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公开(公告)号：KR1020040065262A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：KR1020047009114
申请日：2002-12-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: CMOS 장치는 실리콘 기판의 (100)면 상에 형성된 다른 결정면을 갖는 구조와, 이러한 구조 상에 마이크로파 플라즈마 처리에 의해 형성된 고품질의 게이트 절연막과, 그 위에 형성된 게이트 전극으로 이루어지는 p채널 MOS 트랜지스터 및 n채널 MOS 트랜지스터를 포함하여, 상기 p채널 MOS 트랜지스터와 n채널 MOS 트랜지스터 사이에서 캐리어 이동도가 평형을 이루도록, 상기 구조의 치수·형상을 설정한다.
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公开(公告)号：KR1020060085943A
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020067008709
申请日：2004-11-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: Disclosed is a plasma processing apparatus wherein the efficiency in cooling a process gas supply unit is improved, thereby suppressing temperature rise in the process gas supply unit. In a plasma processing apparatus, a process gas supply unit (30) is arranged between a substrate (12) to be processed which is placed on a supporting stage (13) and a microwave antenna (25). The process gas supply unit (30) comprises a plurality of first opening portions (32) for passing a plasma generated in a processing vessel (11), a plurality of second opening portions (34A) communicated with a process gas channel (34), and a cooling medium channel (33) for flowing a cooling medium containing a mist. The cooling medium channel (33) may be connected with a cooling medium circulating system.
Abstract translation: 公开了一种等离子体处理装置，其中提高了处理气体供应单元的冷却效率，从而抑制了处理气体供应单元中的温度升高。 在等离子体处理装置中，处理气体供给部（30）配置在放置在支撑台（13）的被处理基板（12）和微波天线（25）之间。 处理气体供给单元（30）包括用于使在处理容器（11）中产生的等离子体通过的多个第一开口部（32），与处理气体通道（34）连通的多个第二开口部（34A） 以及用于使含有雾的冷却介质流动的冷却介质通道（33）。 冷却介质通道（33）可以与冷却介质循环系统连接。
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公开(公告)号：KR100876692B1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020067015082
申请日：2004-12-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4411 , H01J37/32522 , H01L21/67069
Abstract: In a substrate processing apparatus for processing a substrate for manufacturing a semiconductor device, a mist passage ( 5 ) is formed to pass through a part of a processing vessel ( 2 ) as an object to be cooled. There are disposed a mist generator ( 64 ) that generates a mist, and a gas supply source ( 62 ) that supplies a carrier gas for carrying the generated mist. A temperature of the part to be cooled is detected by a temperature sensor ( 49 ). When the detected temperature exceeds a predetermined temperature, a water mist, for example, is allowed to flow into the mist passage so as to cool the processing vessel by a heat of evaporation of the mist. Thus, the temperature of the processing vessel can be promptly lowered, and thus a plasma process can be performed under an atmosphere of a stable temperature.
Abstract translation: 在用于处理用于制造半导体器件的基板的基板处理设备中，雾通道（5）形成为穿过作为待冷却对象的处理容器（2）的一部分。 配置有产生雾的雾发生器（64）以及供应用于运送产生的雾的载气的气体供应源（62）。 待冷却部件的温度由温度传感器（49）检测。 当检测到的温度超过预定温度时，允许例如水雾流入雾通道，从而通过雾的蒸发热来冷却处理容器。 由此，能够迅速降低处理容器的温度，能够在稳定的温度的气氛下进行等离子体处理。
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公开(公告)号：KR100762052B1
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：KR1020067008709
申请日：2004-11-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 처리 가스 공급부의 냉각 효율을 향상시켜, 당해 처리 가스 공급부의 온도 상승을 억제하는 것을 과제로 하고 있다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 유지대(13) 상의 피처리 기판(12)과 마이크로파 안테나(25) 사이에 처리 가스 공급부(30)가 마련되어 있다. 상기 처리 가스 공급부(30)는, 처리 용기(11) 내에 형성된 플라즈마를 통과시키는 복수의 제 1 개구부(32)와, 처리 가스 통로(34)에 연통한 복수의 제 2 개구부(34A)와, 미스트(mist)를 포함한 냉각 매체가 흐르는 냉각 매체 통로(33)를 구비하고 있다. 냉각 매체 통로에는 냉각 매체 순환 장치가 접속되어도 좋다.Abstract translation: 本发明的目的在于提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制处理气体供给部的温度上升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100557849B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020047009114
申请日：2002-12-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: A CMOS device includes a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor having a structure formed on a (100) surface of a silicon substrate and having a different crystal surface, a high-quality gate insulation film formed on such a structure by a microwave plasma process, and a gate electrode formed thereon, wherein the size and the shape of the foregoing structure is set such that the carrier mobility is balanced between the p-channel MOS transistor and the n-channel MOS transistor.
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公开(公告)号：KR102015698B1
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：KR1020170079072
申请日：2017-06-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/511 , C23C16/458 , C23C16/34 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
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公开(公告)号：KR100822076B1
公开(公告)日：2008-04-14
申请号：KR1020057016691
申请日：2004-03-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C16/463 , H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 온도 조절 대상을 순환하는 제1 냉각수(15)로 냉각하는 제1 유로(16)와 제1 유로와 별도의 제2 유로(19)를 설치하고, 제2 유로(19)를 흐르는 제2 냉각수(18)와 제1 냉각수(15)로 열교환을 한다. 제1 냉각수(15)를 일정 용량의 탱크내에 저장할 필요가 없고, 칠러 상당 부분의 제1 유로(16)를 흐르는 제1 냉각수(15)가 대략 전체적으로 제2 냉각수(18)로부터 열이 흡수된다. 온도 조절 대상의 부하 변동에 대하여 응답이 빨라져서 온도 제어의 정밀도를 향상시키면서 에너지의 낭비를 적게 할 수 있는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020060129318A
公开(公告)日：2006-12-15
申请号：KR1020067015082
申请日：2004-12-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4411 , H01J37/32522 , H01L21/67069
Abstract: A substrate processing apparatus for processing a substrate used for manufacturing a semiconductor device. In the apparatus, a mist channel (5) extending through a part of a processing vessel (2) to be cooled is formed, and a mist generator (64) for generating mist and a gas supply source (62) for supplying a carrier gas to transport the generated mist. The temperature of the portion to be cooled is measured by means of a temperature sensor (49). When the measured temperature exceeds a predetermined temperature, a mist of e.g. water is made to flow through the mist channel, and the processing vessel is cooled by the heat of evaporation. Therefore, the temperature of the processing vessel quickly lowers, and a plasma processing can be conducted in a stable atmosphere.
Abstract translation: 一种用于处理用于制造半导体器件的衬底的衬底处理装置。 在该装置中，形成延伸通过待冷却的处理容器（2）的一部分的雾通道（5），以及用于产生雾的雾发生器（64）和用于供给载气的气体供给源 运送生成的雾。 通过温度传感器（49）测量被冷却部分的温度。 当测量的温度超过预定温度时， 使水流过雾气通道，并且处理容器由蒸发的热量冷却。 因此，处理容器的温度快速降低，能够在稳定的气氛中进行等离子体处理。
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公开(公告)号：KR1020050109537A
公开(公告)日：2005-11-21
申请号：KR1020057016691
申请日：2004-03-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C16/463 , H01L21/67109
Abstract: A first flow passage (16) for cooling, by circulating first cooling water (15), an object of which temperature is to be regulated and a second flow passage (19) that is different from the first flow passage are provided. Heat exchange is performed between second cooling water (18) flowing in the second flow passage (19) and the first cooling water (15). There is no need to store the first cooling water (15) in a tank with fixed capacity. Further, substantially the entire heat of the first cooling water (15) flowing in a chiller- equivalent portion of the first flow passage (16) is absorbed by the second cooling water (18). The structure above quickens response to load variation of an object of which temperature is to be regulated and can reduce the waste of energy while improving temperature control accuracy.
Abstract translation: 第一流路（16），其通过使第一冷却水（15）循环，要调节温度的物体和与第一流路不同的第二流路（19）进行冷却。 在第二流路（19）中流动的第二冷却水（18）和第一冷却水（15）之间进行热交换。 不需要将第一个冷却水（15）储存在一个容量不变的罐中。 此外，在第一流路（16）的与冷冻机等效部分流通的第一冷却水（15）的基本上整体的热量被第二冷却水（18）吸收。 上述结构加快了对温度对其进行调节的物体的负荷变化的响应，并可以在提高温度控制精度的同时减少能量的浪费。
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