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公开(公告)号：KR1020150072342A
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020140178468
申请日：2014-12-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L27/11582
Abstract: [과제] 다층막에형성되는홀과같은깊은스페이스의수직성을개선한다. [해결수단] 상호상이한유전율을갖고, 또한교대로적층된제1 막및 제2 막을포함하는다층막을, 플라즈마처리장치의처리용기내에서, 마스크를개재하여에칭하는반도체장치의제조방법이제공된다. 이방법은 (a) O가스혹은 N가스, 및희가스를포함하는제1 가스를상기처리용기내에공급하여, 그제1 가스를여기시키는공정과, (b) 플루오로카본가스또는플루오로하이드로카본가스를포함하는제2 가스를상기처리용기내에공급하여, 그제2 가스를여기시키는공정과, (c) HBr 가스, 불소함유가스, 및플루오로카본가스혹은플루오로하이드로카본가스를포함하는제3 가스를상기처리용기내에공급하여, 그제3 가스를여기시키는공정을포함하는시퀀스가반복해서실행된다.
Abstract translation: 本发明是为了改善诸如形成在多个膜中的孔的深空间的垂直度。 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该半导体器件蚀刻包括具有不同介电常数的第一膜和第二膜的多个膜，并且通过在用于处理等离子体处理器件的容器中插入掩模而交替布置。 该方法包括以下处理：（a）向处理容器供给包括O_2气体或N_2气体的第一气体和稀释气体，并搅拌第一气体; （b）将包括碳氟化合物气体或氟代烃气体的第二气体供应到处理容器中，并搅拌第二气体; 和（c）将包括HBr气体，含氟化物气体和碳氟化合物气体或氟代烃气体的第三气体供应到处理容器中，并搅拌第三气体。 重复实现包括该过程的序列。
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公开(公告)号：KR1020140116811A
公开(公告)日：2014-10-06
申请号：KR1020140032642
申请日：2014-03-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/32366 , H01J37/32568 , H01J2237/334
Abstract: Provided are a plasma etching apparatus and a plasma etching method which can prevent the generation of charge-up damage and local deviation of etching rate. The present invention relates to a plasma etching method for etching the silicon layer of a substrate to be processed by using a plasma etching apparatus. The pressure of the process chamber is 13.3 Pa or higher. The first high frequency wave power of a first frequency and the second high frequency wave power of a second frequency which is 1 MHz or lower and is lower than the first high frequency wave are applied to a lower electrode.
Abstract translation: 提供了可以防止产生电荷损失和蚀刻速率的局部偏差的等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。 本发明涉及一种通过使用等离子体蚀刻装置来蚀刻待处理衬底的硅层的等离子体蚀刻方法。 处理室的压力为13.3Pa以上。 将第一频率的第一高频波功率和第一频率为1MHz以下且低于第一高频波的第二频率的第二高频波功率施加到下电极。
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