公开(公告)号：KR101837800B1

公开(公告)日：2018-03-12

申请号：KR1020140148291

申请日：2014-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미무라후미히로 ,  사토히데아키 ,  가미카와유지 ,  하라히로미 ,  햐쿠타케히로노부 ,  히라야마츠카사 ,  다카하시슈우헤이

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은, 에칭액의양을적게억제하는것을목적으로한다. 에칭방법은, 에칭처리부내에에칭액을충전하는초기준비공정과, 피처리체에에칭을행하는에칭공정을구비하고있다. 초기준비공정은, 고 Si 농도의신규에칭액을이용한액 공급공정을포함하고, 에칭공정은저 Si 농도의신규에칭액을이용한부분액교환공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是在很小程度上抑制蚀刻溶液的量。 蚀刻方法包括将蚀刻剂填充到蚀刻处理部分中的初始准备步骤和蚀刻待处理对象的蚀刻步骤。 初始准备步骤，并以供给液体和的步骤，并使用Si浓度的新的蚀刻液中的蚀刻工艺包括使用低Si浓度的新的蚀刻溶液部分液体交换步骤。

公开(公告)号：KR1020150050455A

公开(公告)日：2015-05-08

申请号：KR1020140148291

申请日：2014-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미무라후미히로 ,  사토히데아키 ,  가미카와유지 ,  하라히로미 ,  햐쿠타케히로노부 ,  히라야마츠카사 ,  다카하시슈우헤이

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67075

Abstract: 본발명은, 에칭액의양을적게억제하는것을목적으로한다. 에칭방법은, 에칭처리부내에에칭액을충전하는초기준비공정과, 피처리체에에칭을행하는에칭공정을구비하고있다. 초기준비공정은, 고 Si 농도의신규에칭액을이용한액 공급공정을포함하고, 에칭공정은저 Si 농도의신규에칭액을이용한부분액교환공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明的目的是减少蚀刻溶液的量。 蚀刻方法包括用于在蚀刻处理单元中重新填充蚀刻溶液的初始制备工艺和用于对目标物体进行蚀刻的蚀刻工艺。 初始制备方法包括使用具有高浓度Si的新的蚀刻溶液的溶液提供方法。 蚀刻工艺包括使用具有低浓度Si的新的蚀刻溶液的部分溶液交换过程。