公开(公告)号：KR101368768B1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：KR1020100116853

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  스즈키케이스케 ,  장재혁 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 성막 방법은, 진공 보지(保持; holding) 가능한 처리 용기 내에 수납된 피(被)처리체의 온도를 150∼550℃로 하여, 제1 공급 공정 및 제2 공급 공정을 교대로 포함하는 사이클을 복수회 반복하여, 상기 피처리체 상에 실리콘 질화막을 형성한다. 상기 제1 공급 공정에서는 압력을 66.65∼666.5Pa로 설정한 상기 처리 용기 내로 Si 소스로서의 모노클로로실란 가스를 공급한다. 상기 제2 공급 공정에서는 질화 가스로서의 질소 함유 가스를 상기 처리 용기 내로 공급한다.

公开(公告)号：KR101356445B1

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：KR1020100116850

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546

Abstract: 종형 성막 장치의 사용 방법은, 제품용 피(被)처리체가 존재하지 않는 상태의 처리 용기 내에서 처리 용기의 내벽을 코팅막으로 피복하는 코팅 처리를 행하고, 다음으로 제품용 피처리체를 보지(保持; holding)한 상태의 보지 부재가 수납된 처리 용기 내에서 제품용 피처리체 상에 소정의 막을 형성하는 성막 처리를 행한다. 코팅 처리에서는, 처리 용기 내에 제1 및 제2 처리 가스를 교대로, 또한 모두 플라즈마화하지 않고 공급한다. 성막 처리에서는, 처리 용기 내에 제1 및 제2 처리 가스를 교대로, 또한 이들의 적어도 한쪽을 플라즈마 생성계에 의해 플라즈마화하면서 공급한다.

公开(公告)号：KR1020110059539A

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：KR1020100116850

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546

Abstract: PURPOSE: A vertical film forming device, a using method thereof, and a storage medium are provided to reduce the Na density of SiN product layer by trapping Na in a coating layer by Cl. CONSTITUTION: A coating layer is coated on the inner wall of a process container(1). A holding member with a process agent forms a preset film on a target in the process container. First and second process gas is supplied to the process container without a plasma process in a coating process. The first and second process gas is supplied to the process container with a plasma process in a film forming process.

Abstract translation: 目的：提供垂直成膜装置及其使用方法和存储介质，以通过Cl将Na吸收在涂层中来降低SiN产物层的Na密度。 构成：将涂层涂覆在处理容器（1）的内壁上。 具有加工剂的保持构件在处理容器中的靶上形成预设膜。 在涂布过程中，没有等离子体处理，将第一和第二工艺气体供给到处理容器。 第一和第二处理气体在成膜过程中以等离子体处理方式供应给处理容器。

公开(公告)号：KR1020120075386A

公开(公告)日：2012-07-06

申请号：KR1020110141169

申请日：2011-12-23

Applicant: 엘피다 메모리 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지이모토키 ,  마츠나가마사노부 ,  야마모토가즈야 ,  우메자와고타

IPC: H01L21/318

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76834

Abstract: PURPOSE: A method for forming a nitride film is provided to the nitride film on a semiconductor wafer in which high density pattern is formed on the top by using a batch-type vertical plasma-assisted ALD(Atomic Layer Deposition) apparatus. CONSTITUTION: A wafer boat(101) revolves by a rotation mechanism(103) at predetermined rotation speed. A heating mechanism(104) is installed on the outer circumference of a quartz chamber(102). The heating mechanism heats the inside of the quartz chamber at predetermined temperature. Ammonia gas is entered into a plasma space(105) along a flow path(F2) and is entered into a processing container. An exhaust port(107) of the quartz chamber is connected with an exhaust pump.

Abstract translation: 目的：通过使用间歇式垂直等离子体辅助ALD（原子层沉积）装置，在顶部形成高密度图案的半导体晶片上的氮化物膜上提供形成氮化物膜的方法。 构成：晶片舟（101）以旋转机构（103）以预定转速旋转。 加热机构（104）安装在石英室（102）的外圆周上。 加热机构在预定温度下加热石英室的内部。 氨气体沿着流路（F2）进入等离子体空间（105），并进入处理容器。 石英室的排气口（107）与排气泵连接。

公开(公告)号：KR1020110059540A

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：KR1020100116853

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  스즈키케이스케 ,  장재혁 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: PURPOSE: A method and device for forming a film and a storage medium are provided to form an SiN layer by an ALD at 150 to 550 degrees centigrade. CONSTITUTION: A target is received in a process container(1). The temperature of the target is 150 to 550 degrees centigrade. A silicon nitrification layer is formed on the target by repeating a first supply process and a second supply process. MCS gas is supplied to the process container of 66.65 to 666.5 Pa as a Si source. Nitrogen containing gas is supplied to the process container as nitrification gas.

Abstract translation: 目的：提供用于形成膜和存储介质的方法和装置，以通过ALD在150至550摄氏度下形成SiN层。 构成：在过程容器（1）中接收目标。 目标温度为150至550摄氏度。 通过重复第一供给处理和第二供给处理，在目标物上形成硅硝化层。 作为Si源，将MCS气体供给66.65〜666.5Pa的处理容器。 将含氮气体作为硝化气体供给到处理容器。