公开(公告)号：KR101231656B1

公开(公告)日：2013-02-08

申请号：KR1020107011327

申请日：2008-11-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모야마카즈키

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/56

CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/243 ,  C23C14/568 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5346

Abstract: (과제) 일함수가 낮은 재료를 신속히 유기층과 음극과의 계면 근방에 삽입한다.
(해결 수단) PM1은, 처리 용기(100)와, 유기 재료를 가열하여 기화시키는 증착 장치(200)와, 제1 증착원에 연통하여, 제1 증착원에서 기화된 유기 재료를 불활성 가스에 의해 운반시키는 제1 가스 공급로(150)와, 처리 용기 외부에 형성되어, 음극을 형성하는 제1 금속보다도 일함수가 작은 제2 금속을 가열하여 기화시키는 디스펜서(Ds)와, 디스펜서에 연통하여, 디스펜서에서 기화된 제2 금속을 불활성 가스에 의해 운반시키는 제2 가스 공급로(320)와, 각 가스 공급로(150, 320)에 연통하여, 기화된 제2 금속을 기화된 유기 재료에 혼입시켜 처리 용기 내의 피처리체를 향하여 취출시키는 취출 기구(120f)와, 기화된 유기 재료에 혼입시키는 상기 기화된 제2 금속의 비율을 제어하는 제어기(50)를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020100047275A

公开(公告)日：2010-05-07

申请号：KR1020107003944

申请日：2008-09-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모야마카즈키

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5092 ,  C23C14/12 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  C23C14/548 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/5237

Abstract: [PROBLEMS] To quickly insert a material having a low work function into the vicinity of an interface between an organic layer and a cathode. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A sputtering apparatus (Sp) is provided with a target material made of silver (Ag); a dispenser (Ds), which is arranged outside a processing container for heating and evaporating cesium (Cs) having a work function smaller than that of silver (Ag); a first gas supply tube (345), which is communicated with the dispenser (Ds) for transferring vapor of the evaporated cesium (Cs) into the processing container with argon gas as a carrier gas; and a high frequency power supply (360) for supplying high frequency power into the processing container. A controller (50) controls the rate of cesium (Cs) to be mixed in a metal electrode being formed, by controlling the temperature of the dispenser (Ds), at the time of generating plasma by exciting the argon gas by using energy of the high frequency power to generate plasma and depositing silver (Ag) atoms sputtered from a target material as the metal electrode by the generated plasma.

Abstract translation: [问题]快速地将具有低功函数的材料插入有机层和阴极之间的界面附近。 解决问题的手段溅射装置（Sp）具有由银（Ag）制成的靶材料; 分配器（Ds），其布置在加工和蒸发具有小于银（Ag）的功函数的铯（Cs）的处理容器的外部; 第一气体供给管（345），其与分配器（Ds）连通，用于将蒸发的铯（Cs）的蒸气转移到处理容器中，氩气作为载气; 以及用于向处理容器提供高频电力的高频电源（360）。 控制器（50）通过控制分配器（Ds）的温度来控制在形成的金属电极中混合的铯（Cs）的速率，在通过使用 产生等离子体并通过所产生的等离子体沉积从目标材料溅射的银（Ag）原子作为金属电极的高频功率。

公开(公告)号：KR1020120120911A

公开(公告)日：2012-11-02

申请号：KR1020120043187

申请日：2012-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to efficiently suppress plasma in an injector by narrowing the width of the narrowest part of a through hole of a slit type than a debye length. CONSTITUTION: A processing container(12) forms a processing space for processing a substrate(W). A stage(14) is installed in the processing container. A microwave generator(30) includes a waveguide(32) and a mode converter(34). An antenna(18) includes a dielectric plate(18a) and a slot plate(18b). A dielectric member(16) faces the stage in an axial direction. [Reference numerals] (AA,BB) Gas

Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置，通过使狭缝型通孔的最窄部分的宽度比德拜长度变窄来有效地抑制喷射器中的等离子体。 构成：处理容器（12）形成用于处理衬底（W）的处理空间。 工作台（14）安装在处理容器中。 微波发生器（30）包括波导（32）和模式转换器（34）。 天线（18）包括电介质板（18a）和槽板（18b）。 电介质构件（16）在轴向方向上面对台阶。 （附图标记）（AA，BB）气体

公开(公告)号：KR1020100002079A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020090022102

申请日：2009-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모야마카즈키 ,  에즈라토모히코

IPC: C23C16/50 ,  H05B33/10 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L51/0017

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and an organic electronic device are provided to improve etching selectivity of an organic film on cathode film and increase the etching rate of the organic film by applying specific process gas or specific inactive gas. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus comprises a processing container(300), a gas source(365), and an energy source. The organic film is etched inside the processing container by the plasma. The organic film is formed on the substrate. The gas source applies the special gas within the processing container. The gas is specific process gas or specific inactive gas. The energy source inputs energy for producing plasma by using gas from the gas source.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，等离子体处理方法和有机电子装置，以提高阴极膜上的有机膜的蚀刻选择性，并通过施加特定的工艺气体或特定的惰性气体来提高有机膜的蚀刻速率。 构成：等离子体处理装置包括处理容器（300），气体源（365）和能量源。 有机膜通过等离子体在处理容器内蚀刻。 有机膜形成在基板上。 气源在处理容器内施加特殊气体。 气体是特定的工艺气体或特定的惰性气体。 能量源通过使用来自气源的气体输入用于产生等离子体的能量。

公开(公告)号：KR1020090031616A

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：KR1020097002799

申请日：2007-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠바야시신지 ,  모야마카즈키 ,  토베야스히로

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/12 ,  C23C14/34 ,  H01L51/50

CPC classification number: C23C14/568 ,  H01L51/56 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072

Abstract: [PROBLEMS] A film forming system in which mutual contamination in each layer formed in a process of producing an organic EL element etc. is avoided, that has a small footprint, and that has high productivity. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A film forming device (13) for forming a film on a substrate. The film forming device (13) has, inside a processing container (30), a first film forming mechanism (35) for forming a first layer and a second film forming mechanism (36) for forming a second layer. A gas discharge opening (31) for reducing the pressure in the processing container (30) is provided in the film forming device (13), and the first film forming mechanism (35) is located closer to the gas discharge opening (31) than the second film forming mechanism (36). The first film forming mechanism (35) forms, for example, the first layer on the substrate by vapor deposition, and the second film forming mechanism (36) forms, for example, the second layer on the substrate by spattering.

Abstract translation: [问题]避免了在制造有机EL元件等的过程中形成的每个层中的相互污染的薄膜形成系统，具有小的占地面积，并且具有高的生产率。 解决问题的手段一种用于在基板上形成膜的成膜装置（13）。 成膜装置（13）在处理容器（30）内部具有用于形成第一层的第一成膜机构（35）和用于形成第二层的第二成膜机构（36）。 在成膜装置（13）中设置有用于降低加工容器（30）的压力的排气口（31），第一成膜机构（35）位于比气体排出口（31）更靠近排气口 第二成膜机构（36）。 第一成膜机构（35）通过气相沉积形成例如基板上的第一层，第二成膜机构（36）通过溅射形成例如基板上的第二层。

公开(公告)号：KR101324589B1

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：KR1020127010099

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와와타루 ,  모야마카즈키 ,  오카야마노부유키 ,  스도우켄지 ,  오츠카야스히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 랩핑 가공에 의해 접촉면의 평활성을 유지하고, 그리고 접촉면을 대략 오목 형상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 안정적으로 보유지지(holding)할 수 있는 시료대 및 당해 시료대를 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리가 행해질 반도체 웨이퍼(W)를 보유지지하는 시료대(2)에 있어서, 랩핑 가공이 행해져 있고, 반도체 웨이퍼(W)가 면접촉하는 접촉면을 갖고, 당해 접촉면에 면접촉한 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착판과, 당해 흡착판의 비접촉면이 접착된 오목면을 갖는 지지 기판을 구비하고, 상기 오목면의 대략 중앙부의 깊이와, 당해 중앙부로부터 이격된 이격 부위의 깊이와의 차이는, 당해 중앙부에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와, 상기 이격 부위에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와의 차이보다도 크게 구성한다. 또한, 시료대(2)를 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 구비한다.

公开(公告)号：KR1020100102205A

公开(公告)日：2010-09-20

申请号：KR1020107017503

申请日：2009-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 와카야마요시히데 ,  모야마카즈키 ,  오오미타다히로 ,  테라모토아키노부

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02167 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50

Abstract: 개시되는 태양 전지는 기재 상에 형성되는 반도체 박막과, 반도체 박막 상에 형성되는 투명 도전막과, 투명 도전막의 상면(上面)을 덮는 질화물계의 수분 확산 방지막을 포함한다. 수분 확산 방지막이 질화 규소막과 질화 탄화 규소막의 적어도 일종으로 구성되면 바람직하다.

Abstract translation: 公开了一种太阳能电池，其包括形成在基底上的太阳能电池半导体薄膜，形成在半导体薄膜上的透明导电膜和覆盖透明导电膜的上表面的含氮化物的防潮扩散膜。 防潮防止膜优选由至少氮化硅膜或碳化硅氮化物（SiCN）膜构成。

公开(公告)号：KR1020090106629A

公开(公告)日：2009-10-09

申请号：KR1020097017633

申请日：2008-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 오오사까 신꾸우기끼 세이사꾸쇼

Inventor： 우에다요시히코 ,  모야마카즈키 ,  후쿠모리코지

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/568 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455 ,  H01L51/0008

Abstract: It is possible to provide a sputter method and a sputter device which can perform low-temperature and low-damage film formation with a simple configuration and with a high productivity. According to the sputter method, in a vacuum vessel, an initial layer of film is formed on an object on which a film is to be formed and then a second layer is formed on the initial layer. In the vacuum vessel, a pair of targets are arranged with their surfaces apart from each other and opposing to each other and inclined toward the object which is arranged at the side of the targets and on which the film is to be formed. A magnetic space is generated at the side of the opposing surfaces of the pair of targets for sputtering so that the sputter particles form an initial layer on the object on which the film is to be formed and further a second layer on the object on which the film is to be formed, at a higher speed than the formation of the initial layer.

Abstract translation: 可以提供能够以简单的结构和高生产率进行低温和低损伤成膜的溅射方法和溅射装置。 根据溅射法，在真空容器中，在要形成膜的物体上形成初始膜，然后在初始层上形成第二层。 在真空容器中，一对靶被配置成彼此分离并彼此相对并且朝向配置在靶的侧面的物体倾斜并且其上将形成膜。 在一对溅射靶的相对表面的一侧产生磁空间，使得溅射颗粒在要形成膜的物体上形成初始层，并且在物体上形成第二层 要形成薄膜的速度高于初始层的形成速度。

公开(公告)号：KR101362914B1

公开(公告)日：2014-02-14

申请号：KR1020120073543

申请日：2012-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와와타루 ,  요시카와쥰 ,  모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32238

Abstract: 기판 표면 처리량의 면내 균일성도 개선할 수 있는 안테나, 유전체창, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공한다. 이 안테나는 유전체창(16)과, 유전체창(16)의 일방면에 설치된 슬롯판(20)을 구비하고 있다. 유전체창(16)의 타방면은, 환상의 제 1 오목부로 둘러싸인 평탄면(146)과, 평탄면(146)의 중심 위치를 둘러싸도록, 평탄면(146) 내에 형성된 복수의 제 2 오목부(153)를 가지고 있다. 상기 슬롯판의 주 표면과 수직인 방향에서 봤을 경우, 슬롯판(20)에서의 각각의 슬롯(133) 내에 각각의 제 2 오목부(153)의 중심 위치가 중첩되어 위치하고 있다.

公开(公告)号：KR1020120120400A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020127023123

申请日：2011-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  모야마카즈키 ,  이노우에마사키 ,  노토요코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833

Abstract: 하지(base)가 되는 실리콘이나 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 선택비를 높일 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다. 처리 용기(1) 내에 처리 가스를 공급하면서 처리 가스를 배기하여 처리 용기(1) 내의 압력을 소정값으로 설정하고, 처리 가스에 외부 에너지를 공급하여 플라즈마를 생성하며, 처리 용기(1) 내의 기판이 올려놓여지는 재치대(10)에 인가하는 바이어스를 소정값으로 설정함으로써, 실리콘 질화막을 실리콘 및/또는 실리콘 질화막에 대하여 선택적으로 에칭하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 처리 가스는, 플라즈마 여기용 가스, CHxFy 가스, 그리고 O
2 , CO
2 , CO의 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화성 가스를 포함하고, CHxFy 가스에 대한 산화성 가스의 유량비를 4/9 이상으로 설정한다.