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公开(公告)号：KR101177170B1
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020097016200
申请日：2008-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01J37/34 , H01J37/32522 , H01J37/3476 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/67248 , H01L21/67766 , H01L21/67772 , H01L21/67778
Abstract: 본 발명은 피처리 기판을 수용하는 기판 수용 용기가 세트되는 반출입구를 거쳐서, 상기 기판 수납 용기와의 사이에서 상기 피처리 기판의 수수를 실행하는 반송실과, 상기 피처리 기판에 대해 소정의 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실과 상기 반송실을 접속하는 로드록실과, 상기 반송실과 상기 로드록실 중의 적어도 하나의 실내에 상기 피처리 기판을 반입할 때에,반입하기 직전의 해당 피처리 기판의 온도가 반입하고자 하는 실의 실내온도보다도 높아지도록, 상기 피처리 기판의 온도와 그 실의 실내온도 중의 적어도 한쪽을 조정하는 온도 조정 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
Abstract translation: 本发明是用于传送室的预定处理时，执行衬底的转移目标衬底被通过半门口，其中要被处理组用于容纳基板的基板收纳容器进行处理并从基板收纳容器 示例性的处理室，并且当处理室和装载锁定腔室和运送腔室的内部的至少一个和用于连接该传送腔室以使衬底的负载锁定室中，其，之前立即处理的取指令，所述目标衬底的温度 是一种基板处理装置，其特征在于提供给比在室温室温高，要被处理的温度调节，用于调节温度的至少一个和所述室的基片的室温是指进口。
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公开(公告)号：KR101176764B1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：KR1020127002277
申请日：2008-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/34 , H01J37/32522 , H01J37/3476 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/67248 , H01L21/67766 , H01L21/67772 , H01L21/67778
Abstract: 본 발명은 피처리 기판을 수용하는 기판 수용 용기가 세트되는 반출입구를 거쳐서, 상기 기판 수납 용기와의 사이에서 상기 피처리 기판의 수수를 실행하는 반송실과, 상기 피처리 기판에 대해 소정의 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실과 상기 반송실을 접속하는 로드록실과, 상기 반송실과 상기 로드록실 중의 적어도 하나의 실내에 상기 피처리 기판을 반입할 때에,반입하기 직전의 해당 피처리 기판의 온도가 반입하고자 하는 실의 실내온도보다도 높아지도록, 상기 피처리 기판의 온도와 그 실의 실내온도 중의 적어도 한쪽을 조정하는 온도 조정 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
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公开(公告)号：KR1020170130423A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：KR1020177026708
申请日：2016-03-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01N15/1436 , G01N15/1404 , G01N15/1459 , G01N2015/0053
Abstract: 미립자계측장치는, 액체의흐름을형성하도록개구로부터액체를방출하는노즐과, 액체의흐름이형성되는영역내에서전반하도록광을출사하는광출사부와, 영역의길이방향을따른일부영역으로부터의광을받도록, 상기영역의외측에마련된광검출기와, 영역의외주에, 액체가흐르는방향을따른기체의흐름을형성하는기류형성부를구비한다.
Abstract translation: 该粒子测量装置包括：喷嘴，用于从开口发射液体以形成液流;光输出部分，用于发射光以在液流形成的区域中传播; 设置在该区域外部以接收光的光学检测器以及形成沿着液体在该区域的外周边上流动的方向的气流的气流形成部。
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公开(公告)号：KR101078101B1
公开(公告)日：2011-10-28
申请号：KR1020030071710
申请日：2003-10-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
Abstract: 본발명은처리실(2)내에서피처리기판(W)의반도체하지층상에규소에피택셜층을형성하는방법에관한것이다. 이형성방법은피처리기판(W)을수납한처리실(2)내를감압하는감압공정과, 처리실(2)내에실란가스를포함하는막형성가스를도입하여반도체하지층상에규소에피택셜층을기상성장시키는기상성장공정의사이에, 염화수소처리공정과수소열처리공정을포함한다. 염화수소처리공정에서는, 처리실(2)내에염화수소가스를포함하는제 1 전처리가스를도입하고, 처리실(2)내의분위기를제 1 전처리가스로처리한다. 수소열처리공정에서는, 처리실(2)내에수소가스를포함하는제 2 전처리가스를도입하고, 반도체하지층의표면을제 2 전처리가스로처리한다.
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公开(公告)号：KR1020090072991A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020080132188
申请日：2008-12-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/11521
Abstract: A method for forming a pattern, a manufacturing apparatus for semiconductor and storage media are provided to increase the process freedom degree by forming a micro-pattern in the selected insulating layer among laminated insulating layers. The pattern formation method comprises a formation step of the first and second insulating layers(21, 22), a formation step of first spacers(38a, 38b, 38c), an etch step of the second insulating layer, and a formation step of second spacers and an etch step of the first insulating layer. The formation step of the first and second insulating layers is performed in order to successively form the first and second insulating layers on the substrate(W). The substrate has a mask pattern on the second insulating layer. The mask pattern has a line shape. The formation step of the first spacer is performed in order to form on the side walls of the mask pattern. The mask pattern is removed after the formation step of first spacers is performed.
Abstract translation: 提供一种用于形成图案的方法，用于半导体和存储介质的制造装置，以通过在层叠的绝缘层中在选定的绝缘层中形成微图案来提高工艺自由度。 图案形成方法包括第一和第二绝缘层（21,22）的形成步骤，第一间隔物（38a，38b，38c）的形成步骤，第二绝缘层的蚀刻步骤和第二绝缘层的形成步骤 间隔物和第一绝缘层的蚀刻步骤。 执行第一绝缘层和第二绝缘层的形成步骤，以在衬底（W）上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层。 衬底在第二绝缘层上具有掩模图案。 掩模图案具有线形。 为了在掩模图案的侧壁上形成第一间隔物的形成步骤。 在执行第一间隔物的形成步骤之后去除掩模图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100057891A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：KR1020107007302
申请日：2009-04-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/02041
Abstract: Provided is an atmosphere cleaning device comprising a means for establishing a downflow in the atmosphere, in which a treating object is positioned, a plurality of ionizers arranged at positions above the treating object and symmetrically in the layout, as viewed downward, across the treating object, for feeding either positive or negative ions transversely of the downflow, and a means for applying such a DC voltage to the treating object as has the same polarity as that of the voltage being applied to those ionizers. The atmosphere cleaning device is characterized in that the symmetrically arranged ionizers are arranged to face each other.
Abstract translation: 提供了一种气氛清洁装置，包括用于在处理对象被定位的大气中建立下流的装置，多个离子发生器布置在处理对象上方的位置，并且在布局中对称地穿过处理对象 用于将横向于下流的正离子或负离子进料，以及用于将这样的直流电压施加到处理对象的装置，其极性与施加到这些电离器的电压相同。 气氛清洁装置的特征在于，对称布置的电离器布置成彼此面对。
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公开(公告)号：KR1020090089800A
公开(公告)日：2009-08-24
申请号：KR1020090013012
申请日：2009-02-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N23/2251 , G01N2223/6116
Abstract: A method and an apparatus for inspecting a substrate, and a storage medium are provided to suppress the change of the brightness by preventing the charge up of an insulating layer in a region without a metal electrode. An electronic beam is irradiated on a surface of a substrate stacking a conductive film(11) and an insulating film(12) successively. The number of a secondary electron emitted from an outer layer of a metal electrode(13) reclaimed in a concave part of the insulating film is detected. The electronic beam is irradiated to the region including the metal electrode with a first acceleration voltage. The secondary electron emitted from the corresponding metal is detected. The electronic beam is irradiated to the region without the metal electrode with a second acceleration voltage. The metal different from the metal electrode is formed in the region without the metal electrode.
Abstract translation: 提供了用于检查基板的方法和装置以及存储介质，以通过防止没有金属电极的区域中的绝缘层的充电来抑制亮度的变化。 电子束依次照射在堆叠导电膜（11）和绝缘膜（12）的基板的表面上。 检测从绝缘膜的凹部回收的金属电极（13）的外层发射的二次电子的数量。 电子束以第一加速电压照射到包括金属电极的区域。 检测从相应的金属发射的二次电子。 电子束以不具有第二加速电压的金属电极照射到该区域。 与金属电极不同的金属形成在没有金属电极的区域中。
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公开(公告)号：KR1020070091000A
公开(公告)日：2007-09-06
申请号：KR1020077015352
申请日：2006-06-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/45561 , Y10T428/265
Abstract: Disclosed is a constitutional member (10) used for semiconductor processing apparatuses which comprises a base (10a) defining the shape of the constitutional member, and a protective film (10c) covering a predetermined part of the base surface. The protective film (10c) is composed of an amorphous oxide of a first element selected from the group consisting of aluminum, silicon, hafnium, zirconium and yttrium, and has a porosity of less than 1% and a thickness of from 1 nm to 10 Vm.
Abstract translation: 公开了一种用于半导体处理装置的结构构件（10），其包括限定构成构件的形状的基部（10a）和覆盖基部表面的预定部分的保护膜（10c）。 保护膜（10c）由选自铝，硅，铪，锆和钇的第一元素的无定形氧化物构成，并且具有小于1％的孔隙率和1nm至10nm的厚度 VM。
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公开(公告)号：KR1020050036130A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：KR1020030071710
申请日：2003-10-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 처리실(2)내에서 피처리 기판(W)의 반도체 하지층상에 규소 에피택셜층을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이 형성 방법은 피처리 기판(W)을 수납한 처리실(2)내를 감압하는 감압 공정과, 처리실(2)내에 실란 가스를 포함하는 막형성 가스를 도입하여 반도체 하지층상에 규소 에피택셜층을 기상 성장시키는 기상 성장 공정의 사이에, 염화수소 처리 공정과 수소 열처리 공정을 포함한다. 염화수소 처리 공정에서는, 처리실(2)내에 염화수소 가스를 포함하는 제 1 전처리 가스를 도입하고, 처리실(2)내의 분위기를 제 1 전처리 가스로 처리한다. 수소 열처리 공정에서는, 처리실(2)내에 수소 가스를 포함하는 제 2 전처리 가스를 도입하고, 반도체 하지층의 표면을 제 2 전처리 가스로 처리한다.
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公开(公告)号：KR1020120092719A
公开(公告)日：2012-08-21
申请号：KR1020127018778
申请日：2010-12-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 다무라아키타케
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67034 , F26B5/00 , H01L21/02052
Abstract: 마란고니 건조에 비해, 기판에 액적이 잔류하는 것을 더욱 효과적으로 방지하고, 워터마크의 발생을 억제할 수 있는 기판 건조 장치 및 기판 건조 방법을 제공한다. 반자성을 갖는 액체로 세정된 기판을 건조시키는 기판 건조 장치에, 기판에 부착된 액체를 자력에 의해서 이동시키기 위한 자석(4)과, 자석(4)을, 기판을 따라 해당 기판의 가장자리측으로 이동시키는 자석 반송 수단(5)을 구비한다. 또, 반자성을 갖는 액체로 세정된 기판을 건조시킬 때, 기판에 부착된 액체를 자력에 의해서 이동시키기 위한 자석(4)을, 기판에 접근시키고, 자석(4)을 상기 기판을 따라 해당 기판의 가장자리측으로 이동시킨다.
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