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公开(公告)号：KR101124745B1
公开(公告)日：2012-03-23
申请号：KR1020090102313
申请日：2009-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
CPC classification number: B08B7/04 , B08B5/04 , B08B6/00 , B08B7/0035 , C23C16/4401 , C23C16/4412
Abstract: 본 발명은 진공 처리시에 챔버내에 발생하는 파티클 및/또는 아웃가스를 흡착하여, 제거할 수 있는 기판 처리 장치의 진공 배기 방법을 제공한다. 웨이퍼 W를 탑재하는 스테이지(12)를 구비한 챔버(11)를 대기 개방 후에 감압하는 기판 처리 장치의 진공 배기 방법에 있어서, 스테이지(12) 표면을 보호 부재(25)로 덮는 보호 부재 피복 단계와, 챔버(11)를 밀폐하는 밀폐 단계와, 밀봉한 챔버내를 감압하는 진공 배기 단계를 갖는다. 보호 부재(25)는 파티클 P 및 아웃가스를 포집하는 가스 흡착 기능을 구비한 트랩부(38)와 베이스부(26)를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020060090212A
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020060068647
申请日：2006-07-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 키타노준이치 , 마츠야마유지 , 키타노타카히로 , 카타노타카유키 , 마츠이히데후미 , 스즈키요 , 야마시타마사미 , 아오야마토루 , 이와키히로유키 , 시무라사토루 , 데구치마사토시 , 요시하라코우스케 , 이이다나루아키
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67178 , G03F7/70991 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/67161 , H01L21/67184 , H01L21/67742 , H01L21/67778 , Y10T29/41 , G03F7/70875 , H01L21/67098
Abstract: 도포현상 처리시스템에 있어서 경계판에 의해 나누어진 각 영역, 즉 카세트 스테이션, 처리 스테이션 및 인터페이스부의 상부에 각 영역 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 각각 설치한다. 상기 각 영역의 하부에는 각 영역 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관을 설치한다. 각 기체 공급장치로 산소 등의 불순물이나 미립자를 포함하지 않는 불활성 기체를 각 영역 내로 공급하고 각 영역 내의 분위기를 배기관으로 배기함으로써 각 영역 내의 분위기를 청정한 상태로 유지한다.
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公开(公告)号：KR1020020010442A
公开(公告)日：2002-02-04
申请号：KR1020010004660
申请日：2001-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 키타노준이치 , 마츠야마유지 , 키타노타카히로 , 카타노타카유키 , 마츠이히데후미 , 스즈키요 , 야마시타마사미 , 아오야마토루 , 이와키히로유키 , 시무라사토루 , 데구치마사토시 , 요시하라코우스케 , 이이다나루아키
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/67178 , G03F7/70991 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/67161 , H01L21/67184 , H01L21/67742 , H01L21/67778 , Y10T29/41
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and method are provided to prevent an adhesion of fine impurities or particles on a substrate and to improve a uniformity of line-width between substrates. CONSTITUTION: On top of respective areas divided by partition plates, that is, a cassette station(2), a processing station(3), and an interface section(4) in a coating and developing processing system, gas supply sections(70,71,72) for supplying an inert gas into the respective areas are provided. Exhaust pipes(75,76,77) for exhausting atmospheres in the respective areas are provided at the bottom of the respective areas. The atmospheres in the respective areas are maintained in a clean condition by supplying the inert gas not containing impurities such as oxygen and fine particles from the respective gas supply sections into the respective areas and exhausting the atmospheres in the respective areas from the exhaust pipes(75,76,77).
Abstract translation: 目的：提供基板处理装置和方法，以防止细小的杂质或颗粒附着在基板上并提高基板之间的线宽的均匀性。 构成：在涂覆和显影处理系统中，由分隔板（即，盒式磁带站（2）），处理站（3）和接口区段（4）分隔的各个区域之上， 71,72）用于将惰性气体供应到各个区域。 在各个区域的底部设置用于排出各区域的气氛的排气管（75,76,77）。 通过将不含杂质的惰性气体（例如氧气和细颗粒）从各个气体供应区域供应到各个区域并且从排气管（75）排出各个区域中的气氛，将各个区域中的气氛保持在清洁状态 ，76,77）。
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公开(公告)号：KR1020120120975A
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：KR1020127026373
申请日：2011-02-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 이와타니 산교 가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02063 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32816 , H01J37/32862 , H01L21/76808 , H01L21/76814
Abstract: 패턴의 형상을 유지한 상태에서 패턴의 바닥부까지 세정 가능한 세정 방법을 제공한다.
진공 상태로 유지된 처리용기(100)내에서, 웨이퍼(W)상의 막에 소정의 패턴을 형성하는 웨이퍼(W)의 세정 방법은 에칭 처리에 의해 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼(W)상의 막을 원하는 클리닝 가스에 의해 세정하는 공정과(전 공정), 전 공정 후, 산화성 가스에 의해 패턴 표면의 잔사를 산화시키는 공정과(산화 공정), 상기 산화된 잔사를 환원성 가스에 의해 환원시키는 공정(환원 공정)을 포함한다. 산화 공정과 환원 공정은 연속해서 실행한다(연속 공정). 전 공정 및 연속 공정에 이용되는 가스는 내부압력(P
s )이 처리용기(100)의 내부압력(P
0 )보다 고압으로 유지된 가스 노즐(110)로부터 처리용기(100)내로 방출되는 것에 의해 클러스터화된다.-
公开(公告)号：KR101196542B1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：KR1020090102320
申请日：2009-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B7/0071 , B08B7/0064 , B08B7/02 , H01L21/67028 , H01L21/67115
Abstract: 패턴 쓰러짐을 발생시키는 일이 없는 기판 세정 방법을 제공한다. 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 파티클(P)을 세정, 제거하는 기판 세정 방법에 있어서, 웨이퍼(W)를 가열해서 웨이퍼(W)의 표면에 부착되는 파티클(P)을 열응력에 의해서 웨이퍼(W)의 표면으로부터 박리시키는 가열 스텝과, 웨이퍼(W) 표면의 근방에 발생한 온도 구배에 의해 파티클(P)을 웨이퍼(W)의 표면으로부터 탈리시키는 탈리 스텝과, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 탈리한 파티클(P)을 웨이퍼(W)에 대향 배치된 포집판(13)에 의해서 포집하는 파티클(P)의 포집 스텝을 갖는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100698352B1
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020060068647
申请日：2006-07-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 키타노준이치 , 마츠야마유지 , 키타노타카히로 , 카타노타카유키 , 마츠이히데후미 , 스즈키요 , 야마시타마사미 , 아오야마토루 , 이와키히로유키 , 시무라사토루 , 데구치마사토시 , 요시하라코우스케 , 이이다나루아키
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67178 , G03F7/70991 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/67161 , H01L21/67184 , H01L21/67742 , H01L21/67778 , Y10T29/41
Abstract: 도포현상 처리시스템에 있어서 경계판에 의해 나누어진 각 영역, 즉 카세트 스테이션, 처리 스테이션 및 인터페이스부의 상부에 각 영역 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 각각 설치한다. 상기 각 영역의 하부에는 각 영역 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관을 설치한다. 각 기체 공급장치로 산소 등의 불순물이나 미립자를 포함하지 않는 불활성 기체를 각 영역 내로 공급하고 각 영역 내의 분위기를 배기관으로 배기함으로써 각 영역 내의 분위기를 청정한 상태로 유지한다.
Abstract translation: 提供一种气体供应单元，用于将惰性气体供应到由涂布和显影系统中的边界板划分的每个区域中，即在盒台，处理台和接口单元的上方。 在每个区域下方设置用于排出每个区域中的气氛的排气管。 将不含氧等杂质的惰性气体和不含颗粒的惰性气体供应到每个气体供应单元中，并且将每个区域中的气氛排出到排气管以保持每个区域中的气氛清洁。
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公开(公告)号：KR1020140101450A
公开(公告)日：2014-08-19
申请号：KR1020147021676
申请日：2011-02-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 이와타니 산교 가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B5/02 , H01L21/02046 , H01L21/67028
Abstract: 이물이 부착되고 저압의 분위기 중에 배치되는 기판을 향해 상기 저압의 분위기보다 고압의 가스를 분무해서 복수의 가스 분자로 이루어지는 클러스터를 형성하고, 해당 클러스터를 이온화하는 일 없이 상기 기판에 충돌시키는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법이 제공된다.
Abstract translation: 其中向在其上的异物附着它被设置在低压力的气氛中的衬底，其通过在高压喷射的气体比在低压气氛，以形成包含多个气体分子的簇，碰撞而不电离簇到衬底 提供了一种基板清洁方法。
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公开(公告)号：KR1020110031095A
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：KR1020100086414
申请日：2010-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3065 , G01R31/26 , G06F3/06 , H01L21/67253
Abstract: PURPOSE: A method for determining whether to start a process in a substrate processing device and a recording medium are provided to accurately sense the change of the number of corpuscles by approximating the change of the number of the corpuscles remaining on the substrate processing device with an exponential function. CONSTITUTION: A chamber(11) receives a wafer. An exhaust system(14) exhausts a chamber. A seasoning process of a higher temperature and/or lowerer temperature atmosphere than a plasma etching process is repeated for a preset number of times. The number of particles flowing in a first exhaust line(15) of the exhaust system is measured. The change of the measured particles is measured according to the lapse of time. When the decrease of the number of the particles is changed, it is determined that a plasma etching process can begin.
Abstract translation: 目的：提供一种用于确定是否启动基板处理装置和记录介质中的处理的方法，以通过使基板处理装置中剩余的小粒数的变化近似来准确地感测小数的数量的变化， 指数函数。 构成：室（11）接收晶片。 排气系统（14）排气室。 比等离子体蚀刻工艺更高温度和/或更低温度气氛的调味过程重复预定次数。 测量在排气系统的第一排气管线（15）中流动的颗粒的数量。 测量的颗粒的变化根据时间的流逝来测量。 当颗粒数量的减少改变时，确定等离子体蚀刻工艺可以开始。
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公开(公告)号：KR100701578B1
公开(公告)日：2007-04-02
申请号：KR1020010004660
申请日：2001-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 키타노준이치 , 마츠야마유지 , 키타노타카히로 , 카타노타카유키 , 마츠이히데후미 , 스즈키요 , 야마시타마사미 , 아오야마토루 , 이와키히로유키 , 시무라사토루 , 데구치마사토시 , 요시하라코우스케 , 이이다나루아키
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/67178 , G03F7/70991 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/67161 , H01L21/67184 , H01L21/67742 , H01L21/67778 , Y10T29/41
Abstract: 도포현상 처리시스템에 있어서 경계판에 의해 나누어진 각 영역, 즉 카세트 스테이션, 처리 스테이션 및 인터페이스부의 상부에 각 영역 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 각각 설치한다. 상기 각 영역의 하부에는 각 영역 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관을 설치한다. 각 기체 공급장치로 산소 등의 불순물이나 미립자를 포함하지 않는 불활성 기체를 각 영역 내로 공급하고 각 영역 내의 분위기를 배기관으로 배기함으로써 각 영역 내의 분위기를 청정한 상태로 유지한다.
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公开(公告)号：KR101557604B1
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：KR1020147021676
申请日：2011-02-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 이와타니 산교 가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B5/02 , H01L21/02046 , H01L21/67028
Abstract: 이물이부착되고저압의분위기중에배치되는기판을향해상기저압의분위기보다고압의가스를분무해서복수의가스분자로이루어지는클러스터를형성하고, 해당클러스터를이온화하는일 없이상기기판에충돌시키는것을특징으로하는기판세정방법이제공된다.
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