公开(公告)号：KR100554645B1

公开(公告)日：2006-02-24

申请号：KR1020047008215

申请日：2002-11-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  엔도쇼스케 ,  나가세키가즈야 ,  구보타도모야

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069

Abstract: 열전달 가스의 방전을 막고 또한 피 처리체의 온도 제어를 높은 정밀도로 실행하는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다. 기밀한 처리 용기(102)내에 대향하여 설치된 1쌍의 전극 중 하부 전극(110)에 고주파 전력을 인가하고, 전극 사이에 도입된 처리 가스를 플라즈마화하여, 피 처리체 표면에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서, 피 처리체를 흡착 유지하는 정전척(112)과 피 처리체와의 사이의 미소 공간(S)에 피 처리체를 소정의 온도로 제어하기 위한 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급부(120)를 전극에 공급되는 고주파 전력에 의해서 생기는 전계 방향에 대하여 경사시킨 열전달 가스 공급관(162) 및 열전달 가스 공급관용 코마부(164)로 구성한다.

公开(公告)号：KR1019980033091A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019970054459

申请日：1997-10-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도카이 카본 가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  미쓰노마사아키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼를 가공하여 고집적 회로를 형성하는 플라즈마 처리장치용 전극판을 제조하는 방법을 제공한다. 이 방법은 액상의 열경화성 수지를 열경화하여 수지 성형체를 얻는 성형공정과, 상기 열경화된 수지 성형체를 비산화 분위기하에서 가열하고 탄소화하여 유리상 탄소로 된 소성체를 얻는 하나 또는 둘의 소성공정과, 소성체의 일 표면깊이의 20㎛ 내지 1.25㎜를 플라즈마에 노출하여 연마하는 연마공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040093043A

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：KR1020040028391

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  오쿠보도모야 ,  히로세준 ,  나가쿠라고이치 ,  고시미즈지시오 ,  덴포가즈키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6831

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus, a focus ring and a susceptor are provided to improve remarkably cooling efficiency of the focus ring without the increase of costs by providing a dielectric part and a conductive part for the focus ring. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes a susceptor. The susceptor includes an electrostatic chuck(25) and a focus ring(30) connected with the electrostatic chuck through a contact portion. The focus ring is composed of a dielectric part(30a) with the contact portion and a conductive part(30b) on the dielectric part.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，聚焦环和基座，以通过为聚焦环提供电介质部分和导电部分而不增加成本，从而显着提高聚焦环的冷却效率。 构成：等离子体处理装置包括基座。 感受器包括静电吸盘（25）和通过接触部分与静电吸盘连接的聚焦环（30）。 聚焦环由介电部分（30a）与介电部分上的接触部分和导电部分（30b）组成。

公开(公告)号：KR1020040025842A

公开(公告)日：2004-03-26

申请号：KR1020030064983

申请日：2003-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케우치쥰 ,  기시다마사아키 ,  마츠나가다다카즈 ,  엔도쇼스케

IPC: H01L21/68

CPC classification number: C23C4/01 ,  Y10T279/23

Abstract: PURPOSE: To solve the problem at occurrence in a technique of previously clogging a small hole with a filling plug, and to efficiently produce a coating film having excellent quality performance in a coating method for a holed inner member in a vacuum processing device such as an electrostatic chuck. CONSTITUTION: The coating method comprises a stage (a) where the small hole 78 of a holed inner member 81 is clogged with a filling plug 20 containing a core material 22 consisting of a metallic material, and a metal-resin composite layer 24 consisting of a composite body between a resin material having non-adhesive property to a coating film 80 and a metallic material, and covering the outer circumference of the core material 22; a stage (b) where the coating film 80 consisting of a ceramic material is formed on the surface of the holed inner member 81 by plasma spraying after the stage (a); and a stage (c) where the filling plug 20 is pulled out from the small hole 78 after the stage (b).

Abstract translation: 目的：为了解决在先前用填充塞堵塞小孔的技术中出现的问题，并且在真空处理装置中，例如在真空处理装置中，在有孔内部构件的涂布方法中有效地制造出具有优良品质性能的涂膜 静电吸盘。 构成：涂覆方法包括：阶段（a），其中孔内部构件81的小孔78被包含由金属材料构成的芯材22的填充塞20堵塞，并且金属 - 树脂复合层24由 在与涂膜80和金属材料之间具有不粘合性的树脂材料和覆盖芯材22的外周的复合体; 在阶段（a）之后通过等离子体喷涂在孔内部构件81的表面上形成由陶瓷材料构成的涂膜80的阶段（b） 以及在阶段（b）之后从小孔78拉出填充塞20的阶段（c）。

公开(公告)号：KR1019950030257A

公开(公告)日：1995-11-24

申请号：KR1019940040232

申请日：1994-12-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스케 ,  다하라가즈히로 ,  쓰치야히로시 ,  도모야스마사유키 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  노나카료 ,  히로세게이조 ,  후카사와요시오 ,  고시이시아키라 ,  고바야시이사오

IPC: H01L21/3065

公开(公告)号：KR100657054B1

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：KR1020040000823

申请日：2004-01-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  히모리신지

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32642 ,  Y10T279/23

Abstract: 피처리 기판의 전면에 걸쳐 균일한 플라즈마 처리를 실시할 수 있어, 종래에 비해 플라즈마 처리의 면내 균일성의 향상을 도모할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링을 제공한다.
반도체 웨이퍼 W가 탑재되고, 하부 전극을 겸한 서셉터(2) 상에는 반도체 웨이퍼 W의 주위를 둘러싸도록, 포커스 링(6)이 마련되어 있다. 포커스 링(6)은 반도체 웨이퍼 W의 외주연부로부터 간격을 마련하여 반도체 웨이퍼 W의 주위를 둘러싸도록 배치된 박판 형상의 링 부재(6a)와, 반도체 웨이퍼 W와 박판 형상의 링 부재(6a) 사이에 위치하도록, 또한 반도체 웨이퍼 W 및 박판 형상의 링 부재(6a)의 하측에 위치하도록 배치된 하측 링(6b)으로 구성되어 있다.
플라즈마, 포커스 링, 면내 균일성

公开(公告)号：KR1020040066142A

公开(公告)日：2004-07-23

申请号：KR1020047008215

申请日：2002-11-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  엔도쇼스케 ,  나가세키가즈야 ,  구보타도모야

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069

Abstract: 열전달 가스의 방전을 막고 또한 피 처리체의 온도 제어를 높은 정밀도로 실행하는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다. 기밀한 처리 용기(102)내에 대향하여 설치된 1쌍의 전극 중 하부 전극(110)에 고주파 전력을 인가하고, 전극 사이에 도입된 처리 가스를 플라즈마화하여, 피 처리체 표면에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서, 피 처리체를 흡착 유지하는 정전척(112)과 피 처리체와의 사이의 미소 공간(S)에 피 처리체를 소정의 온도로 제어하기 위한 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급부(120)를 전극에 공급되는 고주파 전력에 의해서 생기는 전계 방향에 대하여 경사시킨 열전달 가스 공급관(162) 및 열전달 가스 공급관용 코마부(164)로 구성한다.

公开(公告)号：KR1020040063825A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：KR1020040000823

申请日：2004-01-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  히모리신지

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32642 ,  Y10T279/23

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a focus ring are provided to improve a uniformity of a plasma process by performing a uniform plasma process on a whole surface of a wafer to be processed. CONSTITUTION: A mounting table(2) is disposed in a plasma process chamber. A wafer(W) to be processed is mounted on the mounting table. A ring member(6a) is arranged to surround a peripheral of the wafer to be processed with a distance from a main peripheral of the wafer to be processed. A lower ring(6b) are arranged to be disposed lower than the wafer to be processed and the ring member. A ratio of an impedance per unit area of the wafer to be processed to an impedance per unit area of the ring member is less than 5.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和聚焦环，以通过在待处理的晶片的整个表面上执行均匀的等离子体处理来改善等离子体工艺的均匀性。 构成：安装台（2）设置在等离子体处理室中。 待加工的晶片（W）安装在安装台上。 环状构件（6a）布置成围绕待处理的晶片的外围与待处理的晶片的主外围距离一定距离。 下环（6b）布置成布置成低于待处理的晶片和环形构件。 要处理的晶片的每单位面积的阻抗与环构件的每单位面积的阻抗的比率小于5。

公开(公告)号：KR100349064B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1019940040232

申请日：1994-12-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스케 ,  다하라가즈히로 ,  쓰치야히로시 ,  도모야스마사유키 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  노나카료 ,  히로세게이조 ,  후카사와요시오 ,  고시이시아키라 ,  고바야시이사오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32623

Abstract: A plasma processing apparatus comprises a chamber, and an upper electrode and a lower electrode, parallelly provided in the chamber to oppose each other at a predetermined interval, for defining a plasma generation region between the electrodes. An object to be processed is mounted on the lower electrode. RF powers are supplied to the electrodes, so that a plasma generates between the electrodes, thereby performing a plasma process with respect to the object to be processed. A cylindrical ground electrode is provided around the plasma generation region in the chamber, for enclosing the plasma in the plasma generation region, and has a plurality of through holes for passing a process gas.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括腔室和平行地设置在腔室中以预定间隔彼此相对的上电极和下电极，用于限定电极之间的等离子体产生区域。 待处理物体安装在下电极上。 将RF功率提供给电极，使得在电极之间产生等离子体，由此对待处理的对象执行等离子体处理。 在腔室内的等离子体产生区域周围提供圆柱形接地电极，用于将等离子体封闭在等离子体产生区域中，并且具有用于使处理气体通过的多个通孔。

公开(公告)号：KR1019950021174A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019940033373

申请日：1994-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 도자와시게키 ,  엔도쇼스케 ,  호소다쇼조 ,  다리키히로시

IPC: H01L21/302

Abstract: 처리장치에는 재치대상의 피처리체의 외주 가장자리를 눌려 소정위치로 위치결정하는 환형상의 누름면을 가지는 누름기구가 설치되어 있다. 반응 생성물이 누름면에 돌아 들어가 부착하는 것을 억제하는 반응 생성물 부착 억제부가 누름면의 내주쪽에 형성되어 있다. 그 때문에 누름면의 내주 위쪽에 부착한 반응 생성물이 피처리체에 접촉하는 것이 종래에 비하여 적게된다. 그 결과 반응 생성물이 박리하여 파티클로 되어 피처리체에 부착하는 것이 확실하게 적게된다. 그 때문에 반응 생성물의 세정에 관한 메인티넌스의 회수가 종래에 비하여 확실하게 적게되고, 처리의 스루풋이 향상되며, 피처리체의 수율이 향상된다.