公开(公告)号：KR1020180100513A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：KR1020180102473

申请日：2018-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  다카토데츠야 ,  가타기리다카요시

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 전자디바이스구조의테이퍼부의막에의한커버리지를향상시킬수 있는플라즈마를사용한성막방법을제공한다. TFT(30)에있어서, 4불화규소가스, 4염화규소가스, 질소가스및 아르곤가스를포함하는처리가스로부터생성된유도결합플라즈마에의해질화규소막으로이루어지는패시베이션층(37)이성막된다.

公开(公告)号：KR102027675B1

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：KR1020180007042

申请日：2018-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히사시 ,  사이토히데키 ,  가타기리다카요시 ,  구보타마사키 ,  도미야마가즈야

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR101926317B1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：KR1020180102473

申请日：2018-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  다카토데츠야 ,  가타기리다카요시

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 전자 디바이스 구조의 테이퍼부의 막에 의한 커버리지를 향상시킬 수 있는 플라즈마를 사용한 성막 방법을 제공한다.
TFT(30)에 있어서, 4불화규소 가스, 4염화규소 가스, 질소 가스 및 아르곤 가스를 포함하는 처리 가스로부터 생성된 유도 결합 플라즈마에 의해 질화규소막으로 이루어지는 패시베이션층(37)이 성막된다.

公开(公告)号：KR101896153B1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：KR1020160074530

申请日：2016-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  다카토데츠야 ,  가타기리다카요시

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 전자디바이스구조의테이퍼부의막에의한커버리지를향상시킬수 있는플라즈마를사용한성막방법을제공한다. TFT(30)에있어서, 4불화규소가스, 4염화규소가스, 질소가스및 아르곤가스를포함하는처리가스로부터생성된유도결합플라즈마에의해질화규소막으로이루어지는패시베이션층(37)이성막된다.

公开(公告)号：KR1020160150027A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：KR1020160074530

申请日：2016-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  다카토데츠야 ,  가타기리다카요시

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 전자디바이스구조의테이퍼부의막에의한커버리지를향상시킬수 있는플라즈마를사용한성막방법을제공한다. TFT(30)에있어서, 4불화규소가스, 4염화규소가스, 질소가스및 아르곤가스를포함하는처리가스로부터생성된유도결합플라즈마에의해질화규소막으로이루어지는패시베이션층(37)이성막된다.