公开(公告)号：KR102233231B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020180157944

申请日：2018-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야유이치 ,  모리히로유키 ,  츠다에이노스케 ,  고모리에이이치 ,  기모토도모히사

IPC: C23C16/448 ,  C23C14/22

Abstract: 복수의트레이내의원료의소비량의차이를저감시킬수 있는원료용기를제공한다. 일실시형태의원료용기는하우징, 트레이어셈블리, 및복수의통 형상부재를구비한다. 하우징은캐리어가스의도입구및 그곳으로부터원료의증기를포함한가스가출력되는개구를제공한다. 트레이어셈블리는복수의트레이를포함한다. 복수의트레이는하우징안에쌓여있다. 복수의통 형상부재의각각은원통형상을갖는다. 복수의통 형상부재는트레이어셈블리와하우징사이에서직경방향으로배열되어있다. 복수의통 형상부재중 가장외측의통 형상부재는슬릿을제공하고, 다른하나이상의통 형상부재의각각은복수의슬릿을제공한다. 도입구로부터트레이어셈블리와가장내측의통 형상부재와의사이의간극까지, 캐리어가스의유로가, 복수의통 형상부재에의해단계적으로상방및 하방으로분기된다.

公开(公告)号：KR1020010049985A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1020000045155

申请日：2000-08-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야다카유키 ,  오노미치히로 ,  고토히데토 ,  모리히로유키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B3/12 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: A cleaning device is provided to be capable of preventing a metal wiring and the like from being oxidized. CONSTITUTION: A cleaning device comprises a cleaning vessel having a processing space for storing a work W to be processed, a liquid storage tank for storing a cleaning liquid for processing the work W, supply passages for supplying the cleaning liquid from the liquid storage tank to the cleaning vessel, and return passages for returning the cleaning liquid from the cleaning vessel to the storing tank, and the cleaning vessel, the liquid storage tank, the supply passages, and the return passages constitute a closed cleaning liquid circulation passages. The cross-sectional area of the processing space, normal to the direction of the laminar flow of the cleaning liquid crossing over the work W, is set at a value which is a prescribed times larger than the maximum cross-sectional area of the work W normal to the direction described.

Abstract translation: 目的：提供一种能够防止金属布线等被氧化的​​清洁装置。 构成：清洁装置包括清洗容器，该清洁容器具有用于储存待加工的工件W的处理空间，用于储存用于处理工件W的清洗液的储液罐，用于从液体储存罐供给清洗液的供给通道 清洁容器和用于将清洁液从清洗容器返回到储存罐的返回通道，清洗容器，液体储存罐，供给通道和返回通道构成封闭的清洁液循环通道。 与工件W相交的清洗液的层流方向垂直于处理空间的横截面积被设定为大于工件W的最大截面积的规定倍数的值 与所描述的方向正常。

公开(公告)号：KR1020010030282A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020000052718

申请日：2000-09-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마야스히코 ,  모리히로유키 ,  오노히로후미

IPC: H01L21/18

CPC classification number: F16K7/14 ,  C23C16/4481 ,  F16K31/06 ,  Y10T137/87571 ,  Y10T137/87676

Abstract: PURPOSE: A vaporizer and a semiconductor manufacturing system using the same are provided to vaporize liquid raw material efficiently. CONSTITUTION: In the vaporizer(26) vaporizing liquid raw material supplied under pressure in a reduce pressure atmosphere, a liquid storage chamber(82) temporarily storing the raw material(30) sent under pressure communicates with a pressure reduced atmospheric vaporizing chamber(64) through pores(66) to distribute the raw material to the vaporizing chamber. The liquid inlet of the storage chamber side of the pores(66) is opened or closed with a valve disc(70). The valve opening of the disc(70) is controlled by an actuator means(72).

Abstract translation: 目的：提供蒸发器和使用其的半导体制造系统以有效地蒸发液体原料。 构成：在减压气氛下在压力下供给的汽化液体原料的蒸发器（26）中，临时储存在压力下被送出的原料（30）的储液室（82）与减压大气蒸发室（64）连通， 通过孔（66）将原料分配到蒸发室。 孔（66）的储存室侧的液体入口用阀盘（70）打开或关闭。 盘（70）的阀开口由致动器装置（72）控制。

公开(公告)号：KR100887364B1

公开(公告)日：2009-03-06

申请号：KR1020020071057

申请日：2002-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야타카유키 ,  오리이타케히코 ,  모리히로유키 ,  야노히로시 ,  나카모리미츠노리

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76814

Abstract: 반도체기판 상에 첨착된 레지스트막과 폴리머층을 제거하는 방법이 개시된다. 전형적인 예로 과산화수소 용액과 같은 산화제를 포함하는 제1 처리액이 기판에 공급되어 레지스트막과 폴리머층의 상태를 변화시킨다. 이후, 전형적인 예로 디메틸산화황과 아민 용매를 포함하는 제2 처리액이 기판에 공급되어 레지스트막과 폴리머층을 용해시킴으로써 기판으로부터 제거한다. 폴리머층에 포함된 증착된 구리입자들도 또한 제거될 수 있다.
반도체기판, 레지스트, 폴리머, 산화, 용해, 습식세정, 비아홀, 증착금속

Abstract translation: 公开了一种去除压印在半导体衬底上的抗蚀剂膜和聚合物层的方法。 作为典型的例子，将含有氧化剂如过氧化氢溶液的第一处理液供应到基板以改变抗蚀剂膜和聚合物层的状态。 然后，作为典型例子，将包含草酸二甲酯和胺溶剂的第二处理液供给至基板，以通过溶解抗蚀剂膜和聚合物层从基板去除抗蚀剂膜和聚合物层。 包含在聚合物层中的沉积铜颗粒也可以被去除。

公开(公告)号：KR100791864B1

公开(公告)日：2008-01-07

申请号：KR1020000045155

申请日：2000-08-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야다카유키 ,  오노미치히로 ,  고토히데토 ,  모리히로유키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B3/12 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명에 따라, 피처리 대상물의 금속 배선층 등이 산화되는 것을 방지할 수 있는 세정 기구가 제공된다. 상기 세정 기구는 피처리 대상물(W)의 체적보다 약간 더 큰 체적의 처리 공간(S)이 있는 세정 용기(72)와, 상기 대상물을 처리하는 세정 유체(32)를 저장하는 유체 저장 탱크(30)와, 상기 세정 유체를 유체 저장 탱크로부터 세정 용기에 공급하는 공급 라인(46A 내지 46D)과, 상기 세정 유체를 세정 용기로부터 유체 저장 탱크로 복귀시키는 환류 라인(47A 내지 47D)을 포함하고, 상기 유체 저장 탱크와 공급 라인 및 환류 라인은 서로 연결되어 폐쇄된 세정 유체 순환 라인(51A 내지 51D)을 형성한다. 따라서, 대상물의 금속 배선층 등이 산화되는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100649852B1

公开(公告)日：2006-11-24

申请号：KR1020000052718

申请日：2000-09-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마야스히코 ,  모리히로유키 ,  오노히로후미

IPC: H01L21/18

CPC classification number: F16K7/14 ,  C23C16/4481 ,  F16K31/06 ,  Y10T137/87571 ,  Y10T137/87676

Abstract: 본 발명은 감압분위기하에서 액체 원료를 효율적으로 기화시킬 수 있는 기화기를 제공한다. 액체 원료는 액체 저장실에 일시적으로 저장되고, 미세 구멍을 통해서 감압분위기로 설정된 기화실에 공급된다. 상기 액체 저장실의 유입구는 밸브 본체에 의해서 개폐되며, 이것은 밸브 본체의 밸브 개방도를 제어하는 액츄에이터에 의해서 작동된다.

公开(公告)号：KR1020030041091A

公开(公告)日：2003-05-23

申请号：KR1020020071057

申请日：2002-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야타카유키 ,  오리이타케히코 ,  모리히로유키 ,  야노히로시 ,  나카모리미츠노리

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76814

Abstract: PURPOSE: To provide a substrate processing method and its apparatus for removing resist and polymer layers without damaging the base film. CONSTITUTION: The substrate processing apparatus 1 for removing a resist film of a wafer W, a polymer layer, and metal attached at sputtering, includes a rotor 5 for holding the wafer W in a rotatable state, chambers 7 and 8 for storing the rotor 5 for holding the wafer W, a first process liquid feeding mechanism 25 for feeding a chamber 7 with a first process liquid for changing the film quality of the resist film and the polymer layer and oxidizing the attached metal, a second process liquid feed mechanism 35 for feeding a chamber 8 with a second process liquid for solving and lifting off the resist film, the polymer layer, and the oxidized metal, and a N2 gas feed source 55 for feeding an inert gas to the inside of the chamber 8 and changing the inside of the chamber 8 into a non-oxidized atmosphere.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理方法及其除去抗蚀剂和聚合物层而不损坏基膜的装置。 构成：用于去除晶片W，聚合物层和溅射时附着的金属的抗蚀剂膜的基板处理装置1包括用于将晶片W保持在可旋转状态的转子5，用于存储转子5的室7和8 用于保持晶片W的第一处理液体供给机构25，用于向室7供给用于改变抗蚀剂膜和聚合物层的膜质量并氧化附着金属的第一处理液;第二处理液体供给机构35，用于 用第二处理液供给室8，用于解决和剥离抗蚀剂膜，聚合物层和氧化金属，以及用于将惰性气体供给到室8的内部并改变内部的N 2气体供给源55 的室8进入非氧化气氛。