公开(公告)号：KR1020180100513A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：KR1020180102473

申请日：2018-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  다카토데츠야 ,  가타기리다카요시

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 전자디바이스구조의테이퍼부의막에의한커버리지를향상시킬수 있는플라즈마를사용한성막방법을제공한다. TFT(30)에있어서, 4불화규소가스, 4염화규소가스, 질소가스및 아르곤가스를포함하는처리가스로부터생성된유도결합플라즈마에의해질화규소막으로이루어지는패시베이션층(37)이성막된다.

公开(公告)号：KR1020150106359A

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：KR1020150032889

申请日：2015-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지나가모토키 ,  다카토데츠야 ,  사토요시츠토무

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/7869 ,  H05H1/46

Abstract: 산화물 반도체의 특성의 저하를 억제하면서 박막 트랜지스터를 제조하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치 등을 제공한다.
플라즈마 처리 장치(2)는, 박막 트랜지스터(8)가 형성되는 기판 F에 대해서 플라즈마 처리를 실행하고, 상기 플라즈마 처리가 행해지는 처리 용기(31)는, 상층측의 금속막이 에칭 처리되어 산화물 반도체층(84)이 노출한 상태의 기판 F가 탑재되는 탑재대(331)를 구비한다. 진공 배기부(314)는 처리 용기(31)내의 진공 배기를 행하고, 가스 공급부(360)로부터 플라즈마 발생용의 가스인 수증기, 또는 불소를 포함하는 가스와 산소 가스의 혼합 가스가 공급된다. 플라즈마 발생부(34)는 상기 플라즈마 발생용의 가스를 플라즈마화하여, 산화물 반도체층(84)을 수증기에서 유래하거나, 또는 불소를 포함하는 가스와 산소 가스의 혼합 가스에서 유래하는 플라즈마에 노출하는 플라즈마 처리를 실행한다.

Abstract translation: 提供了能够制造薄膜晶体管并抑制氧化物半导体的特征劣化的等离子体处理装置。 等离子体处理装置（2）对其上形成有薄膜晶体管（8）的基板F进行等离子体处理。 执行等离子体处理的处理容器（31）包括：安装台（331），其安装基板F以通过蚀刻上层的金属层来暴露氧化物半导体层（84）。 真空排气单元（314）将处理容器（31）排出真空。 气体供给单元（360）供给氧气和包含作为用于产生等离子体的气体的氟或蒸气的气体的混合气体。 等离子体发生单元（34）通过将用于产生等离子体的气体改变为由氧气和包含氟的气体的混合气体产生的等离子体，进行等离子体处理以将氧化物半导体层（54）暴露于等离子体 蒸汽。

公开(公告)号：KR102217171B1

公开(公告)日：2021-02-17

申请号：KR1020190089985

申请日：2019-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카토데츠야 ,  후지나가모토키 ,  와타나베사치오

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: [해결수단] 성막방법은, 산소함유가스와 SiF4 가스와 SiCl4 가스를포함하고또한 SiF4 가스에대한 SiCl4 가스의유량비가제1 유량비가되는혼합가스의플라스마를제1 고주파전력을사용하여생성하고, 산화물반도체상에제1 산화실리콘막을성막하는제1 성막공정과, 산소함유가스와 SiF4 가스와 SiCl4 가스를포함하고또한 SiF4 가스에대한 SiCl4 가스의유량비가제2 유량비가되는혼합가스의플라스마를제2 고주파전력을사용하여생성하고, 제1 산화실리콘막상에제2 산화실리콘막을성막하는제2 성막공정을포함하고, 제1 고주파전력은, 제2 고주파전력보다도낮고, 제1 유량비는, 제2 유량비보다도작다.

公开(公告)号：KR101870491B1

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：KR1020150032889

申请日：2015-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지나가모토키 ,  다카토데츠야 ,  사토요시츠토무

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

Abstract: 산화물반도체의특성의저하를억제하면서박막트랜지스터를제조하는것이가능한플라즈마처리장치등을제공한다. 플라즈마처리장치(2)는, 박막트랜지스터(8)가형성되는기판 F에대해서플라즈마처리를실행하고, 상기플라즈마처리가행해지는처리용기(31)는, 상층측의금속막이에칭처리되어산화물반도체층(84)이노출한상태의기판 F가탑재되는탑재대(331)를구비한다. 진공배기부(314)는처리용기(31)내의진공배기를행하고, 가스공급부(360)로부터플라즈마발생용의가스인수증기, 또는불소를포함하는가스와산소가스의혼합가스가공급된다. 플라즈마발생부(34)는상기플라즈마발생용의가스를플라즈마화하여, 산화물반도체층(84)을수증기에서유래하거나, 또는불소를포함하는가스와산소가스의혼합가스에서유래하는플라즈마에노출하는플라즈마처리를실행한다.

公开(公告)号：KR101926317B1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：KR1020180102473

申请日：2018-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  다카토데츠야 ,  가타기리다카요시

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 전자 디바이스 구조의 테이퍼부의 막에 의한 커버리지를 향상시킬 수 있는 플라즈마를 사용한 성막 방법을 제공한다.
TFT(30)에 있어서, 4불화규소 가스, 4염화규소 가스, 질소 가스 및 아르곤 가스를 포함하는 처리 가스로부터 생성된 유도 결합 플라즈마에 의해 질화규소막으로 이루어지는 패시베이션층(37)이 성막된다.

公开(公告)号：KR101896153B1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：KR1020160074530

申请日：2016-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  다카토데츠야 ,  가타기리다카요시

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 전자디바이스구조의테이퍼부의막에의한커버리지를향상시킬수 있는플라즈마를사용한성막방법을제공한다. TFT(30)에있어서, 4불화규소가스, 4염화규소가스, 질소가스및 아르곤가스를포함하는처리가스로부터생성된유도결합플라즈마에의해질화규소막으로이루어지는패시베이션층(37)이성막된다.

公开(公告)号：KR1020170069991A

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：KR1020170074889

申请日：2017-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카토데츠야 ,  와타나베사치오

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L27/1262 ,  H01L51/5256

Abstract: 탈수소공정을행할필요를없앨수 있는다층보호막의형성방법을제공한다. IGZO를포함하는채널(32)에접촉함과함께, 질화규소막(31a, 35b) 및산화규소막(31b, 35a)을갖는게이트보호막(31)이나패시베이션층(35)을형성할때, 염화규소가스및 수소원자를포함하지않는산소가스를사용해서산화규소막(31b, 35a)을성막하고, 염화규소가스및 수소원자를포함하지않는질소함유가스를사용해서질화규소막(31a, 35b)을성막하고, 산화규소막(31b, 35a)의성막및 질화규소막(31a, 35b)의성막을연속해서실행한다.

Abstract translation: 一种形成多层保护膜的方法，其不需要进行脱氢过程。 当具有氮化硅膜31a和35b以及氧化硅膜31b和35a的栅极保护膜31和钝化层35在与包括IGZO的沟道32接触的同时形成时， 使用气体和氧气不包含形成硅氧化膜中的氢原子（31B，35A），并且使用含氮气体不包含氯化硅气体，和氢原子形成的氮化硅膜（31A，35B） 并且依次形成氧化硅膜31b和35a的膜以及氮化硅膜31a和35b的膜。

公开(公告)号：KR1020160150027A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：KR1020160074530

申请日：2016-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  다카토데츠야 ,  가타기리다카요시

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 전자디바이스구조의테이퍼부의막에의한커버리지를향상시킬수 있는플라즈마를사용한성막방법을제공한다. TFT(30)에있어서, 4불화규소가스, 4염화규소가스, 질소가스및 아르곤가스를포함하는처리가스로부터생성된유도결합플라즈마에의해질화규소막으로이루어지는패시베이션층(37)이성막된다.

公开(公告)号：KR1020150002498A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：KR1020140077930

申请日：2014-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카토데츠야 ,  와타나베사치오

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L27/1262 ,  H01L51/5256

Abstract: 탈수소 공정을 행할 필요를 없앨 수 있는 다층 보호막의 형성 방법을 제공한다.
IGZO를 포함하는 채널(32)에 접촉함과 함께, 질화규소막(31a, 35b) 및 산화규소막(31b, 35a)을 갖는 게이트 보호막(31)이나 패시베이션층(35)을 형성할 때, 염화규소 가스 및 수소 원자를 포함하지 않는 산소 가스를 사용해서 산화규소막(31b, 35a)을 성막하고, 염화규소 가스 및 수소 원자를 포함하지 않는 질소 함유 가스를 사용해서 질화규소막(31a, 35b)을 성막하고, 산화규소막(31b, 35a)의 성막 및 질화규소막(31a, 35b)의 성막을 연속해서 실행한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种在不进行脱氢处理的情况下形成多层钝化的方法。 当形成具有氮化硅层（31a，35b）和氧化硅层（31b，35a）的栅极钝化层（31）和钝化层（35）以与包含IGZO的沟道（32）接触时，氧化硅 使用不含氯化硅气体和氢气的氧气形成层（31b，35a），使用不含氯化硅气体和氢气的含氮气体形成氮化硅层（31a，35b），并且将氧化硅层 31b，35a）和氮化硅层（31a，35b）连续地形成。