다상기제 2 조건의기간이인가전압의절대값이커지도록, 상기상부전극에음의직류전압을인가하는플라즈마에칭방법이제공된다.