公开(公告)号：KR1020120093793A

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：KR1020120015452

申请日：2012-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마쇼이치로

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32623

Abstract: PURPOSE: An upper electrode and a plasma processing apparatus are provided to improve the uniformity of plasma by providing the upper electrode for the plasma processing apparatus of a parallel plate type. CONSTITUTION: An outer circumferential part of plasma side of a dielectric top material(105a) is coated by a conductive layer(110). A predetermined pattern is formed on the surface of the conductive layer toward the inner side of the material. The surface of the outer circumferential part of the top material is covered by the conductive layer. A protective layer(115) is formed by spraying Y2O3(Yttria) having high plasma-resistance on the entire surface of the top material. The protective layer covers the top material and the conductive layer. A dense pattern of the conductive layer is formed into a comb shaped pattern projected from the outside of an upper electrode to an inner side.

Abstract translation: 目的：提供上电极和等离子体处理装置，通过提供平行板式等离子体处理装置的上电极来提高等离子体的均匀性。 构成：介电顶部材料（105a）的等离子体侧的外圆周部分被导电层（110）涂覆。 在导电层的表面上朝向材料的内侧形成预定图案。 顶部材料的外周部分的表面被导电层覆盖。 通过在顶部材料的整个表面上喷射具有高等离子体电阻的Y 2 O 3（氧化钇）形成保护层115。 保护层覆盖顶部材料和导电层。 导电层的致密图案形成为从上电极的外侧向内侧突出的梳状图案。

公开(公告)号：KR100924845B1

公开(公告)日：2009-11-02

申请号：KR1020070080295

申请日：2007-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마쇼이치로 ,  히모리신지 ,  마츠우라아츠시

IPC: H01L21/3065

Abstract: 피처리 기판의 중앙부에서의 플라즈마의 전계 강도를 낮추고, 이에 따라 플라즈마 처리의 면내 균일성을 향상시키는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치용 탑재대 및, 이 탑재대를 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
플라즈마 처리 장치(2)용 탑재대(3)는, 플라즈마 생성용 등의 하부 전극(31)을 겸하는 도전체 부재와, 이 도전체 부재의 상면 중앙부를 덮도록 마련되고, 피처리 기판(웨이퍼 W)을 통하여 플라즈마에 인가하는 고주파 전계를 균일하게 하기 위한 유전체층(32)과, 이 유전체층(32)에 적층되고, 정전 척용 전극막(35)이 매설된 정전 척(33)을 구비하고 있다. 여기서, 전극막(35)은 δ／z≥1,000(z ; 전극막(35)의 두께, δ ; 고주파 전원(61a)으로부터 공급되는 고주파 전력에 대한 전극막(35)의 표피 깊이(skin depth))의 조건을 만족하고 있다.

公开(公告)号：KR100924855B1

公开(公告)日：2009-11-02

申请号：KR1020070080166

申请日：2007-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  히모리신지 ,  마츠야마쇼이치로

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 중의 전계 강도의 면 내 균일성을 향상하고, 기판에 대하여 면 내 균일성이 높은 플라즈마 처리를 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치용 탑재대 및, 이 탑재대를 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
플라즈마 처리 장치(1)용 탑재대(2)는, 플라즈마 생성용 등의 하부 전극(21)을 겸하는 도전체 부재와, 이 도전체 부재의 상면 중앙부를 덮도록 마련되고, 피처리 기판(웨이퍼 W)을 통하여 플라즈마에 인가하는 고주파 전계를 균일하게 하기 위한 유전체층(22)과, 이 유전체층(22)의 위에 적층되고, 그 사이를 고주파가 통과할 수 있도록 탑재대의 직경 방향으로 서로 이간하여 복수로 분할된 전극막이 매설된 정전 척을 구비하고 있다. 여기서, 상기 유전체층(22)의 바깥쪽 가장자리는, 분할된 전극막(23b, 23d) 사이의 이간 영역(23c)의 안쪽 가장자리의 바로 아래 또는 그보다 바깥쪽에 위치하고, 분할된 전극막(23b, 23d)은 서로 고주파에 대하여 절연되어 있다.

公开(公告)号：KR1020050094475A

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：KR1020057014249

申请日：2004-02-03

Applicant: 가부시끼가이샤 오크테크 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠무라가츠야 ,  히모리신지 ,  나가세키가즈야 ,  마츠마루히로키 ,  마츠야마쇼이치로 ,  다카하시도시키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541

Abstract: A plasma treating device for applying a plasma treatment to a substrate to be treated (W) includes a depressurizable treatment vessel (10) for receiving the substrate to be treated. A first electrode (12) is disposed in the treatment vessel. Disposed in the treatment vessel is a supply system (62) for supplying a treatment gas. For the formation of a plasma of treatment gas, an electric field forming system (32) for forming a high frequency electric field in the treatment vessel is disposed in the treatment vessel. The main surface of the first electrode (12) is distributively formed with a number of projections (70) projecting toward the space where plasma is produced.

Abstract translation: 用于将待处理的基板施加等离子体处理的等离子体处理装置（W）包括用于接收被处理基板的可降压处理容器（10）。 第一电极（12）设置在处理容器中。 设置在处理容器中的是用于供给处理气体的供给系统（62）。 为了形成处理气体的等离子体，在处理容器中设置用于在处理容器中形成高频电场的电场形成系统（32）。 第一电极（12）的主表面分布形成有朝向产生等离子体的空间突出的多个突起（70）。

公开(公告)号：KR101761191B1

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：KR1020110022505

申请日：2011-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케 ,  마츠야마쇼이치로 ,  무라카미코이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541

Abstract: 균질소재의전극을이용하여플라즈마생성에소비되는고주파의전계강도분포를제어한다. 내부에서웨이퍼(W)를플라즈마처리하는처리용기(100)와, 처리용기(100)의내부에서서로대향하며, 그사이에플라즈마공간을형성하는상부전극(105) 및하부전극(110)과, 상부전극(105) 및하부전극(110) 중적어도어느하나에접속되어처리용기(100) 내에고주파전력을출력하는고주파전원(150)을가지는플라즈마처리장치로서, 상부전극(105)에는, 원하는유전체로부터형성된상부기재(105a)에시스의두께의 2 배이하의직경을가지는중공의세공(A)이복수형성되어있는플라즈마처리장치가제공된다.

Abstract translation: 使用均相材料制成的电极，并控制其在等离子体产生消耗的高频电场强度的分布。 和晶片（W）进行等离子体处理处理容器100的，并在处理容器100的内部彼此相对，以及上电极105和下电极110，以形成在其间的等离子体空间中，上内 电极105和下部电极110，普遍地至少为任何花枝与高频电源150连接，用于输出高频电力向上述处理容器100中，等离子体处理装置中，上电极105，从所期望的电介质形成的 的（a）等离子体处理形成在上基部处（105A），其具有直径护套的小于两倍厚度的yiboksu装置中的中空纤维的孔中被提供。

公开(公告)号：KR100839677B1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：KR1020057014249

申请日：2004-02-03

Applicant: 가부시끼가이샤 오크테크 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠무라가츠야 ,  히모리신지 ,  나가세키가즈야 ,  마츠마루히로키 ,  마츠야마쇼이치로 ,  다카하시도시키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541

Abstract: 피처리 기판(W)에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치는, 피처리 기판을 수납하는 감압 가능한 처리 용기(10)를 포함한다. 처리 용기 내에 제 1 전극(12)이 배치된다. 처리 용기 내에는 처리 가스를 공급하기 위해, 공급계(62)가 배치된다. 처리 가스의 플라즈마를 생성하기 위해, 처리 용기 내에 고주파 전계를 형성하는 전계 형성계(32)가 배치된다. 제 1 전극(12)의 주면에, 플라즈마가 생성되는 공간측을 향하여 돌출하는 다수의 볼록부(70)가 이산적으로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020080014660A

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：KR1020070080166

申请日：2007-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  히모리신지 ,  마츠야마쇼이치로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32082

Abstract: A loading table and a plasma processing apparatus having the same are provided to improve the in-plane uniformity of an electric field strength in a plasma and perform plasma processing of high in-plane uniformity for a substrate. A conductive member is connected to a high-frequency power source, and serves as an ion supply electrode. A dielectric layer(22) is formed to cover a center portion of an upper surface of the conductive member to make a high-frequency electric field, which is applied to plasma via a substrate, uniform. An electrostatic chuck(23) is laminated on the dielectric layer, and has electrode films(23b,23d) spaced apart from in a diametric direction of a loading table. An outer edge of the dielectric layer is positioned immediately under an inner edge of a spaced region(23c) of the separated electrode films.

Abstract translation: 提供了一种装载台和具有该装载台的等离子体处理装置，以提高等离子体中的电场强度的面内均匀性，并对基板执行高面内均匀性的等离子体处理。 导电部件与高频电源连接，作为离子供给电极。 形成电介质层（22）以覆盖导电构件的上表面的中心部分，以使经由衬底施加到等离子体的高频电场是均匀的。 静电卡盘（23）层叠在电介质层上，并且具有与装载台的直径方向隔开的电极膜（23b，23d）。 电介质层的外边缘位于分离的电极膜的间隔区域（23c）的内边缘的正下方。

公开(公告)号：KR101765573B1

公开(公告)日：2017-08-07

申请号：KR1020120015452

申请日：2012-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마쇼이치로

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32623

Abstract: 플라즈마의균일성을높인다. 평행평판형의플라즈마처리장치용의상부전극(105)으로서, 원하는유전체로형성된기재(105a)와, 상기기재(105a)의표면중 적어도상기플라즈마처리장치의하부전극(210)측의표면의일부에형성된도전체층(110)을포함하고, 상기도전체층(110)은, 상기하부전극(210)측의표면의외측이내측보다조밀하게되도록소밀한패턴을가지는상부전극(105)이제공된다.

Abstract translation: 从而增加等离子体的均匀性。 用于平行板型等离子体处理设备的上电极105包括由期望的电介质材料形成的衬底105a和在等离子体处理设备的下电极210侧上的衬底105a的表面的至少一部分 具有致密图案的上电极105被形成为使得上电极层110的下电极210侧的外表面比上电极层110的内表面更致密 。

公开(公告)号：KR1020140116811A

公开(公告)日：2014-10-06

申请号：KR1020140032642

申请日：2014-03-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 마츠야마쇼이치로 ,  시미즈아키타카 ,  노가미스스무 ,  이토키요히토 ,  오히와토쿠히사 ,  야하시카츠노리

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/334

Abstract: Provided are a plasma etching apparatus and a plasma etching method which can prevent the generation of charge-up damage and local deviation of etching rate. The present invention relates to a plasma etching method for etching the silicon layer of a substrate to be processed by using a plasma etching apparatus. The pressure of the process chamber is 13.3 Pa or higher. The first high frequency wave power of a first frequency and the second high frequency wave power of a second frequency which is 1 MHz or lower and is lower than the first high frequency wave are applied to a lower electrode.

Abstract translation: 提供了可以防止产生电荷损失和蚀刻速率的局部偏差的等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。 本发明涉及一种通过使用等离子体蚀刻装置来蚀刻待处理衬底的硅层的等离子体蚀刻方法。 处理室的压力为13.3Pa以上。 将第一频率的第一高频波功率和第一频率为1MHz以下且低于第一高频波的第二频率的第二高频波功率施加到下电极。

公开(公告)号：KR1020110104438A

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：KR1020110022505

申请日：2011-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케 ,  마츠야마쇼이치로 ,  무라카미코이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: 균질 소재의 전극을 이용하여 플라즈마 생성에 소비되는 고주파의 전계 강도 분포를 제어한다. 내부에서 웨이퍼(W)를 플라즈마 처리하는 처리 용기(100)와, 처리 용기(100)의 내부에서 서로 대향하며, 그 사이에 플라즈마 공간을 형성하는 상부 전극(105) 및 하부 전극(110)과, 상부 전극(105) 및 하부 전극(110) 중 적어도 어느 하나에 접속되어 처리 용기(100) 내에 고주파 전력을 출력하는 고주파 전원(150)을 가지는 플라즈마 처리 장치로서, 상부 전극(105)에는, 원하는 유전체로부터 형성된 상부 기재(105a)에 시스의 두께의 2 배 이하의 직경을 가지는 중공의 세공(A)이 복수 형성되어 있는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.