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公开(公告)号：KR1020120073365A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：KR1020127013814
申请日：2010-11-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 기판 상에 형성한 포토레지스트막을 마스크로 하여, 기판에 깊은 홀을 형성하기 위한 반도체 장치의 제조 방법으로서, 개구부를 가지는 포토레지스트막이 형성된 기판을 에칭 챔버 내에 설치하는 설치 공정과, 포토레지스트막을 마스크로 하고, 적어도 SiF
4 와 O
2 를 포함하는 제 1 혼합 가스를 이용하여, 에칭 챔버 내에 설치된 기판을 플라즈마 에칭하는 제 1 에칭 공정과, 제 1 에칭 공정에 이어서, 적어도 SF
6 과 O
2 와 HBr를 포함하는 제 2 혼합 가스를 이용하여 기판을 플라즈마 에칭하여, 기판에 홀을 형성하는 제 2 에칭 공정을 가진다.Abstract translation: 一种使用形成在基板上的光致抗蚀剂膜作为掩模在基板中形成深孔的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在蚀刻室中提供具有开口的光致抗蚀剂膜的基板; 至少是SiF
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160040512A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：KR1020167000360
申请日：2014-07-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32816 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02104 , H01L21/3065 , H01L21/67069
Abstract: 플라즈마처리장치는, 내부공간을처리공간에연통시키는연통홀이형성된유전체와, 내부공간을사이에두는제 1 및제 2 전극과, 제 1 처리가스를내부공간으로공급하는제 1 가스공급기구와, 제 1 및제 2 전극중 적어도어느일방에제 1 고주파전력을공급하고, 제 1 처리가스의제 1 플라즈마를생성하는제 1 고주파전원과, 제 1 플라즈마중의라디칼과제 1 처리가스를처리공간으로도입하는감압기구와, 제 2 고주파전력을공급하여, 제 1 처리가스의제 2 플라즈마를생성하고, 이온을피처리체에인입하는제 2 고주파전원과, 제 1 고주파전력의전체전력량의크기를제어하여, 제 2 플라즈마중의라디칼량을조정하고, 제 1 고주파전력의비율을제어하여, 제 2 플라즈마중의이온량을조정하는제어부를구비했다.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括具有连通孔的电介质构件，内部空间与处理空间连通; 第一电极和第二电极，被布置成彼此面对并具有内部空间; 第一气体供给装置，其将第一处理气体供给到所述内部空间中; 第一高频电源，其向第一电极和第二电极中的至少一个提供第一高频功率，以产生第一处理气体的第一等离子体; 减压装置，其将第一等离子体中的第一处理气体和自由基引入处理空间; 第二高频电源，其提供第二高频功率以产生所述第一处理气体的第二等离子体并将离子吸引到目标物体中; 以及控制单元，其通过控制第一高频功率的总量来调整第二等离子体中的自由基的量，并且通过控制第一高频功率之间的比例来调整第二高频功率中的离子的量 等离子体。
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公开(公告)号：KR102058592B1
公开(公告)日：2019-12-23
申请号：KR1020130085473
申请日：2013-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
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公开(公告)号：KR1020140011992A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020130085473
申请日：2013-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32449 , H01J37/32706 , H01J2237/334 , H01L21/3081 , H01L21/76898
Abstract: A substrate in which a semiconductor device is formed is smoothly etched. Provided is the etching method for etching the substrate from the other side of a silicon layer supported by a support substrate while the semiconductor device is formed on the surface. Plasma is formed by supplying a process gas containing the mixed gas in which the flow ratio of a fluorine compound gas, an oxygen gas, and a silicon tetrafluoride gas is 2 : 1 : 1.5 and a process gas containing the mixed gas in which the ratio of at least one among the oxygen gas and the silicon tetrafluoride gas is greater based on the fluorine compound gas relative to the 2 : 1 : 1.5 ratio into a chamber. Provided is the etching method including a main etching process for etching the substrate by the formed plasma and an over etching process for greatly etching the substrate by the plasma through applying a high frequency bias less than 400 kHz after the main etching process. [Reference numerals] (AA) Flow ratio of 0_2 gas to SF_6 gas; (BB) Top CD; (CC) Under CD; (DD) Undercut(U)0.8 쨉m; (EE,FF) Undercut(U) 0 쨉m; (GG) Undercut(U)=(under CD - top CD) / 2 쨌쨌쨌 (A); (HH) Undercut(U) 0.4 쨉m; (II) Flow ratio of SiF_4 gas to SF_6 gas
Abstract translation: 其中形成半导体器件的衬底被平滑地蚀刻。 提供了在半导体器件形成在表面上时从由支撑衬底支撑的硅层的另一侧蚀刻衬底的蚀刻方法。 通过供给包含氟化合物气体，氧气和四氟化硅气体的流量比为2:1:1.5的混合气体的处理气体和含有混合气体的混合气体的处理气体而形成等离子体， 基于氟化合物气体相对于室中的2:1:1.5比例，氧气和四氟化硅气体中的至少一个更大。 提供的蚀刻方法包括用于通过形成的等离子体蚀刻衬底的主蚀刻工艺和用于通过在主蚀刻工艺之后施加小于400kHz的高频偏压等离子体来大大蚀刻衬底的过蚀刻工艺。 （附图标记）（AA）0_2气体与SF_6气体的流量比; （BB）顶级CD; （CC）在CD下; （DD）底切（U）0.8쨉m; （EE，FF）底切（U）0쨉m; （GG）底切（U）=（CD-顶部CD）/ 2쨌쨌쨌（A）; （HH）底切（U）0.4쨉m; （II）SiF_4气体与SF_6气体的流量比
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公开(公告)号：KR101809150B1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020167000360
申请日：2014-07-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32816 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02104 , H01L21/3065 , H01L21/67069
Abstract: 플라즈마처리장치는, 내부공간을처리공간에연통시키는연통홀이형성된유전체와, 내부공간을사이에두는제 1 및제 2 전극과, 제 1 처리가스를내부공간으로공급하는제 1 가스공급기구와, 제 1 및제 2 전극중 적어도어느일방에제 1 고주파전력을공급하고, 제 1 처리가스의제 1 플라즈마를생성하는제 1 고주파전원과, 제 1 플라즈마중의라디칼과제 1 처리가스를처리공간으로도입하는감압기구와, 제 2 고주파전력을공급하여, 제 1 처리가스의제 2 플라즈마를생성하고, 이온을피처리체에인입하는제 2 고주파전원과, 제 1 고주파전력의전체전력량의크기를제어하여, 제 2 플라즈마중의라디칼량을조정하고, 제 1 고주파전력의비율을제어하여, 제 2 플라즈마중의이온량을조정하는제어부를구비했다.
Abstract translation: 和等离子体处理装置，并且介电连通孔被形成为连通的内部空间的处理空间，所述第一mitje第二电极以夹着所述内部空间，并包括：用于供给所述内部空间中的第一处理气体机构的第一气体供应， 第一mitje两个第一高频电源和所述第一高频电源，以在至少一方电极的供给并生成第一处理气体的第一等离子体，在将第一处理气体至处理空间的自由基任务第一等离子体 减压机构，和一个第二供给高频电力，产生该第一工艺气体的第二等离子体，并且对无线频率的总功率和一个第一高频电力的第二大小到传入离子向加工对象物的控制， 第二调整等离子体中的自由基的量，并且所述第一通过控制高频功率的比率，将其首先提供有控制单元，用于调节所述第二等离子体的离子的量。
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公开(公告)号：KR101295889B1
公开(公告)日：2013-08-12
申请号：KR1020127013814
申请日：2010-11-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 기판 상에 형성한 포토레지스트막을 마스크로 하여, 기판에 깊은 홀을 형성하기 위한 반도체 장치의 제조 방법으로서, 개구부를 가지는 포토레지스트막이 형성된 기판을 에칭 챔버 내에 설치하는 설치 공정과, 포토레지스트막을 마스크로 하고, 적어도 SiF
4 와 O
2 를 포함하는 제 1 혼합 가스를 이용하여, 에칭 챔버 내에 설치된 기판을 플라즈마 에칭하는 제 1 에칭 공정과, 제 1 에칭 공정에 이어서, 적어도 SF
6 과 O
2 와 HBr를 포함하는 제 2 혼합 가스를 이용하여 기판을 플라즈마 에칭하여, 기판에 홀을 형성하는 제 2 에칭 공정을 가진다.
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