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公开(公告)号：KR100371724B1
公开(公告)日：2003-03-17
申请号：KR1019980021816
申请日：1998-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/18 , C23C16/20 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/45574
Abstract: The present invention provides a CVD apparatus and a CVD method for use in forming an Al/Cu multilayered film. The Al/Cu multilayered film is formed in the CVD apparatus comprising a chamber for placing a semiconductor wafer W, a susceptor for mounting the semiconductor wafer W thereon, an Al raw material supply system for introducing a gasified Al raw material into the chamber and a Cu raw material supply system for introducing a gasified Cu raw material into the chamber. The Al/Cu multilayered film is formed by repeating a series of steps consisting of introducing the Al raw material gas into the chamber, depositing the Al film on the semiconductor wafer W by a CVD method, followed by generating a plasma in the chamber in which the Cu raw material gas has been introduced and depositing the Cu film on the semiconductor wafer W by a CVD method. The Al/Cu multilayered film thus obtained is subjected to a heating treatment (annealing), thereby forming a desired Al/Cu multilayered film.
Abstract translation: 本发明提供用于形成Al / Cu多层膜的CVD装置和CVD方法。 在包括用于放置半导体晶片W的腔室，用于在其上安装半导体晶片W的基座，用于将气化的Al原材料引入到腔室中的Al原材料供应系统和用于放置半导体晶片W的基座的CVD装置中形成Al / Cu多层膜 Cu原料供给系统，用于将气化的Cu原料引入室中。 通过重复一系列步骤来形成Al / Cu多层膜，该一系列步骤包括：将Al原料气体引入腔室中，通过CVD方法在半导体晶片W上沉积Al膜，随后在腔室中产生等离子体 引入Cu原料气体并通过CVD方法在半导体晶片W上沉积Cu膜。 对如此获得的Al / Cu多层膜进行加热处理（退火），从而形成所需的Al / Cu多层膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990030258A
公开(公告)日：1999-04-26
申请号：KR1019980040609
申请日：1998-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 미즈카미마사미
IPC: H01L51/00
Abstract: 진공 처리 장치에서 사용하기 위한 힌지 장치로서, 이 진공 처리 장치는 상벽을 갖는 챔버 및 상벽에 형성되었으며 챔버에 접근 할 수 있는 구멍을 포함하며, 또한 이 구멍을 개방 및 폐쇄하기 위한 커버를 더 포함한다. 힌지 장치는 커버를 지지하도록 및 이 커버가 개방 위치와 폐쇄 위치사이에서 90°이상의 각도로 회전할 수 있도록 설계되었으며, 상기 개방 위치는 커버가 구멍을 개방하는 위치이고, 폐쇄 위치는 커버가 구멍을 폐쇄하는 위치이다. 힌지 장치는 챔버에 고정되는 액슬과; 이 액슬에 의해 회전가능하게 지지되는 제 1 부품 및 이 제 1 부품과 이격되어 위치된 제 2 부품을 갖는 지지 부재와; 커버에 고정되었으며, 지지 부재의 제 2 부품에 의해 회전가능하게 지지되며, 커버가 회전될 때 지지 부재의 둘레를 회전할 수 있는 회전 부재와; 지지 부재에 의해 지지되며, 회전 부재가 제 1 방향과 반대인 제 2 방향으로 회전될 때 회전 부재를 액슬에 연결시켜 지지 부재가 액슬 주위의 제 1 방향으로 회전하도록 하는 회전-전달 장치(rotation-transmitting mechanism)를 포함한다. 힌지 장치가 각기 챔버 및 커버에 고정된 액슬 및 회전 부재와 함께 진공 처리 장치내에 사용된다면, 지지 부재는 폐쇄 위치와 개방 위치사이에서 회전 부재 주위를 회전하는 커버의 방향과 반대방향으로 회전할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100333197B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019980040609
申请日：1998-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 미즈카미마사미
IPC: H01L51/00
Abstract: 진공 처리 장치에서 사용하기 위한 힌지 장치로서, 이 진공 처리 장치는 상벽을 갖는 챔버 및 상벽에 형성되었으며 챔버에 접근 할 수 있는 구멍을 포함하며, 또한 이 구멍을 개방 및 폐쇄하기 위한 커버를 더 포함한다. 힌지 장치는 커버를 지지하도록 및 이 커버가 개방 위치와 폐쇄 위치사이에서 90°이상의 각도로 회전할 수 있도록 설계되었으며, 상기 개방 위치는 커버가 구멍을 개방하는 위치이고, 폐쇄 위치는 커버가 구멍을 폐쇄하는 위치이다. 힌지 장치는 챔버에 고정되는 액슬과; 이 액슬에 의해 회전가능하게 지지되는 제 1 부품 및 이 제 1 부품과 이격되어 위치된 제 2 부품을 갖는 지지 부재와; 커버에 고정되었으며, 지지 부재의 제 2 부품에 의해 회전가능하게 지지되며, 커버가 회전될 때 지지 부재의 둘레를 회전할 수 있는 회전 부재와; 지지 부재에 의해 지지되며, 회전 부재가 제 1 방향과 반대인 제 2 방향으로 회전될 때 회전 부재를 액슬에 연결시켜 지지 부재가 액슬 주위의 제 1 방향으로 회전하도록 하는 회전-전달 장치(rotation-transmitting mechanism)를 포함한다. 힌지 장치가 각기 챔버 및 커버에 고정된 액슬 및 회전 부재와 함께 진공 처리 장치내에 사용된다면, 지지 부재는 폐쇄 위치와 개방 위치사이에서 회전 부재 주위를 회전하는 커버의 방향과 반대방향으로 회전할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990006902A
公开(公告)日：1999-01-25
申请号：KR1019980021816
申请日：1998-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 본 발명의 목적은 Al/Cu 다층막을 형성하는데 사용하기 위한 화학 기상 증착(CVD) 장치 및 방법을 제공하는데 있다. Al/Cu 다층막은, 반도체 웨이퍼 W를 수용하기 위한 챔버와, 반도체 웨이퍼 W를 탑재하기 위한 서셉터와, 기화된 Al 원료를 챔버로 도입하기 위한 Al 원료 공급 시스템과, 기화된 Cu 원료를 챔버로 도입하기 위한 Cu 원료 공급 시스템을 포함하는 CVD 장치에 의해 형성된다. Al/Cu 다층막은, Al 원료 가스를 챔버로 도입하는 단계와, CVD 방법에 의해 반도체 웨이퍼 W상에 Al 막을 증착하는 단계와, 그 후 Cu 원료 가스가 도입되는 챔버내에 플라즈마를 발생시키는 단계와, CVD 방법에 의해 반도체 웨이퍼 W상에 Cu 막을 증착하는 단계로 구성되는 일련의 단계를 반복함으로써 형성된다. 따라서, 획득된 Al/Cu 다층막은 가열 처리(어닐링)되어, 원하는 Al/Cu 다층막을 형성하게 된다.
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公开(公告)号：KR100158215B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019920013604
申请日：1992-07-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: B25J9/06
CPC classification number: B25J9/1065 , B25J17/0241 , H01L21/68707 , Y10S414/13 , Y10S414/135 , Y10S414/139 , Y10T74/18856 , Y10T74/20323 , Y10T74/20329
Abstract: 반도체 웨이퍼를 반송하기 위한 반송장치는, 회전구동원이 장착된 기초대화, 4개의 동일한 길이의 아암을 구비한다. 제1내 아암의 한쪽 끝단부는 회전구동축에 고정부착되고, 다른 끝단부는 제1연결축에 고정적으로 접속된다. 제2내 아암의 한쪽 끝단부는 상기 기초대에 종동지지점을 중심으로 하여 회전가능하게 지지되고, 다른 끝단부는 제2연결축과 회전가능하게 접속된다. 제1 및 제2연결축간에는 구동력전달 기구가 배열설치된다. 제1 외 아암의 한쪽 끝단부는 상기 제 1 연결축에 회전가능하게 접속되고, 제 2 외 아암의 한쪽 끝단부는 상기 제 2 연결축에 고정부착된다. 제 1 및 제 2 아암의 다른 끝단부는 웨이퍼지지부가 형성된 지지판에 회전가능하게 접속된다. 4개의 아암은 2개의 평행 4변형으로 되는 링크구조를 형성하도록 배치되어 웨이퍼의 직선적인 반송이 가능하게 된다.
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公开(公告)号：KR1019930003238A
公开(公告)日：1993-02-23
申请号：KR1019920013604
申请日：1992-07-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: B25J9/06
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