公开(公告)号：KR1020110117699A

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：KR1020117020835

申请日：2010-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히데후미 ,  모리야츠요시 ,  니시무라에이치 ,  가와구치신이치 ,  야마와쿠준 ,  미야우치구니오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02101 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109

Abstract: 간단한 장치 구성에서 실시 가능하고, 미세 패턴이 형성되어 있는 기판을 그 미세 패턴에 악영향을 주는 일 없이 단시간에 세정하기 위한 기판 세정 방법을 제공한다. 웨이퍼 W의 표면에 소정의 가공을 실시하는 처리 챔버로부터 웨이퍼 W의 세정을 실행하는 세정 챔버에 웨이퍼 W를 반송하고, 세정 챔버내에 있어 웨이퍼 W를 소정 온도로 냉각하고, 초유동체로서의 초유동 헬륨을 웨이퍼 W의 표면에 공급하고, 웨이퍼 W의 표면으로부터 초유동 헬륨을 유출하는 것에 의해서 미세 패턴내의 오염 성분을 흘러가게 한다.

公开(公告)号：KR101220697B1

公开(公告)日：2013-01-21

申请号：KR1020117020835

申请日：2010-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히데후미 ,  모리야츠요시 ,  니시무라에이치 ,  가와구치신이치 ,  야마와쿠준 ,  미야우치구니오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02101 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109

Abstract: 간단한 장치 구성에서 실시 가능하고, 미세 패턴이 형성되어 있는 기판을 그 미세 패턴에 악영향을 주는 일 없이 단시간에 세정하기 위한 기판 세정 방법을 제공한다. 웨이퍼 W의 표면에 소정의 가공을 실시하는 처리 챔버로부터 웨이퍼 W의 세정을 실행하는 세정 챔버에 웨이퍼 W를 반송하고, 세정 챔버내에 있어 웨이퍼 W를 소정 온도로 냉각하고, 초유동체로서의 초유동 헬륨을 웨이퍼 W의 표면에 공급하고, 웨이퍼 W의 표면으로부터 초유동 헬륨을 유출하는 것에 의해서 미세 패턴내의 오염 성분을 흘러가게 한다.