公开(公告)号：KR1020130135233A

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020137004141

申请日：2011-08-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우가진하지메 ,  도자와시게키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 본 발명은 화학적 제거 처리에 의해서 Si계 막을 효과적으로 제거한다. 처리실(21)내에 수납한 기판 표면의 Si계 막을 제거하는 기판 처리 방법은, 처리실(21)내에서, 할로겐 원소를 포함하는 가스와 염기성 가스에 의해, 기판 표면의 Si계 막을 반응 생성물로 변질시키는 제 1 공정 S1과, 상기 처리실(21)내를 제 1 공정 S1보다 감압하여, 상기 반응 생성물을 기화시키는 제 2 공정 S2을 2회 이상 반복하는 것을 포함한다. 이것에 의해, Si계 막의 제거 레이트가 높아지고, 생산성이 향상한다.

公开(公告)号：KR1020090103782A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020090025765

申请日：2009-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다시오니시 ,  도자와시게키 ,  무라키유스케 ,  니토다카후미

IPC: H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68785

Abstract: PURPOSE: A heating treatment apparatus is provided to suppress the metal contamination of the lower-part of the silicon substrate by silicon cover. CONSTITUTION: The heating treatment apparatus heat-treats the silicon substrate. The heating treatment apparatus includes the main chuck(23), and the cover(35). The main chuck heats the silicon substrate(W). The cover is formed in the upper side of the main chuck. The cover is made of one among silicon, SiC, and aluminum-nitride. The cover is the disc shape. The cover has the diameter which is bigger than the silicon substrate of the disc shape mounted on the main chuck.

Abstract translation: 目的：提供一种加热处理装置，以通过硅覆盖来抑制硅基板的下部的金属污染。 构成：加热处理装置对硅基板进行热处理。 加热处理装置包括主夹头（23）和盖（35）。 主吸盘加热硅衬底（W）。 盖子形成在主卡盘的上侧。 盖由硅，SiC和氮化铝之一制成。 盖子是圆盘形状。 该盖的直径大于安装在主卡盘上的盘形状的硅基板。

公开(公告)号：KR101432327B1

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：KR1020097005837

申请日：2007-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라키유스케 ,  도자와시게키

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748

Abstract: 가스 처리 장치는, 웨이퍼 (W) 를 수용하는 챔버 (40) 와, 챔버 (40) 에 대해 1 장씩 피처리체를 반송하는 반송 기구 (17) 와, 챔버 (40) 내에 웨이퍼 (W) 에 대해 가스 처리를 실시하기 위한 흡착성을 갖는 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 1 장째의 피처리체를 상기 챔버에 반입하기 전에 상기 처리 가스를 상기 챔버에 도입시켜, 소정 시간 후에 상기 챔버 내에 1 장째의 피처리체를 반입시키도록 상기 가스 공급 기구와 상기 반송 기구를 제어하는 제어부 (90) 를 구비한다.
가스 처리 장치, 가스 공급 기구, 반송 기구, 반도체 디바이스

公开(公告)号：KR101150268B1

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：KR1020090025765

申请日：2009-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다시오니시 ,  도자와시게키 ,  무라키유스케 ,  니토다카후미

IPC: H01L21/687

Abstract: 열처리 장치에 있어서 가열 온도를 높게 하여도, 실리콘 기판 하면의 금속 오염을 충분히 억제할 수 있도록 한다.
실리콘 기판(W)을 열처리하는 열처리 장치(4)에 있어서, 실리콘 기판(W)을 탑재시켜 가열하는 탑재대(23)를 구비하고, 탑재대(23)의 상면에 실리콘, 탄화 실리콘, 질화 알루미늄 중 어느 하나로 이루어지는 커버(35)를 배치하였다. 탑재대(23)의 상면을 실리콘 등의 커버(35)로 덮는 것에 의해, 실리콘 기판(W) 하면의 금속 오염을 억제한다.

公开(公告)号：KR1020080092837A

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：KR1020080018228

申请日：2008-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도자와시게키 ,  무라키유스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155

Abstract: An etching of a silicon oxide layer is provided to implement a hole with a sufficient contact between a contact material in the hole and a contact section by using gas containing HF. A target having first and second oxide layers(201,202) and a contact section(203) is prepared. The first oxide layer(201) is formed on a substrate(200) and made of a silicon oxide layer containing at least one of B and P. The second oxide layer is formed on the first oxide layer and made of a silicon oxide that does not contain B and P. The contact section is formed at a portion lower than the first and second oxide layers. The second oxide layer and the first oxide layer are etched to form a hole(204) reaching the contact section. The first oxide layer is etched by a dry process using gas containing HF to widen a hole portion at an upper of the contact section on the first oxide layer. The hole forming process is performed by a plasma etching process. The widening process is performed by a plasma-less etching process.

Abstract translation: 提供氧化硅层的蚀刻以通过使用含有HF的气体来实现在孔中的接触材料与接触部分之间具有充分接触的孔。 制备具有第一和第二氧化物层（201,202）和接触部分（203）的靶。 第一氧化物层（201）形成在基板（200）上并由含有B和P中的至少一个的氧化硅层制成。第二氧化物层形成在第一氧化物层上，由氧化硅制成 不包含B和P.接触部分形成在比第一和第二氧化物层低的部分。 蚀刻第二氧化物层和第一氧化物层以形成到达接触部分的孔（204）。 通过使用含有HF的气体的干法来蚀刻第一氧化物层，以加宽第一氧化物层上的接触部分的上部的孔部分。 孔形成工艺通过等离子体蚀刻工艺进行。 通过无等离子体蚀刻工艺进行加宽工艺。

公开(公告)号：KR1020160118387A

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：KR1020167027189

申请日：2011-08-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우가진하지메 ,  도자와시게키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/762 ,  H01L29/66 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 본발명은화학적제거처리에의해서 Si계막을효과적으로제거한다. 처리실(21)내에수납한기판표면의 Si계막을제거하는기판처리방법은, 처리실(21)내에서, 할로겐원소를포함하는가스와염기성가스에의해, 기판표면의 Si계막을반응생성물로변질시키는제 1 공정 S1과, 상기처리실(21)내를제 1 공정 S1보다감압하여, 상기반응생성물을기화시키는제 2 공정 S2을 2회이상반복하는것을포함한다. 이것에의해, Si계막의제거레이트가높아지고, 생산성이향상한다.

Abstract translation: 本发明通过化学除去处理有效地去除Si基膜。 处理腔室基于容纳在21一个基片表面上除去膜中Si的基板处理方法，所述处理室21内，它通过一个气体和含卤族元素的碱性气体的手段，在Si系膜的劣化是在基板表面的反应产物 第一步骤S1和第二步骤S2通过从第一步骤S1降低处理室21中的压力来使反应产物气化。 这增加了Si基膜的去除速率并提高了生产率。

公开(公告)号：KR101553075B1

公开(公告)日：2015-09-14

申请号：KR1020080116165

申请日：2008-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도자와시게키

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/76897

Abstract: [과제] 이상반응이일어날가능성을저감하고, 반도체집적회로장치의특성그리고수율의유지, 향상을도모할수 있는기판처리방법을제공하는것. [해결수단] 피처리기판 (W) 을불소를함유하는처리가스를포함하는분위기하에서가스처리하고, 피처리기판 (W) 의표면에불소를함유하는반응생성물 (312) 을형성하는제 1 공정과, 가스처리후의피처리기판 (W) 을가열처리하고, 불소와반응하는반응가스를포함하는분위기하에서가스처리하는제 2 공정을구비한다.

公开(公告)号：KR100403074B1

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：KR1019990030316

申请日：1999-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타가즈히로 ,  도자와시게키 ,  히로세준 ,  고시이시아키라 ,  곤도도모미

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3266

Abstract: The magnetron plasma processing apparatus includes a vacuum chamber in which a semiconductor wafer is accommodated. In the chamber, a pair of electrodes are provided to face each other, and the wafer is placed on one electrode. Between a pair of the electrodes, a vertical electric field is formed, and a horizontal magnetic field is formed by the dipole ring magnet to cross perpendicularly to the electric field. The magnetic field has a gradient of the magnetic field intensity such that the intensity is high on the upstream side and is low on the downstream side in the electron-drift direction. Further, the magnetic field is formed such that the intensity is made uniform over a large area including the end portion of the wafer on the upstream side in the electron-drift direction and a region right outside it.

Abstract translation: 磁控管等离子体处理装置包括容纳半导体晶片的真空室。 在腔室中，一对电极被设置为彼此面对，并且晶片被放置在一个电极上。 在一对电极之间形成垂直电场，并且由偶极环磁体形成水平磁场以垂直于电场交叉。 磁场具有磁场强度的梯度，使得在电子漂移方向上在上游侧强度高而在下游侧低。 此外，磁场形成为使得在包括电子漂移方向上游侧上的晶片的端部和其外部的区域的大面积上使强度均匀。

公开(公告)号：KR1020010052447A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020007013471

申请日：2000-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 한도타이 센탄 테크놀로지스

Inventor： 구보타가즈히로 ,  가와바타아쓰시 ,  도자와시게키 ,  이시카와히라쿠 ,  니시베하루히토

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명의 플라즈마처리장치는, 내부가 진공상태로 유지가능한 챔버와, 상기챔버내를 진공배기하는 배기기구와, 상기 챔버내로 처리가스를 도입하는 가스도입기구와, 상기 챔버내에 배치되어 피처리체를 지지하는 하부전극과, 상기 하부전극에 대향하여 설치된 상부전극을 구비한다. 상기 챔버밖에는, 고주파전원이 설치되고, 급전부재가, 상기 고주파전원으로부터 상기 하부전극에 이르고 있다. 급전부재를 통해 하부전극에 인가되는 고주파전원에 의해서 상부전극 및 하부전극의 사이에 형성되는 처리가스의 플라즈마로부터, 적어도 챔버내벽을 통하여 고주파전원으로 되돌아가는 리턴전류회로의 임피던스가, 임피던스조정수단에 의해서 조정된다.

公开(公告)号：KR101882531B1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：KR1020137004141

申请日：2011-08-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우가진하지메 ,  도자와시게키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 본발명은화학적제거처리에의해서 Si계막을효과적으로제거한다. 처리실(21)내에수납한기판표면의 Si계막을제거하는기판처리방법은, 처리실(21)내에서, 할로겐원소를포함하는가스와염기성가스에의해, 기판표면의 Si계막을반응생성물로변질시키는제 1 공정 S1과, 상기처리실(21)내를제 1 공정 S1보다감압하여, 상기반응생성물을기화시키는제 2 공정 S2을 2회이상반복하는것을포함한다. 이것에의해, Si계막의제거레이트가높아지고, 생산성이향상한다.