公开(公告)号：KR101904576B1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：KR1020147000518

申请日：2012-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라야마유스케 ,  도노에가즈히토

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76898

Abstract: 위쪽에패터닝된실리콘산화막이형성되는피처리기판에있어서의실리콘층을제 1 처리가스에의해에칭하여구멍부분을형성하는플라즈마에칭방법에있어서, 일산화탄소가스를포함하는제 2 처리가스에의해실리콘산화막의표면에보호막을퇴적시키는제 1 퇴적스텝 S11과, 제 1 처리가스에의해실리콘층을에칭하는제 1 에칭스텝 S12와, 구멍부분의측벽에제 2 처리가스에의해보호막을퇴적시키는제 2 퇴적스텝 S13과, 제 1 처리가스에의해실리콘층을더 에칭하는제 2 에칭스텝 S14를갖고, 제 2 퇴적스텝 S13과제 2 에칭스텝 S14를적어도 2회씩교대로반복한다.

公开(公告)号：KR1020170009843A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：KR1020167030631

申请日：2015-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라야마유스케 ,  미야가와마사아키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46

Abstract: 본발명은챔버내부의부재를플라즈마로부터보호하고, 변질및 소모를방지하는것을과제로한다. 플라즈마처리방법은, 성막공정과, 플라즈마처리공정과, 제거공정을포함한다. 성막공정은, 산소함유가스에대한실리콘함유가스의유량비가 0.2∼1.4인산소함유가스및 실리콘함유가스의플라즈마에의해, 챔버의내부의부재의표면에대하여실리콘산화막을성막한다. 플라즈마처리공정은, 부재의표면에실리콘산화막이성막된후에, 챔버의내부에반입된피처리체를처리가스의플라즈마에의해플라즈마처리한다. 제거공정은, 플라즈마처리된피처리체가챔버의외부에반출된후에, 불소함유가스의플라즈마에의해부재의표면으로부터실리콘산화막을제거한다.

Abstract translation: 该等离子体处理方法包括成膜步骤，等离子体处理步骤和去除步骤。 在成膜步骤中，通过含氧气体和含硅气体的等离子体以含氧气体的流量比为基准在室内部件的表面上形成氧化硅膜 含硅气体为0.2-1.4。 在等离子体处理步骤中，在构件表面上形成氧化硅膜之后，使用处理气体的等离子体对被搬运到室内的待处理物进行等离子体处理。 在去除步骤中，在将等离子体处理物体搬出室外之后，通过含氟气体的等离子体从构件的表面除去氧化硅膜。

公开(公告)号：KR101295889B1

公开(公告)日：2013-08-12

申请号：KR1020127013814

申请日：2010-11-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우다슈이치로 ,  마루야마코지 ,  히라야마유스케

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065

Abstract: 기판 상에 형성한 포토레지스트막을 마스크로 하여, 기판에 깊은 홀을 형성하기 위한 반도체 장치의 제조 방법으로서, 개구부를 가지는 포토레지스트막이 형성된 기판을 에칭 챔버 내에 설치하는 설치 공정과, 포토레지스트막을 마스크로 하고, 적어도 SiF
4 와 O
2 를 포함하는 제 1 혼합 가스를 이용하여, 에칭 챔버 내에 설치된 기판을 플라즈마 에칭하는 제 1 에칭 공정과, 제 1 에칭 공정에 이어서, 적어도 SF
6 과 O
2 와 HBr를 포함하는 제 2 혼합 가스를 이용하여 기판을 플라즈마 에칭하여, 기판에 홀을 형성하는 제 2 에칭 공정을 가진다.

公开(公告)号：KR1020010050986A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000060019

申请日：2000-10-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토마사시 ,  히라야마유스케 ,  사카이이츠코 ,  오히와도쿠히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76897

Abstract: PURPOSE: A processor is provided to easily control circulation gas. CONSTITUTION: The processor has a shower head(200) supplying processing gas into a process chamber through several gas supply holes, a turbopump exhausting processing gas from the process chamber and a circulation gas piping(150) returning at least a part circulation gas(Q2) of exhaust gas exhausted from within the process chamber by the turbopump to the shower head. The shower head is provided with a primary gas supply system which supplies primary gas(Q1) supplied from a gas source into the process chamber through several primary gas jet holes(h1), and a circulation gas supply system supplying circulation gas into the process chamber through several circulation gas supply holes. The primary gas supplying system and the circulation gas supply system are independent systems. Since primary gas and circulation gas can be mixed in the process chamber for the first time, circulation gas can easily be controlled even if pressure control is not conducted.

Abstract translation: 目的：提供处理器以便于控制循环气体。 构成：处理器具有淋浴头（200），其通过几个气体供应孔向处理室提供处理气体，涡轮泵从处理室排出处理气体，循环气体管道（150）使至少部分循环气体（Q2 ）由涡轮泵从处理室中排出的废气到喷淋头。 淋浴头设置有主气体供给系统，其通过几个主气体喷射孔（h1）将从气体源供给的一次气体（Q1）供给到处理室，以及将循环气体供给到处理室 通过几个循环供气孔。 主要供气系统和循环气体供应系统是独立系统。 由于主气体和循环气体可以在处理室中首次混合，所以即使不进行压力控制，也能够容易地控制循环气体。

公开(公告)号：KR101894613B1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：KR1020137021021

申请日：2012-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도노에가즈히토 ,  히라야마유스케 ,  이시야마야스요시 ,  하시즈메와타루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76898

Abstract: 본발명에서는, 기판의표면에형성된레지스트마스크의하방에위치하는, 실리콘및 질소를포함하는중간막을처리가스에의해에칭하여, 상기중간막의하방에위치하는실리콘층을노출시키는제1 공정과, 계속해서염소가스를기판에공급하여, 상기레지스트마스크및 중간막의개구부의측벽에반응생성물을부착시키는제2 공정과, 그후에황과불소의화합물을포함하는처리가스를이용하여상기실리콘층에서의상기개구부에대응하는부위를에칭하여오목부를형성하는제3 공정을포함하는것을특징으로하는플라즈마에칭방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020170067717A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：KR1020177006036

申请日：2015-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라야마유스케 ,  미야가와마사아키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32009 ,  B29C59/14 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32917 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02274 ,  C23C16/42 ,  C23C16/50

Abstract: 챔버의내부의부재를플라즈마로부터보호하여, 변질및 소모를방지하는것. 플라즈마처리방법은, 성막(成膜) 공정과, 플라즈마처리공정과, 제거공정을포함한다. 성막공정은, 실리콘함유가스및 환원성가스의플라즈마에의해, 챔버의내부의부재의표면에대해실리콘함유막을성막한다. 플라즈마처리공정은, 부재의표면에실리콘함유막이성막된후에, 챔버의내부로반입된피처리체를처리가스의플라즈마에의해플라즈마처리한다. 제거공정은, 플라즈마처리된피처리체가챔버의외부로반출된후에, 불소함유가스의플라즈마에의해부재의표면으로부터실리콘함유막을제거한다.

Abstract translation: 保护腔室的内部构件不受等离子体影响，从而防止变质和磨损。 等离子体处理方法包括膜形成步骤，等离子体处理步骤和去除步骤。 成膜工序通过含硅气体和还原性气体的等离子体，在腔室内部件的表面形成含硅膜。 等离子体处理步骤中，在表面bujaeui形成含硅膜后，待治疗受检者对等离子体处理带到腔室的内部向所述处理气体的等离子体。 去除步骤在等离子体处理后的物体从腔室中取出之后通过含氟气体的等离子体从部件的表面去除含硅膜。

公开(公告)号：KR1020140051128A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：KR1020137021021

申请日：2012-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도노에가즈히토 ,  히라야마유스케 ,  이시야마야스요시 ,  하시즈메와타루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76898

Abstract: 본 발명에서는, 기판의 표면에 형성된 레지스트 마스크의 하방에 위치하는, 실리콘 및 질소를 포함하는 중간막을 처리 가스에 의해 에칭하여, 상기 중간막의 하방에 위치하는 실리콘층을 노출시키는 제1 공정과, 계속해서 염소 가스를 기판에 공급하여, 상기 레지스트 마스크 및 중간막의 개구부의 측벽에 반응 생성물을 부착시키는 제2 공정과, 그 후에 황과 불소의 화합물을 포함하는 처리 가스를 이용하여 상기 실리콘층에서의 상기 개구부에 대응하는 부위를 에칭하여 오목부를 형성하는 제3 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR100733237B1

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：KR1020000060019

申请日：2000-10-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토마사시 ,  히라야마유스케 ,  사카이이츠코 ,  오히와도쿠히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76897

Abstract: 순환 가스를 용이하게 제어할 수 있는 처리 장치를 제공한다.
처리 가스를 복수의 가스 공급 구멍을 거쳐서 처리실내에 공급하는 샤워 헤드(200)와, 처리실(110)내에서 처리 가스를 배기하는 터보 펌프(120)와, 터보 펌프에 의해 처리실내에서 배기된 배기 가스의 적어도 일부[순환 가스(Q2)]를 샤워 헤드에 복귀시키는 순환 가스용 배관(150)을 구비한 처리 장치(100)는, 샤워 헤드는, 가스원(140)으로부터 공급되는 1차 가스(Q1)를 복수의 1차 가스 분출 구멍(h1)을 거쳐서 처리실내에 공급하는 1차 가스 공급 계통과, 순환 가스를 복수의 순환 가스 공급 구멍을 거쳐서 처리실내에 공급하는 순환 가스 공급 계통을 구비하고, 1차 가스 공급 계통과 순환 가스 공급 계통은 서로 독립 계통으로서 구성된다. 처리실내에서 처음으로 1차 가스와 순환 가스를 혼합시킬 수 있기 때문에, 압력 제어를 하지 않더라도, 순환 가스를 용이하게 제어할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140050627A

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：KR1020147000518

申请日：2012-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라야마유스케 ,  도노에가즈히토

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76898

Abstract: 위쪽에 패터닝된 실리콘 산화막이 형성되는 피처리 기판에 있어서의 실리콘층을 제 1 처리 가스에 의해 에칭하여 구멍 부분을 형성하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 일산화탄소 가스를 포함하는 제 2 처리 가스에 의해 실리콘 산화막의 표면에 보호막을 퇴적시키는 제 1 퇴적 스텝 S11과, 제 1 처리 가스에 의해 실리콘층을 에칭하는 제 1 에칭 스텝 S12와, 구멍 부분의 측벽에 제 2 처리 가스에 의해 보호막을 퇴적시키는 제 2 퇴적 스텝 S13과, 제 1 처리 가스에 의해 실리콘층을 더 에칭하는 제 2 에칭 스텝 S14를 갖고, 제 2 퇴적 스텝 S13과 제 2 에칭 스텝 S14를 적어도 2회씩 교대로 반복한다.

公开(公告)号：KR101384589B1

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：KR1020127023268

申请日：2011-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노카츠유키 ,  히라야마유스케 ,  하토히데유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 홀 형상을 수직으로 하여 미세화를 도모할 수 있고, 또한 종래에 비해 공정수를 삭감할 수 있어, 생산성의 향상을 도모할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 기판에 홀을 형성하는 홀 형성 공정과, 상기 홀 내에 폴리이미드막을 형성하는 폴리이미드막 형성 공정과, 상기 기판을, 상기 홀 내의 측벽부의 상기 폴리이미드막을 덮는 마스크를 사용하지 않고 이방성 에칭하여, 상기 홀 내의 측벽부의 상기 폴리이미드막을 남긴 채로, 상기 홀 내의 저부의 상기 폴리이미드막의 적어도 일부를 제거하여 관통시키는 플라즈마 에칭 공정과, 상기 홀 내에 도체 금속을 충전하는 도체 금속 충전 공정을 구비한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.