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    플라즈마 처리 장치
    2.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR1020120120911A

    公开(公告)日：2012-11-02

    申请号：KR1020120043187

    申请日：2012-04-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루

    IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to efficiently suppress plasma in an injector by narrowing the width of the narrowest part of a through hole of a slit type than a debye length. CONSTITUTION: A processing container(12) forms a processing space for processing a substrate(W). A stage(14) is installed in the processing container. A microwave generator(30) includes a waveguide(32) and a mode converter(34). An antenna(18) includes a dielectric plate(18a) and a slot plate(18b). A dielectric member(16) faces the stage in an axial direction. [Reference numerals] (AA,BB) Gas

    Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置，通过使狭缝型通孔的最窄部分的宽度比德拜长度变窄来有效地抑制喷射器中的等离子体。 构成：处理容器（12）形成用于处理衬底（W）的处理空间。 工作台（14）安装在处理容器中。 微波发生器（30）包括波导（32）和模式转换器（34）。 天线（18）包括电介质板（18a）和槽板（18b）。 电介质构件（16）在轴向方向上面对台阶。 （附图标记）（AA，BB）气体

    성막 장치
    4.
    发明公开
    성막 장치 审中-实审
    电影制作装置

    公开(公告)号：KR1020140060236A

    公开(公告)日：2014-05-19

    申请号：KR1020130133961

    申请日：2013-11-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 쿠보타신지 ,  모리타오사무

    IPC: H01L51/56 ,  H05B33/10

    CPC classification number: H01L51/56 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  H01L51/001

    Abstract: The mixture of steam is avoided between adjacent deposition heads and the reduction of exhaust efficiency is suppressed. A film forming apparatus includes a processing container, a transfer device, a plurality of deposition heads, a partition, and an exhaust device. The processing container dividedly forms the processing chamber for processing a substrate. The transfer device transfers the substrate on a transfer path which is extended in the processing chamber in a preset direction. The deposition heads are arranged in the processing chamber in the preset direction and spray gas including the steam of a deposition material to the film forming surface of the substrate transferred on the transfer path by the transfer device. The exhaust device is connected to each receiving chamber by interposing an exhaust port formed in each receiving chamber and exhaust the surrounding of the deposition head.

    Abstract translation: 在相邻的沉积头之间避免蒸汽的混合，并且抑制排气效率的降低。 成膜装置包括处理容器，转移装置，多个沉积头，隔板和排气装置。 处理容器分开形成用于处理基板的处理室。 传送装置将基板传送到在预定方向上在处理室中延伸的传送路径上。 沉积头沿预设方向布置在处理室中，并且将包括沉积材料的蒸汽的气体喷射到通过传送装置传送在传送路径上的基板的成膜表面。 排气装置通过插入形成在每个接收室中的排气口并排出沉积头的周围而连接到每个接收室。

    기판처리장치
    5.
    发明公开
    기판처리장치 失效
    基板加工设备

    公开(公告)号：KR1020060129318A

    公开(公告)日：2006-12-15

    申请号：KR1020067015082

    申请日：2004-12-24

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 노자와도시히사 ,  모리타오사무 ,  유아사다마키 ,  고타니고지

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4411 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/67069

    Abstract: A substrate processing apparatus for processing a substrate used for manufacturing a semiconductor device. In the apparatus, a mist channel (5) extending through a part of a processing vessel (2) to be cooled is formed, and a mist generator (64) for generating mist and a gas supply source (62) for supplying a carrier gas to transport the generated mist. The temperature of the portion to be cooled is measured by means of a temperature sensor (49). When the measured temperature exceeds a predetermined temperature, a mist of e.g. water is made to flow through the mist channel, and the processing vessel is cooled by the heat of evaporation. Therefore, the temperature of the processing vessel quickly lowers, and a plasma processing can be conducted in a stable atmosphere.

    Abstract translation: 一种用于处理用于制造半导体器件的衬底的衬底处理装置。 在该装置中，形成延伸通过待冷却的处理容器（2）的一部分的雾通道（5），以及用于产生雾的雾发生器（64）和用于供给载气的气体供给源 运送生成的雾。 通过温度传感器（49）测量被冷却部分的温度。 当测量的温度超过预定温度时， 使水流过雾气通道，并且处理容器由蒸发的热量冷却。 因此，处理容器的温度快速降低，能够在稳定的气氛中进行等离子体处理。

    플라즈마 처리 장치
    6.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 审中-实审

    公开(公告)号：KR1020140084018A

    公开(公告)日：2014-07-04

    申请号：KR1020147009044

    申请日：2012-10-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 이시바시기요타카 ,  모리타오사무

    IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/511 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32495 ,  H05H2001/463

    Abstract: 본 발명은 플라즈마 생성용 전자파를 챔버 내에 투과하여 도입하는 유전체창에 가스 유로를 마련하는 경우에, 그 가스 유로의 입구 부근에 있어서의 이상 방전을 확실하게 방지하는 것을 목적으로 한다.
    이 마이크로파 플라즈마 처리 장치는, 챔버(10) 내에 처리 가스를 도입하기 위한 가스 도입 기구로서, 유전체창(52)을 관통하는 복수의 유전체창 가스 유로(94(1)∼94(8))에 각각 마련되는 방전 방지 부재(96(1)∼96(8))를 가지고 있다. 각 방전 방지 부재(96(n))는, 그 입구측의 부분(114)이 유전체창(52)의 이면보다 상방에 정해진 거리(H) 이상의 높이(h)만큼 돌출하고 있으며, 슬롯판(54)의 개구(54a)를 통하여 가스 분기부(90)의 분기 가스 공급로(92(n)) 안에 삽입되어 있다. 각 방전 방지 부재(96(n))의 돌출부(114)의 주위를 둘러싸고 있는 가스 분기부(90), 스프링 코일(116) 및 슬롯판(54)은 포위 도체(118)를 구성하고 있다.

    플라즈마 처리 장치
    7.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 失效
    等离子体处理装置

    公开(公告)号：KR1020080017361A

    公开(公告)日：2008-02-26

    申请号：KR1020077029248

    申请日：2006-04-27

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 모리타오사무

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01J37/3244

    Abstract: A plasma treatment apparatus is provided with a treatment container having a plasma generating space wherein a treatment gas is brought into the plasma state and a treatment space wherein a substrate is placed and plasma treatment is performed to the substrate; a gas supplying plate arranged in the treatment container so as to divide the inside of the treatment container into the plasma generating space and the treatment space; a treatment gas supplying port for supplying the treatment gas toward the treatment space arranged on the gas supplying plate; a plurality of openings for communicating the plasma generating space with the treatment space arranged on the gas supplying plate; and a heat transfer member having a heat conductivity higher than that of a material constituting the gas supplying plate extended from the center area to the peripheral area of the gas supplying plate.

    Abstract translation: 一种等离子体处理装置设置有处理容器，其具有处理气体进入等离子体状态的等离子体产生空间和其中放置基板的处理空间，并对基板进行等离子体处理; 设置在处理容器中以将处理容器的内部分成等离子体产生空间和处理空间的气体供给板; 用于将处理气体朝向设置在供气板上的处理空间供给的处理气体供给口; 用于使等离子体产生空间与设置在气体供给板上的处理空间连通的多个开口; 以及传热构件，其导热率高于从气体供给板的中心区域延伸到周边区域的构成气体供给板的材料的导热率。

    플라즈마 처리 장치
    8.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子处理设备

    公开(公告)号：KR100791660B1

    公开(公告)日：2008-01-03

    申请号：KR1020077013776

    申请日：2003-10-10

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 모리타오사무

    IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32458

    Abstract: 본 발명은 유전체판 지지부와 금속제 용기의 손상을 최소한으로 억제하는 동시에, 플라즈마 처리 효율의 향상을 도모하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 있어서는, 유전체판과 처리 용기와의 대향 영역에 수지층을 배치하고 있다. 이로써, 유전체판과 금속제의 처리 용기와의 열팽창율의 차로 인해 발생하는 파티클, 손상을 억제할 수 있다. 또한, 유전체판의 에지부 등의 전계 경계부에서 국소 방전의 발생이 억제되어, 산화막의 성막 등의 플라즈마 처리의 효율이 향상된다.

    Abstract translation: 本发明的目的在于将电介质板支撑部和金属容器的损伤抑制到最小限度，并且提高等离子体处理效率。 在本发明中，树脂层配置在与电介质板和处理容器相对的区域。 结果，可以抑制介电板与金属加工容器之间的热膨胀系数差异引起的颗粒和损坏。 另外，抑制了电介质板边缘等电场边界处局部放电的发生，提高了氧化膜沉积等等的等离子体处理效率。

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