公开(公告)号：KR1020170012047A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：KR1020160089864

申请日：2016-07-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 햐쿠타케히로노부 ,  츠치야다카후미 ,  간자키고이치로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

CPC classification number: G03F7/423 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67253

Abstract: 본발명은기판을투입한직후에있어서의처리조내의약액성분농도의저하를억제하는것을목적으로한다. 기판액처리장치의제어부(5)는, 농도검출부(441)에의해검출된약액성분의농도에기초하여, 처리조(21) 내의처리액중에포함되는약액성분의농도가미리정해진허용하한값미만으로되지않도록, 약액성분공급부(42, 43)에의해처리액에약액성분을보충하는피드백제어로서의제1 제어를실행한다. 제어부는, 제1 제어와는별도로, 처리조내의처리액중에기판이투입되기전 혹은투입된직후에, 또는기판의투입전으로부터투입후에걸쳐, 상기기판의투입에기인하여발생하는약액성분농도의저하를상쇄하기위해서필요한미리정해진양의약액성분을, 약액성분공급부에의해처리액에보충하는제2 제어를실행한다.

Abstract translation: 公开了一种基板液体处理设备，包括：处理液，其中存储有处理液体; 提供化学液体组分的化学液体组分供应单元; 浓度检测单元，其检测所述药液成分的浓度; 以及控制器，被配置为执行作为反馈控制的第一控制，所述反馈控制用所述化学液体成分补充所述处理液体，使得包含在所述处理液中的所述处理液体中的所述化学液体成分的浓度不会变得小于预定的允许下限 基于由浓度检测单元检测到的化学液体成分的浓度。 此外，控制器进行第二控制，其中补充处理液的化学液体成分以预定量来补偿由引入基材引起的化学液体成分的浓度的降低。

公开(公告)号：KR101837800B1

公开(公告)日：2018-03-12

申请号：KR1020140148291

申请日：2014-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미무라후미히로 ,  사토히데아키 ,  가미카와유지 ,  하라히로미 ,  햐쿠타케히로노부 ,  히라야마츠카사 ,  다카하시슈우헤이

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은, 에칭액의양을적게억제하는것을목적으로한다. 에칭방법은, 에칭처리부내에에칭액을충전하는초기준비공정과, 피처리체에에칭을행하는에칭공정을구비하고있다. 초기준비공정은, 고 Si 농도의신규에칭액을이용한액 공급공정을포함하고, 에칭공정은저 Si 농도의신규에칭액을이용한부분액교환공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是在很小程度上抑制蚀刻溶液的量。 蚀刻方法包括将蚀刻剂填充到蚀刻处理部分中的初始准备步骤和蚀刻待处理对象的蚀刻步骤。 初始准备步骤，并以供给液体和的步骤，并使用Si浓度的新的蚀刻液中的蚀刻工艺包括使用低Si浓度的新的蚀刻溶液部分液体交换步骤。

公开(公告)号：KR101315581B1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：KR1020100015653

申请日：2010-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 햐쿠타케히로노부 ,  니시무라히데키 ,  다나카히로시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67769

Abstract: 본 발명은, 건조 처리에 이용되는 가스 중의 파티클을 제거하는 여과재에 대하여, 이 여과재를 가스가 흐르는 유로 상에 배치한 상태로 이 여과재에 부착된 부착물을 제거하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판 처리 장치(1)는 건조 가스 발생부(23)에서 건조용 가스를 발생시키고, 이 건조용 가스를 여과재(31)를 통하여 흐르게 하여 파티클을 제거한 후, 처리부에서 액체가 부착된 기판(W)과 접촉시켜 기판(W)의 건조 처리를 행한다. 여과재 가열부는, 건조 처리시에는, 건조 가스의 온도를 노점(露点) 이상으로 유지하기 위해서 여과재(31)를 제1 온도로 가열하고, 여과재(31)의 재생 처리시에는, 여과재(31)에 부착된 부착물을 기화시켜 제거하기 위해서 여과재(31)를 제1 온도보다 높은 제2 온도로 가열한다.

公开(公告)号：KR1020110132235A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：KR1020110047982

申请日：2011-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 햐쿠타케히로노부 ,  시모무라신이치로

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67086

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and method, and a recording medium are provided to uniformly process a plurality of substrates with a medicinal fluid by uniformly maintaining the medicinal fluid in a process bath with uniform temperature. CONSTITUTION: A process bath(10) has a pair of sidewalls which is faced each other. The process bath undercurrents a medicinal fluid and processes a plurality of substrates with the medicinal fluid. A board support apparatus(20) comprises a maintenance unit which sets a plurality of substrates stand up and maintains. The board support apparatus dips the substrate which is maintained in the maintenance unit in the medicinal fluid. A heater(80) which is installed in the process bath heats the medicinal fluid. The heater comprises a first heater which is installed in one side of a sidewall and a second heater which is installed in the other side of the sidewall.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和方法以及记录介质，通过将药液均匀地保持在均匀温度的工艺槽中，均匀地处理多个基板与药液。 构成：工艺槽（10）具有彼此面对的一对侧壁。 处理液使医药流体下流，并且用药液处理多个基板。 板支撑装置（20）包括设置多个基板的维护单元，并维持。 板支撑装置将保持在维护单元中的基板浸入药液中。 安装在处理槽中的加热器（80）加热药液。 加热器包括安装在侧壁一侧的第一加热器和安装在侧壁另一侧的第二加热器。

公开(公告)号：KR1020110102180A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：KR1020110018901

申请日：2011-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히로시 ,  햐쿠타케히로노부 ,  우노타카시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67028

Abstract: There is provided a substrate processing method including cleaning a substrate by immersing the substrate in a cleaning solution in a longitudinal direction while the cleaning solution is supplied to a cleaning tank; transferring the substrate picked up from the cleaning tank to a drying chamber while holding the substrate in a longitudinal direction; and drying the substrate in the drying chamber communicating with an upper area of the cleaning tank by alternately supplying a first drying gas containing vapor of a solvent for removing a liquid and a second drying gas without containing the vapor of the solvent for removing the liquid to an area where the substrate is exposed between the upper area of the cleaning tank and the drying chamber after an upper end of the cleaned substrate is picked up from a liquid surface of the cleaning solution.

Abstract translation: 提供了一种基板处理方法，包括：在将清洁溶液供应到清洁槽的同时，将基板沿纵向浸入清洁溶液中来清洁基板; 将从清洗槽取出的基板沿纵向方向保持在干燥室内， 通过交替地供给含有用于除去液体的溶剂的蒸气的第一干燥气体和不含用于除去液体的溶剂的蒸气的第二干燥气体，来干燥与干净室的上部区域连通的干燥室中的基板，以 在从清洗液的液面拾取清洗后的基板的上端之后，基板在清洗槽的上部区域与干燥室之间露出的区域。

公开(公告)号：KR1020100100614A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020100015653

申请日：2010-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 햐쿠타케히로노부 ,  니시무라히데키 ,  다나카히로시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67769

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a method for reproducing a filtering material, and a storing media are provided to improve the rate of operations by omitting a filtering material replacing operation. CONSTITUTION: A dry gas generating unit(23) heats fluid to obtain a gas for a dry operation. The dry gas generating unit includes a temperature control function. A filtering material(222) eliminates particles in the gas for the dry operation. A filtering material heating unit(234) heats the filtering material. A processing unit implements the dry operation using the gas for the dry operation. A controlling unit controls the temperature for heating the filtering material heating unit.

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，再生过滤材料的方法和存储介质，以通过省略过滤材料替换操作来提高操作速度。 构成：干燥气体发生单元（23）加热流体以获得用于干燥操作的气体。 干燥气体发生单元包括温度控制功能。 过滤材料（222）消除用于干燥操作的气体中的颗粒。 过滤材料加热单元（234）加热过滤材料。 处理单元使用用于干燥操作的气体进行干燥操作。 控制单元控制用于加热过滤材料加热单元的温度。

公开(公告)号：KR101545373B1

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：KR1020110047982

申请日：2011-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 햐쿠타케히로노부 ,  시모무라신이치로

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67086

Abstract: 본발명은약액처리시에처리조안의약액의온도를균일하게하여, 복수의기판을균일하게약액처리할수 있는기판처리장치를제공하는것을목적으로한다. 본발명에따른기판처리장치(1)는, 서로대향하는한 쌍의측벽(10a, 10b)을가지며, 약액을저류하여복수의기판을약액처리하는처리조(10)와, 복수의기판을기립시켜유지하는유지부(21)와, 유지부(21)에연결되고, 처리조(10) 안에반입되었을때에, 유지부(21)에유지된기판과처리조(10)의한쪽측벽(10a) 사이에개재되는배부(22)를가지며, 유지부(21)에유지된기판을약액에침지시키는기판유지기구(20)를구비한다. 처리조(10)에, 저류된약액을가열하는가열기(80)가설치된다. 이가열기(80)는한쪽측벽(10a)에설치된제1 가열기(81)와, 다른쪽측벽(10b)에설치된제2 가열기(82)를갖고, 제1 가열기(81)의출력과제2 가열기(82)의출력은개별적으로제어된다.

公开(公告)号：KR101531437B1

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：KR1020117007883

申请日：2009-11-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 햐쿠타케히로노부 ,  야마시타고지 ,  가미토모신고

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B01D53/78 ,  B01D53/185 ,  B01D2252/103 ,  B01D2258/0216 ,  H01L21/67017

Abstract: 본발명은, 배기중의처리유체농도를저감시켜, 기판처리장치에접속된배기설비로유입되는처리유체가저감되어, 배기설비에대한부담을경감시키는것을목적으로한다. 기판처리장치(1)는, 기판(2)을처리하기위한기판처리부(21)와, 기판(2)을처리하는처리유체를기판처리부(21)에공급하기위한처리유체공급부(22)와, 기판처리부(21)로부터배출된처리유체를함유하는배기가유입되는배기처리부(23)를포함하고있다. 배기처리부(23)는, 배기를향해처리유체를용해하는용매를분무하는분무노즐(48, 49)을포함하며, 이것에의해배기중의처리유체농도를저감시킨다. 또한, 상기배기처리부(23)는, 내부에배기를분산시키기위한다공형의분산판(52, 53, 54)을포함하고있다.

公开(公告)号：KR1020150050455A

公开(公告)日：2015-05-08

申请号：KR1020140148291

申请日：2014-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미무라후미히로 ,  사토히데아키 ,  가미카와유지 ,  하라히로미 ,  햐쿠타케히로노부 ,  히라야마츠카사 ,  다카하시슈우헤이

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67075

Abstract: 본발명은, 에칭액의양을적게억제하는것을목적으로한다. 에칭방법은, 에칭처리부내에에칭액을충전하는초기준비공정과, 피처리체에에칭을행하는에칭공정을구비하고있다. 초기준비공정은, 고 Si 농도의신규에칭액을이용한액 공급공정을포함하고, 에칭공정은저 Si 농도의신규에칭액을이용한부분액교환공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明的目的是减少蚀刻溶液的量。 蚀刻方法包括用于在蚀刻处理单元中重新填充蚀刻溶液的初始制备工艺和用于对目标物体进行蚀刻的蚀刻工艺。 初始制备方法包括使用具有高浓度Si的新的蚀刻溶液的溶液提供方法。 蚀刻工艺包括使用具有低浓度Si的新的蚀刻溶液的部分溶液交换过程。

公开(公告)号：KR101506203B1

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：KR1020110018901

申请日：2011-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히로시 ,  햐쿠타케히로노부 ,  우노타카시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67028

Abstract: 피처리 기판으로의 영향을 저감시키면서 양호한 세정, 건조 처리를 실행 가능한 기판 처리 장치 등을 제공한다. 기판 처리 장치(2)에 설치된 세정조(221)에서는 세정액 공급부로부터 세정액을 공급하면서 당해 세정액에 피처리 기판(W)을 세로 방향 상태로 침지시켜 세정이 행해지고, 이 세정조(221)의 상방 영역과 연통되는 건조실(21)에서는 세정조(221)에서 끌어올려진 피처리 기판(W)의 건조가 행해진다. 그리고, 제 1 건조 가스 공급부 및 제 2 건조 가스 공급부로부터는, 세정 후의 피처리 기판(W)의 상단이 세정액의 액면으로부터 상방으로 끌어올려진 후, 적어도 피처리 기판이 노출되는 영역에, 상기 세정조의 상방 영역에서부터 건조실 내에 이르기까지의 분위기에 액체 제거용의 용제 증기를 포함하는 제 1 건조 가스와 상기 용제 증기를 포함하지 않는 제 2 건조 가스가 교호로 공급된다.