公开(公告)号：KR1020170000360A

公开(公告)日：2017-01-02

申请号：KR1020160078533

申请日：2016-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도무라마주 ,  다케다료헤이 ,  다카시마류이치 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: [과제] 극저온의온도제어에의해에칭을촉진시키는것을목적으로한다. [해결수단] 기판의표면온도를 -35℃미만으로제어하고, 제1 고주파전원이출력하는제1 고주파전력및 제2 고주파전원이출력하는제2 고주파전력을이용하여수소함유가스및 불소함유가스로부터플라즈마를생성하고, 플라즈마에의해실리콘산화막을에칭처리하는제1 공정과, 상기제2 고주파전원의출력을정지하고, 플라즈마에의해실리콘산화막을에칭처리하는제2 공정을포함하고, 상기제1 공정과상기제2 공정을복수회반복하는에칭처리방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020160008499A

公开(公告)日：2016-01-22

申请号：KR1020157024228

申请日：2014-05-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타가이토게이지 ,  고바야시후미야 ,  도무라마주

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 에칭대상막 및패터닝된마스크를포함하는피처리체를플라즈마에칭하는플라즈마에칭방법으로서, 상기마스크를이용하여상기에칭대상막을플라즈마에칭하는제1 공정과, 상기제1 공정에의해에칭된상기에칭대상막의측벽부의적어도일부에, 실리콘함유가스의플라즈마에의해실리콘함유막을퇴적시키는제2 공정을갖는플라즈마에칭방법.

公开(公告)号：KR1020210056241A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：KR1020200145269

申请日：2020-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코야마다카히로 ,  도무라마주 ,  기하라요시히데 ,  스다류타로 ,  오루이다카토시

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02

Abstract: 개시되는에칭방법은, 플라즈마처리장치의챔버내에기판을준비하는공정을포함한다. 기판은, 실리콘함유막을포함한다. 에칭방법은, 챔버내에서처리가스로형성된플라즈마로부터의화학종에의하여실리콘함유막을에칭하는공정을더 포함한다. 처리가스는, 할로젠원소및 인을포함한다.

公开(公告)号：KR1020210056240A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：KR1020200145268

申请日：2020-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코야마다카히로 ,  도무라마주 ,  기하라요시히데 ,  오우치다사토시

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205

Abstract: 개시되는에칭방법은, 플라즈마처리장치의챔버내에기판을준비하는공정 (a)를포함한다. 기판은, 실리콘함유막및 마스크를포함한다. 마스크는, 탄소를함유한다. 에칭방법은, 챔버내에서처리가스로부터생성된플라즈마로부터의화학종에의하여실리콘함유막을에칭하는공정 (b)를더 포함한다. 처리가스는, 할로젠원소및 인을포함한다. 공정 (b)에있어서, 마스크의표면에탄소와인의결합이형성된다.

公开(公告)号：KR102166970B1

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：KR1020157024228

申请日：2014-05-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타가이토게이지 ,  고바야시후미야 ,  도무라마주

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

公开(公告)号：KR1020160028370A

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：KR1020150121028

申请日：2015-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도무라마주 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H05H1/46 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76897

Abstract: 산화실리콘으로구성된제 1 영역을질화실리콘으로구성된제 2 영역에대해선택적으로에칭하는방법을제공한다. 일실시형태의방법은, (a) 제 1 영역및 제 2 영역을갖는피처리체를, 플루오로카본가스를포함하는처리가스의플라즈마에노출시키는제 1 공정으로서, 제 1 영역을에칭하고, 또한제 1 영역및 제 2 영역상에플루오로카본을포함하는퇴적물을형성하는, 해당제 1 공정과, (b) 퇴적물에포함되는플루오로카본의라디칼에의해제 1 영역을에칭하는제 2 공정을포함한다. 이방법의제 1 공정에서는플라즈마가펄스형상의고주파전력에의해생성된다. 또한, 제 1 공정과제 2 공정이교대로반복된다.

Abstract translation: 提供了一种用于相对于由氮化硅制成的第二区域选择性地蚀刻由氧化硅制成的第一区域的方法。 该方法包括：第一步骤，将具有第一区域和第二区域的被处理物体暴露于含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，蚀刻第一区域，以及在第一区域上形成含有碳氟化合物的沉积物， 第二区 以及由所述沉积物中所含的碳氟化合物的基团蚀刻所述第一区域的第二步骤。 在第一步骤中，通过以脉冲方式提供的高频功率产生等离子体。 此外，交替地重复第一步骤和第二步骤。 因此，该方法抑制了第一区域中的蚀刻速率的降低，并且提高了相对于第二区域蚀刻第一区域的选择性。