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公开(公告)号：KR101739592B1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020100105149
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향에있어서의플라즈마밀도분포의균일성을개선하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. RF 안테나(54)는코일직경이다른복수의단권코일(54(1), 54(2), 54(3))을갖고있다. 각코일(54(1), 54(2), 54(3))의고주파급전포인트는매우작은잘림부를사이에두고마련되어있다.
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公开(公告)号：KR1020170038182A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：KR1020170037590
申请日：2017-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
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公开(公告)号：KR101220697B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020117020835
申请日：2010-03-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02071 , H01L21/67051 , H01L21/67109
Abstract: 간단한 장치 구성에서 실시 가능하고, 미세 패턴이 형성되어 있는 기판을 그 미세 패턴에 악영향을 주는 일 없이 단시간에 세정하기 위한 기판 세정 방법을 제공한다. 웨이퍼 W의 표면에 소정의 가공을 실시하는 처리 챔버로부터 웨이퍼 W의 세정을 실행하는 세정 챔버에 웨이퍼 W를 반송하고, 세정 챔버내에 있어 웨이퍼 W를 소정 온도로 냉각하고, 초유동체로서의 초유동 헬륨을 웨이퍼 W의 표면에 공급하고, 웨이퍼 W의 표면으로부터 초유동 헬륨을 유출하는 것에 의해서 미세 패턴내의 오염 성분을 흘러가게 한다.
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公开(公告)号：KR1020110046353A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020100105158
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to freely and accurately control the plasma density distribution. CONSTITUTION: A conductive cylindrical supporting part(16) is extended to an upper part from the bottom of a chamber(10) along the outer circumference of the cylindrical supporting part(14). An exhaust duct is formed between the inner wall of the chamber. A circular baffle board(20) is attached to the upper part of the exhaust duct or an entrance. A exhaust port(22) is placed on the bottom part of the exhaust duct. A gate valve(28) opens and closes the entrance gate(27) of the semiconductor wafer.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法来自由且精确地控制等离子体密度分布。 构成：导电圆柱形支撑部分（16）沿着圆柱形支撑部分（14）的外圆周从腔室（10）的底部延伸到上部。 在室的内壁之间形成排气管。 圆形挡板（20）安装在排气管的上部或入口处。 排气口（22）放置在排气管的底部。 闸阀（28）打开和关闭半导体晶片的入口门（27）。
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公开(公告)号：KR1020100108294A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：KR1020100027485
申请日：2010-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32623 , H01J2237/2001
Abstract: PURPOSE: A plasma process apparatus and a heating electrode thereof are provided to selectively heat a desired portion of a heating object by restraining the induced heating caused by leak magnetic field generated around the periphery. CONSTITUTION: A process chamber(100) comprises an upper cylinder shape chamber(100a) and lower cylinder shape chamber(100b). An upper electrode(105) and a bottom electrode(110) are arranged opposing each other inside the process chamber. A plurality of gas holes(105a) is formed on the upper electrode.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置及其加热电极，以通过抑制由周围产生的泄漏磁场引起的感应加热来选择性地加热加热对象的期望部分。 构成：处理室（100）包括上筒形室（100a）和下圆筒形室（100b）。 上部电极（105）和底部电极（110）在处理室内相对配置。 在上电极上形成多个气孔（105a）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100091128A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：KR1020100011629
申请日：2010-02-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67069 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67213 , H01L21/67742 , H01L21/6831
Abstract: PURPOSE: A transferring chamber and a method for preventing particles from being attached are provided to prevent the attachment of particles due to electrostatic force by neutralizing the particles using an ionizing gas. CONSTITUTION: A transferring chamber(4) is arranged between a pressurizing unit and an atmospheric-based sustention unit and transfers substrates between the pressurizing unit and the atmospheric-based sustention unit. The substrates are loaded in the main body(51) of the chamber. An exhausting device(53) implements an exhausting operation with respect to the inside of the main body. A gas supplying unit converts the inside of the main body into atmospheric environment. An ionizing gas supplying unit supplies an ionizing gas from an ionizer to the main body.
Abstract translation: 目的：提供传送室和防止颗粒附着的方法，以通过使用电离气体中和颗粒来防止由于静电力而附着颗粒。 构成：传送室（4）设置在加压单元和基于大气的维持单元之间，并且在加压单元和基于大气的维持单元之间传送基板。 基板被装载在室的主体（51）中。 排气装置（53）相对于主体的内部实施排气操作。 气体供给单元将主体的内部转换成大气环境。 离子化气体供给单元将离子交换器的离子化气体供给到主体。
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公开(公告)号：KR101838846B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR1020170037590
申请日：2017-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
Abstract translation: 通过在电感耦合等离子体工艺中使用简单的校正线圈，可以自由且精确地控制等离子体密度分布。 耦合等离子体处理装置在圆环形状的RF天线54附近的电介质窗52的下方产生感应耦合等离子体，并将该等离子体的等离子体分散在宽的处理空间内， 等离子体的密度在基座12附近（即，在半导体晶片W上）被平均。 然后，基座12附近的等离子体密度分布沿径向均匀，由RF天线54产生的RF磁场经过校正环70的电磁校正， 并且通过切换机构110改变校正线圈70的切换占空比。
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公开(公告)号：KR101785869B1
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：KR1020160144636
申请日：2016-11-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향에있어서의플라즈마밀도분포의균일성을개선하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. RF 안테나(54)는코일직경이다른복수의단권코일(54(1), 54(2), 54(3))을갖고있다. 각코일(54(1), 54(2), 54(3))의고주파급전포인트는매우작은잘림부를사이에두고마련되어있다.
Abstract translation: 本发明旨在提高电感耦合等离子体处理装置中方位方向上的等离子体密度分布的均匀性。 本发明的感应耦合等离子体蚀刻装置在圆环状的RF天线54附近的电介质窗52的下方产生电感耦合的等离子体，并将该圆环形状的等离子体分散到宽的处理空间 并且等离子体的密度在基座12附近（即，在半导体晶片W上）被平均。 RF天线54具有线圈直径不同的多个单相线圈54（1），54（2）和54（3）。 线圈54（1），54（2）和54（3）的高频馈电点设有插入其间的非常小的切口部分。
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公开(公告)号：KR101757921B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105158
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
Abstract: 본말명은유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용해서플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산되도록하여, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼W 상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향으로균일화하고, 또 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자기장에대해보정링(70)에의해전자기장적인보정을거는동시에, 챔버(10)내의압력에따라안테나-코일간격제어부(72)에의해보정링(70)의높이위치를가변하도록하고있다.
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公开(公告)号：KR101737635B1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：KR1020100105143
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H05H1/46
Abstract: 본발명에따르면, 유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향더 나아가서는직경방향의플라즈마밀도분포의균일성또는제어성을향상시킬수 있다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치에있어서, 챔버(10)의천장의유전체벽(52)상에마련되는 RF 안테나(54)는안테나실(56)내에서유전체창(52)으로부터이격되어그 위쪽에배치되고, 고주파급전부(58)로부터의 RF 급전라인(60, 68)에접속되는 1차코일(62)과, 이 1차코일(62)과전자기유도에의해결합가능한위치이고또한이 1차코일(62)보다도유전체창(52)의하면(처리공간과대향하는면)의가까이에배치되는 2차코일(64)을갖고있다.
Abstract translation: 根据本发明，可以在电感耦合等离子体处理装置中提高方位角方向上和进一步在径向上的等离子体密度分布的均匀性或可控性。 在本发明的电感耦合等离子体蚀刻设备中，设置在室10中的室10的电介质壁52上的RF天线54与天线室56中的电介质窗52间隔开， 并且，从高频电力馈送器58连接到RF馈送线路60和68的初级线圈62和经由电磁耦合器62连接到初级线圈62的初级线圈62。 并且，配置在电介质窗52侧（与二次线圈62相对的面向处理空间的一侧）的二次线圈64。
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