公开(公告)号：KR100554645B1

公开(公告)日：2006-02-24

申请号：KR1020047008215

申请日：2002-11-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  엔도쇼스케 ,  나가세키가즈야 ,  구보타도모야

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069

Abstract: 열전달 가스의 방전을 막고 또한 피 처리체의 온도 제어를 높은 정밀도로 실행하는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다. 기밀한 처리 용기(102)내에 대향하여 설치된 1쌍의 전극 중 하부 전극(110)에 고주파 전력을 인가하고, 전극 사이에 도입된 처리 가스를 플라즈마화하여, 피 처리체 표면에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서, 피 처리체를 흡착 유지하는 정전척(112)과 피 처리체와의 사이의 미소 공간(S)에 피 처리체를 소정의 온도로 제어하기 위한 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급부(120)를 전극에 공급되는 고주파 전력에 의해서 생기는 전계 방향에 대하여 경사시킨 열전달 가스 공급관(162) 및 열전달 가스 공급관용 코마부(164)로 구성한다.

公开(公告)号：KR1020040066142A

公开(公告)日：2004-07-23

申请号：KR1020047008215

申请日：2002-11-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  엔도쇼스케 ,  나가세키가즈야 ,  구보타도모야

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069

Abstract: 열전달 가스의 방전을 막고 또한 피 처리체의 온도 제어를 높은 정밀도로 실행하는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다. 기밀한 처리 용기(102)내에 대향하여 설치된 1쌍의 전극 중 하부 전극(110)에 고주파 전력을 인가하고, 전극 사이에 도입된 처리 가스를 플라즈마화하여, 피 처리체 표면에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서, 피 처리체를 흡착 유지하는 정전척(112)과 피 처리체와의 사이의 미소 공간(S)에 피 처리체를 소정의 온도로 제어하기 위한 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급부(120)를 전극에 공급되는 고주파 전력에 의해서 생기는 전계 방향에 대하여 경사시킨 열전달 가스 공급관(162) 및 열전달 가스 공급관용 코마부(164)로 구성한다.