公开(公告)号：KR1020170142899A

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：KR1020170075559

申请日：2017-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  와타나베사치오 ,  구보타마사키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L29/786

Abstract: (과제) 본발명의과제는보호막에있어서의 H 원자의함유량을저감하면서, Cu를포함한전극상에보호막을정상적으로성막하는것이다. (해결수단) 보호막의성막방법은반입스텝과, 공급스텝과, 성막스텝을포함한다. 반입스텝에서는, 처리용기내에, Cu를포함한재료에의해형성된구조물인 Cu부가노출되어있는기판이반입된다. 공급스텝에서는, 처리용기내에제 1 가스, 제 2 가스, 및제 3 가스가공급된다. 성막스텝에서는, 처리용기내에공급된제 1 가스, 제 2 가스, 및제 3 가스를포함한혼합가스의플라즈마에의해, Cu부상에보호막이성막된다. 제 1 가스는할로겐원자를포함한실리콘계가스이다. 제 2 가스는 O가스, NO 가스, N가스, 또는희가스이다. 제 3 가스는 HO 가스또는 SiH가스이다.

Abstract translation: 本发明要解决的问题是通常在包含Cu的电极上形成保护膜，同时减少保护膜中H原子的含量。 形成保护膜的方法包括承载步骤，供应步骤和成膜步骤。 在搬入工序中，在处理容器内露出由含有Cu的材料构成的结构即Cu部分的基板。 在供应步骤中，将第一气体，第二气体和第三气体供应到处理容器中。 在成膜工序中，通过供给到处理容器内的包含第一气体，第二气体和第三气体的混合气体的等离子体，在Cu表面形成保护膜。 第一气体是含有卤素原子的硅基气体。 第二种气体是O，NO，N或稀有气体。 第三种气体是HO气体或SiH气体。

公开(公告)号：KR102027675B1

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：KR1020180007042

申请日：2018-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히사시 ,  사이토히데키 ,  가타기리다카요시 ,  구보타마사키 ,  도미야마가즈야

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR102009078B1

公开(公告)日：2019-08-08

申请号：KR1020170075559

申请日：2017-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  와타나베사치오 ,  구보타마사키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L29/786