公开(公告)号：KR101408506B1

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：KR1020120133521

申请日：2012-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다나카마사유키 ,  모치즈키다카시 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  H01L21/318

Abstract: (과제) 적어도 챔버 밖에 있어서는, SiH
2 Cl
2 가스가 다른 처리 가스와 혼합되지 않도록 하고, 이들 가스의 반응 부생성물에 의한 파티클의 발생을 억제한다.
(해결 수단) 챔버(102)에 마련되고, 복수의 가스 도입구로부터 도입된 가스를 웨이퍼 W를 향해 토출하는 복수의 토출 구멍을 구비한 샤워 헤드와, NH
3 가스를 샤워 헤드의 가스 도입구까지 공급하는 NH
3 공급 라인(210A)과, SiH
2 Cl
2 가스를 샤워 헤드의 가스 도입구까지 공급하는 SiH
2 Cl
2 공급 라인(210B)과, TiCl
4 가스를 샤워 헤드의 가스 도입구까지 공급하는 TiCl
4 공급 라인(210C)을 구비하고, SiH
2 Cl
2 공급 라인은 적어도 가스 도입구까지는 다른 공급 라인과는 합류되지 않도록 독립적으로 마련했다.

Abstract translation: （问题）至少在室外，SiH

公开(公告)号：KR1019990006902A

公开(公告)日：1999-01-25

申请号：KR1019980021816

申请日：1998-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이즈카다케시 ,  호리우치다카시 ,  미즈카미마사미 ,  모치즈키다카시 ,  가와노유미코 ,  야마사키히데아키

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31

Abstract: 본 발명의 목적은 Al/Cu 다층막을 형성하는데 사용하기 위한 화학 기상 증착(CVD) 장치 및 방법을 제공하는데 있다. Al/Cu 다층막은, 반도체 웨이퍼 W를 수용하기 위한 챔버와, 반도체 웨이퍼 W를 탑재하기 위한 서셉터와, 기화된 Al 원료를 챔버로 도입하기 위한 Al 원료 공급 시스템과, 기화된 Cu 원료를 챔버로 도입하기 위한 Cu 원료 공급 시스템을 포함하는 CVD 장치에 의해 형성된다. Al/Cu 다층막은, Al 원료 가스를 챔버로 도입하는 단계와, CVD 방법에 의해 반도체 웨이퍼 W상에 Al 막을 증착하는 단계와, 그 후 Cu 원료 가스가 도입되는 챔버내에 플라즈마를 발생시키는 단계와, CVD 방법에 의해 반도체 웨이퍼 W상에 Cu 막을 증착하는 단계로 구성되는 일련의 단계를 반복함으로써 형성된다. 따라서, 획득된 Al/Cu 다층막은 가열 처리(어닐링)되어, 원하는 Al/Cu 다층막을 형성하게 된다.

公开(公告)号：KR101991574B1

公开(公告)日：2019-06-20

申请号：KR1020170100816

申请日：2017-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카베신야 ,  모치즈키다카시 ,  야마사키히데아키 ,  히라마츠나가야스 ,  뎀포가즈키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

公开(公告)号：KR1020130058627A

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：KR1020120133521

申请日：2012-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다나카마사유키 ,  모치즈키다카시 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4585

Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus is provided to prevent SiH2Cl2 gas from being mixed with different gases using individual gas supply lines, and restrain the generation of particles due to a gas byproduct. CONSTITUTION: A film forming process is performed on a wafer in a chamber(102). A process gas supply part(200) supplies a process gas to the chamber. The process gas supply part includes an NH3 supply part(200A), a SiH2Cl2 supply part(200B), and a TiCl4 supply part(200C). An exhausting part(300) includes an exhaust line(310) connected to the outlet of the chamber. A vacuum pump(330) is connected to the exhaust line. The vacuum pump maintains a vacuum pressure by vacuum absorption. [Reference numerals] (102) Chamber; (242C) Vaporizer; (320) Trap; (330) Vacuum pump

Abstract translation: 目的：提供一种成膜设备，以防止SiH2Cl2气体与各种气体供应管线混合，并抑制由气体副产物产生的颗粒。 构成：在室（102）中的晶片上进行成膜工艺。 工艺气体供应部件（200）将处理气体供应到腔室。 处理气体供给部包括NH 3供给部（200A），SiH2Cl2供给部（200B）和TiCl4供给部（200C）。 排气部（300）包括连接到室的出口的排气管（310）。 真空泵（330）与排气管连接。 真空泵通过真空吸收维持真空压力。 （102）室; （242C）蒸发器; （320）陷阱; （330）真空泵

公开(公告)号：KR101054595B1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：KR1020097008001

申请日：2007-08-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모치즈키다카시

IPC: H01L21/31 ,  B01D1/16 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4486 ,  B01B1/005

Abstract: 기화실에 토출된 액상 원료의 액적의 사이즈를 컨트롤하여 액적의 사이즈의 격차를 억제하여 액적을 확실히 기화한다. 기화기는 액상 원료가 소정의 압력으로 공급되는 원료액실(410)과, 상기 원료액실내의 액상 원료를 토출하기 위한 복수의 원료 토출 노즐(420)와, 상기 원료 토출 노즐(420)로부터 토출된 상기 액상 원료를 기화해서 원료 가스를 생성하는 기화실(430)과, 상기 원료액실의 내부공간의 용적을 주기적으로 변화시켜, 상기 액상 원료에 토출 압력을 가하는 압전소자(440)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020090069305A

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：KR1020097008001

申请日：2007-08-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모치즈키다카시

IPC: H01L21/31 ,  B01D1/16 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4486 ,  B01B1/005

Abstract: The size of drops of liquid raw material spouted into a vaporization chamber is controlled so as to suppress any dispersion of drop size, thereby attaining assured vaporization of the drops. The vaporizer comprises raw material liquid chamber (410) into which a liquid raw material is fed at given pressure; multiple raw material spout nozzles (420) for spouting the liquid raw material stored in the raw material liquid chamber; vaporization chamber (430) for vaporizing the liquid raw material spouted from the multiple raw material spout nozzles so as to form a raw material gas; and piezoelectric device (440) for periodically changing the volume of internal space of the raw material liquid chamber so as to apply spout pressure to the liquid raw material.

Abstract translation: 控制喷射到蒸发室中的液体原料的液滴的大小，以抑制液滴尺寸的任何分散，从而实现液滴的可靠蒸发。 蒸发器包括原料液室（410），液体原料在给定压力下进料到其中; 多个原料喷嘴（420），用于喷射存储在原料液室中的液体原料; 蒸发室（430），用于蒸发从多个原料吐出嘴喷出的液体原料，以形成原料气体; 以及用于周期性地改变原料液室的内部空间的体积以便向液体原料施加喷口压力的压电装置（440）。

公开(公告)号：KR100728400B1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020060056572

申请日：2006-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토스스무 ,  고마츠도모히토 ,  모치즈키다카시

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명의 목적은 중공 형상의 레그부 내를 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 유지하여 급전선 사이에 있어서의 방전을 방지할 수 있는 탑재대 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명에 있어서는, 가열 수단(42)이 설치된 탑재대(38)와, 이것을 지지하는 중공 형상의 레그부(40)와, 가열 수단에 접속된 급전선(44A, 44B) 등을 갖는 탑재대 장치(36)를 진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(4) 내에 부착하는 부착 구조체에 있어서, 처리 용기의 바닥부에 형성된 개구부에, 개구부를 밀폐하여 설치되는 바닥부 부착대(56)와, 레그부의 하단부와 바닥부 부착대 사이에 개재하여 설치되는 연질의 금속재료로 이루어지는 금속 시일 부재(74)와, 레그부의 하단부를 바닥부 부착대쪽에 고정하는 고정 수단(72)과, 레그부 내에 불활성 가스를 공급하여 급전선 사이에 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 하는 불활성 가스 공급 수단(84)과, 레그부 내의 분위기를, 그 유량을 제한하면서 배출하기 위한 레그부 내 분위기 배기 수단(86)을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020060134860A

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：KR1020060056572

申请日：2006-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토스스무 ,  고마츠도모히토 ,  모치즈키다카시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/68785 ,  H05H1/46

Abstract: A joining construction of a mounting table apparatus, a processing apparatus, and a method for protecting discharge between electric supply wires in the mounting table apparatus are provided to seal a lower end of a leg part with a metal seal member which allows slight leakage. A bottom attachment is installed on an opening formed on a bottom portion of a processing container. A metal seal member(74) is interposed between a lower end of a leg part(40) and a bottom attachment, and is made of a soft metal material. A fixing member(72) fixes the lower end of the leg part to the bottom attachment. An insert gas supply member(84) supplies inert gas in the leg part to produce a pressure atmosphere which protects discharge in electric supply wires(44A,44B,46A,46B). A drain member drains the atmosphere from the leg part.

Abstract translation: 提供一种用于保护安装台设备中的电源线之间的放电的安装台装置，处理装置和方法的接合结构，以用允许轻微泄漏的金属密封构件来密封腿部的下端。 底部附件安装在形成在处理容器的底部上的开口上。 金属密封构件（74）插入在腿部（40）的下端和底部附件之间，并且由软金属材料制成。 固定构件（72）将腿部的下端固定到底部附件。 插入气体供给构件（84）在腿部提供惰性气体，以产生保护供电线（44A，44B，46A，46B）中的放电的压力气氛。 排水构件从腿部排出气氛。

公开(公告)号：KR100371724B1

公开(公告)日：2003-03-17

申请号：KR1019980021816

申请日：1998-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이즈카다케시 ,  호리우치다카시 ,  미즈카미마사미 ,  모치즈키다카시 ,  가와노유미코 ,  야마사키히데아키

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/18 ,  C23C16/20 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574

Abstract: The present invention provides a CVD apparatus and a CVD method for use in forming an Al/Cu multilayered film. The Al/Cu multilayered film is formed in the CVD apparatus comprising a chamber for placing a semiconductor wafer W, a susceptor for mounting the semiconductor wafer W thereon, an Al raw material supply system for introducing a gasified Al raw material into the chamber and a Cu raw material supply system for introducing a gasified Cu raw material into the chamber. The Al/Cu multilayered film is formed by repeating a series of steps consisting of introducing the Al raw material gas into the chamber, depositing the Al film on the semiconductor wafer W by a CVD method, followed by generating a plasma in the chamber in which the Cu raw material gas has been introduced and depositing the Cu film on the semiconductor wafer W by a CVD method. The Al/Cu multilayered film thus obtained is subjected to a heating treatment (annealing), thereby forming a desired Al/Cu multilayered film.

Abstract translation: 本发明提供用于形成Al / Cu多层膜的CVD装置和CVD方法。 在包括用于放置半导体晶片W的腔室，用于在其上安装半导体晶片W的基座，用于将气化的Al原材料引入到腔室中的Al原材料供应系统和用于放置半导体晶片W的基座的CVD装置中形成Al / Cu多层膜 Cu原料供给系统，用于将气化的Cu原料引入室中。 通过重复一系列步骤来形成Al / Cu多层膜，该一系列步骤包括：将Al原料气体引入腔室中，通过CVD方法在半导体晶片W上沉积Al膜，随后在腔室中产生等离子体 引入Cu原料气体并通过CVD方法在半导体晶片W上沉积Cu膜。 对如此获得的Al / Cu多层膜进行加热处理（退火），从而形成所需的Al / Cu多层膜。